【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种粘合剂组合物以及膜片。
技术介绍
1、作为半导体加工用胶带中使用的粘合剂，通常已知以切割胶带用粘合剂为代表的所谓uv剥离粘合剂(例如，参照专利文献1)。uv剥离粘合剂在uv照射后粘合力下降到1n以下，剥离变得容易。
2、专利文献1：日本专利第6713864号公报
技术实现思路
1、近来的半导体工序变得复杂，半导体加工用胶带所要求的要求条件也逐年严格。尤其，在扇出型晶片级封装(fo-wlp)等在晶片上直接搭载ic的工序中使用的半导体加工用胶带的情况下，还需要回流焊工序等耐热性。
2、本专利技术是鉴于上述情况而完成的，课题在于，提供一种能够适合用作半导体加工用uv剥离粘合剂且耐热性优异的粘合剂组合物以及膜片。
3、第一方式：一种粘合剂组合物，其特征在于，所述粘合剂组合物含有(甲基)丙烯酸类聚合物、四官能以上的不饱和双键化合物、交联剂、(f)硅烷偶联剂以及(g)光引发剂，所述(甲基)丙烯酸类聚合物是包含(a)烷基的碳数为c1～c18的(甲基)丙烯酸烷基酯的一种以上、(b)能够共聚的含氮乙烯基单体的一种以上以及(c)含有羟基的共聚性单体的一种以上的重均分子量100万～350万的共聚物，所述(b)能够共聚的含氮乙烯基单体是不含羧基的能够共聚的单体，所述不饱和双键化合物是选自(d)分子内具有四个以上不饱和双键的丙烯酸酯中的一种以上，所述粘合剂组合物相对于所述(a)烷基的碳数为c1～c18的(甲基)丙烯酸烷基酯和所述(b)能够共聚的含氮乙烯基
4、第二方式：在第一方式中，其特征在于，将由所述粘合剂组合物进行加热干燥处理而形成的厚度20μm的粘合剂层层叠在厚度27μm的peek基材上的粘合膜对进行pbo处理的硅晶片的90°剥离粘合力为1n/25mm以上，然后用金属卤化物灯或365nm波长的led-uv灯对直径30.48cm的12英寸的所述硅晶片以3000mj的比例进行uv照射后，加热240℃×5分钟，进一步加热165℃×2.5hr之后的粘合力为0.5n/25mm以下，进行相同试验时的所述粘合膜对进行ba处理的不锈钢的粘合力为0.5n/25mm以上。
5、第三方式：在第一方式或第二方式中，其特征在于，所述(甲基)丙烯酸类聚合物包含：70重量份～95重量份的作为所述(a)烷基的碳数为c1～c18的(甲基)丙烯酸烷基酯包含40重量份以上的丙烯酸正丁酯的至少一种以上和5重量份～30重量份的作为所述(b)能够共聚的含氮乙烯基单体的不含羟基的含氮乙烯基单体的合计100重量份；以及所述(c)含有羟基的共聚性单体的一种以上。
6、第四方式：在第一方式～第三方式的任一方式中，其特征在于，所述(甲基)丙烯酸类聚合物，相对于所述(a)烷基的碳数为c1～c18的(甲基)丙烯酸烷基酯和所述(b)能够共聚的含氮乙烯基单体的合计100重量份，按照0.1重量份～5重量份的比例包含选自含羟基(甲基)丙烯酸酯、含羟基(甲基)丙烯酰胺中的一种以上，作为所述(c)含有羟基的共聚性单体。
7、第五方式：在第一方式～第四方式的任一方式中，其特征在于，所述(c)含有羟基的共聚性单体是选自由(甲基)丙烯酸-8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸-6-羟己酯、(甲基)丙烯酸-4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、n-羟基(甲基)丙烯酰胺、n-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、n-羟乙基(甲基)丙烯酰胺组成的化合物组中的至少一种以上。
8、第六方式：在第一方式～第五方式的任一方式中，其特征在于，所述粘合剂组合物相对于所述(a)烷基的碳数为c1～c18的(甲基)丙烯酸烷基酯和所述(b)能够共聚的含氮乙烯基单体的合计100重量份，包含5重量份～30重量份的选自由季戊四醇四丙烯酸酯、二三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、二季戊四醇聚丙烯酸酯、聚季戊四醇聚丙烯酸酯组成的组中的至少一种以上的丙烯酸酯化合物作为所述(d)分子内具有四个以上不饱和双键的丙烯酸酯。
9、第七方式：在第一方式～第六方式的任一方式中，其特征在于，所述(e)三官能以上的芳香族类异氰酸酯化合物是选自甲苯二异氰酸酯的加合物、苯二亚甲基二异氰酸酯的加合物中的一种以上。
10、第八方式：在第一方式～第七方式的任一方式中，其特征在于，所述(f)硅烷偶联剂具有选自由环氧基、(甲基)丙烯酰氧基、巯基、氨基、聚醚基组成的组中的至少一种以上作为有机官能团。
11、第九方式：一种膜片，其特征在于，具有由第一方式～第八方式的任一方式的粘合剂组合物构成的粘合剂层。
12、第十方式：在第九方式中，其特征在于，所述粘合剂层的基材是厚度25μm以上的耐热基材。
13、第十一方式：在第十方式中，其特征在于，所述耐热基材是选自聚酰亚胺类膜、peek、pen、聚酰胺类膜、聚苯乙烯类膜中的厚度25μm以上的耐热基材。
14、第十二方式：在第九方式～第十一方式的任一方式中，其特征在于，所述膜片在半导体加工工序中使用。
15、第十三方式：在第十二方式中，其特征在于，所述膜片在作为所述半导体加工工序的晶片级封装工序中使用。
16、根据本专利技术，可以提供能够适合用作半导体加工用uv剥离粘合剂且耐热性优异的粘合剂组合物以及膜片。
17、本专利技术的粘合剂组合物可以用作在保持以往的uv剥离粘合剂的性能的状态下还保持耐热性的粘合剂，在需要耐热性的工序之后也可以容易地剥离。以往的uv剥离粘合剂中，在uv照射后的加热工序中粘合力大幅上升而无法应对新的制造工序，但在本专利技术中，可以通过使用含有特定的组成的(甲基)丙烯酸类聚合物和其它化合物的粘合剂组合物来兼具uv剥离性能和耐热性能。
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1.一种粘合剂组合物，其特征在于，所述粘合剂组合物含有(甲基)丙烯酸类聚合物、四官能以上的不饱和双键化合物、交联剂、(F)硅烷偶联剂以及(G)光引发剂，
2.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的粘合剂组合物，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的粘合剂组合物，其特征在于，
5.根据权利要求1或2所述的粘合剂组合物，其特征在于，
6.根据权利要求1或2所述的粘合剂组合物，其特征在于，
7.根据权利要求1或2所述的粘合剂组合物，其特征在于，
8.根据权利要求1或2所述的粘合剂组合物，其特征在于，
9.一种膜片，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的膜片，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的膜片，其特征在于，
12.根据权利要求9所述的膜片，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的膜片，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种粘合剂组合物，其特征在于，所述粘合剂组合物含有(甲基)丙烯酸类聚合物、四官能以上的不饱和双键化合物、交联剂、(f)硅烷偶联剂以及(g)光引发剂，
2.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的粘合剂组合物，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的粘合剂组合物，其特征在于，
5.根据权利要求1或2所述的粘合剂组合物，其特征在于，
6.根据权利要求...
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