【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种碳化硅器件及其形成方法。
技术介绍
1、碳化硅器件(sic mosfet)是一种区别于传统硅衬底和水平沟道的半导体器件。然而目前对于碳化硅器件的形成工艺仍然存在缺陷，例如超级结结构(super junctionstructure)在碳化硅器件中的应用还未出现以及发展。
2、因此，有必要提供更有效、更可靠的技术方案，实现在碳化硅器件中形成超级结结构。
技术实现思路
1、本申请提供一种碳化硅器件及其形成方法，可以实现在碳化硅器件中形成超级结结构。
2、本申请的一个方面提供一种碳化硅器件的形成方法，包括：提供碳化硅衬底，所述碳化硅衬底表面形成有第一碳化硅外延层，所述第一碳化硅外延层中形成有沟槽；在所述沟槽中形成填满所述沟槽的牺牲层；在所述第二碳化硅外延层上形成晶体管结构；去除所述牺牲层；在所述第二碳化硅外延层上形成覆盖所述晶体管结构和第二碳化硅外延层并填满所述第二沟槽的金属层。
3、在本申请的一些实施例中，所述第一碳化硅外延层和第二碳化硅外延层都被掺杂，所述第一碳化硅外延层和第二碳化硅外延层的掺杂类型相反。
4、在本申请的一些实施例中，所述金属层的材料包括氮化钛、钨、钛硅化物中的任意一种或多种。
5、在本申请的一些实施例中，所述第二碳化硅外延层的厚度为0.05至0.3微米。
6、在本申请的一些实施例中，位于所述第一碳化硅外延层顶面的第二碳化硅外延层的厚度大于所述沟槽底部和侧壁的第二碳化硅
7、本申请的另一个方面还提供一种碳化硅器件，包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底表面形成有第一碳化硅外延层，所述第一碳化硅外延层中形成有沟槽；第二碳化硅外延层，位于所述沟槽底部和侧壁以及所述第一碳化硅外延层表面；晶体管结构，位于所述第二碳化硅外延层上；金属层，覆盖所述第二碳化硅外延层和所述晶体管结构并填满所述沟槽。
8、在本申请的一些实施例中，所述第一碳化硅外延层和第二碳化硅外延层都被掺杂，所述第一碳化硅外延层和第二碳化硅外延层的掺杂类型相反。
9、在本申请的一些实施例中，所述金属层的材料包括氮化钛、钨、钛硅化物中的任意一种或多种。
10、在本申请的一些实施例中，所述第二碳化硅外延层的厚度为0.05至0.3微米。
11、在本申请的一些实施例中，位于所述第一碳化硅外延层顶面的第二碳化硅外延层的厚度大于所述沟槽底部和侧壁的第二碳化硅外延层的厚度。
12、本申请提供一种碳化硅器件及其形成方法，可以实现在碳化硅器件中形成超级结结构。
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1.一种碳化硅器件的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的碳化硅器件的形成方法，其特征在于，所述第一碳化硅外延层和第二碳化硅外延层都被掺杂，所述第一碳化硅外延层和第二碳化硅外延层的掺杂类型相反。
3.如权利要求1所述的碳化硅器件的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料包括氮化钛、钨、钛硅化物中的任意一种或多种。
4.如权利要求1所述的碳化硅器件的形成方法，其特征在于，所述第二碳化硅外延层的厚度为0.05至0.3微米。
5.如权利要求1所述的碳化硅器件的形成方法，其特征在于，位于所述第一碳化硅外延层顶面的第二碳化硅外延层的厚度大于所述沟槽底部和侧壁的第二碳化硅外延层的厚度。
6.一种碳化硅器件，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的碳化硅器件，其特征在于，所述第一碳化硅外延层和第二碳化硅外延层都被掺杂，所述第一碳化硅外延层和第二碳化硅外延层的掺杂类型相反。
8.如权利要求6所述的碳化硅器件，其特征在于，所述金属层的材料包括氮化钛、钨、钛硅化物中的任意一种或多种。
9.如
10.如权利要求6所述的碳化硅器件，其特征在于，位于所述第一碳化硅外延层顶面的第二碳化硅外延层的厚度大于所述沟槽底部和侧壁的第二碳化硅外延层的厚度。
...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅器件的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的碳化硅器件的形成方法，其特征在于，所述第一碳化硅外延层和第二碳化硅外延层都被掺杂，所述第一碳化硅外延层和第二碳化硅外延层的掺杂类型相反。
3.如权利要求1所述的碳化硅器件的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料包括氮化钛、钨、钛硅化物中的任意一种或多种。
4.如权利要求1所述的碳化硅器件的形成方法，其特征在于，所述第二碳化硅外延层的厚度为0.05至0.3微米。
5.如权利要求1所述的碳化硅器件的形成方法，其特征在于，位于所述第一碳化硅外延层顶面的第二碳化硅外延层的厚度大于所述沟槽底部和侧壁的第二碳化...
【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，周永昌，
申请(专利权)人：飞锃半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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