【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磁阵列、磁阵列的控制方法以及磁阵列的动作程序。
技术介绍
1、已知一种磁阻效应元件，其利用了基于两个铁磁性层的磁化的相对角的变化的电阻值变化（磁阻变化）。例如，专利文献1所记载的磁畴壁移动型的磁阻效应元件（以下，称为磁畴壁移动元件）是磁阻效应元件的一例。磁畴壁移动元件的层叠方向的电阻值根据磁畴壁的位置而变化，能够多值或模拟地记录数据。
2、磁畴壁移动元件例如能够如专利文献2所记载的那样用于模拟大脑的功能的神经形态器件。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本专利第5441005号公报
6、专利文献2：日本特开2020-053660号公报
技术实现思路
1、（一）要解决的技术问题
2、就磁畴壁移动元件而言，用作集成了多个元件的磁阵列的情况较多。有时在各个磁畴壁移动元件上形成有磁畴壁的捕获位点。捕获位点捕获磁畴壁，阻碍磁畴壁的移动。例如，有时在磁畴壁移动层上产生的凹凸等成为捕获位点。有时形成于各个磁畴壁移动元件的捕获位点的位置因制造偏差等而变得随机。当磁畴壁被捕获时，磁阵列的动作变得不稳定。另一方面，只要不单独地检测磁阵列所包含的磁畴壁移动元件的电阻值，就难以确定磁畴壁在哪个元件上被捕获。
3、本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供能够简便且稳定地动作的磁阵列。另外，其目的在于提供能够使磁阵列稳定地动作的磁阵列的控制方法以及磁阵列的动作程序。
4、（二）
5、第一方式的磁阵列具有多个磁阻效应元件以及对所述多个磁阻效应元件中的至少一个施加脉冲的脉冲施加装置。所述多个磁阻效应元件分别具有磁畴壁移动层、铁磁性层、以及夹在所述磁畴壁移动层与所述铁磁性层之间的非磁性层。所述脉冲施加装置在不同的时刻输出第一脉冲和第二脉冲。所述第一脉冲以及所述第二脉冲的电压均是能够得到使所述磁畴壁移动层的磁畴壁移动所需的临界电流密度以上的电流密度的电压。所述第二脉冲其电压比所述第一脉冲的电压大、或其脉冲长度比所述第一脉冲的脉冲长度长。所述脉冲施加装置在每输出规定次数的所述第一脉冲时、或以规定概率输出所述第二脉冲。
6、第二方式的磁阵列具有多个磁阻效应元件以及对所述多个磁阻效应元件中的至少一个施加脉冲的脉冲施加装置。所述多个磁阻效应元件分别具有磁畴壁移动层、铁磁性层、以及夹在所述磁畴壁移动层与所述铁磁性层之间的非磁性层。所述脉冲施加装置在以恒定的脉冲间隔输出第一脉冲后，以比所述恒定的脉冲间隔短的脉冲间隔输出第二脉冲。所述脉冲施加装置在每输出规定次数的所述第一脉冲时、或以规定概率输出所述第二脉冲。所述第一脉冲以及所述第二脉冲的电压均是能够得到使所述磁畴壁移动层的磁畴壁移动所需的临界电流密度以上的电流密度的电压。
7、第三方式的磁阵列具有多个磁阻效应元件以及对所述多个磁阻效应元件中的至少一个施加脉冲的脉冲施加装置。所述多个磁阻效应元件分别具有磁畴壁移动层、铁磁性层、以及夹在所述磁畴壁移动层与所述铁磁性层之间的非磁性层。所述脉冲施加装置在不同的时刻输出学习脉冲和捕获逃逸脉冲。所述学习脉冲以及所述捕获逃逸脉冲的电压均是能够得到使所述磁畴壁移动层的磁畴壁移动所需的临界电流密度以上的电流密度的电压。所述捕获逃逸脉冲的电压比所述学习脉冲的电压大、或所述捕获逃逸脉冲的脉冲长度比所述学习脉冲的脉冲长度长。
8、第四方式的磁阵列的动作方法具有：向多个磁阻效应元件施加第一脉冲的工序；以及在每施加规定次数的所述第一脉冲时、或以规定概率向所述多个磁阻效应元件施加第二脉冲的工序。所述多个磁阻效应元件分别具有磁畴壁移动层、铁磁性层、以及夹在所述磁畴壁移动层与所述铁磁性层之间的非磁性层。所述第一脉冲以及所述第二脉冲的电压均是能够得到使所述磁畴壁移动层的磁畴壁移动所需的临界电流密度以上的电流密度的电压。所述第二脉冲其电压比所述第一脉冲的电压大、或其脉冲长度比所述第一脉冲的脉冲长度长。
9、第五方式的磁阵列的动作方法具有：向多个磁阻效应元件施加第一脉冲的工序；以及在每施加规定次数的所述第一脉冲时、或以规定概率向多个磁阻效应元件施加第二脉冲的工序。所述多个磁阻效应元件分别具有磁畴壁移动层、铁磁性层、以及夹在所述磁畴壁移动层与所述铁磁性层之间的非磁性层。所述第一脉冲以恒定的脉冲间隔施加，以比所述恒定的脉冲间隔短的脉冲间隔施加第二脉冲。所述第一脉冲以及所述第二脉冲的电压均是能够得到使所述磁畴壁移动层的磁畴壁移动所需的临界电流密度以上的电流密度的电压。
10、第六方式的磁阵列的动作程序使计算机执行如下步骤：向多个磁阻效应元件施加第一脉冲的第一步骤；以及在每施加规定次数的所述第一脉冲时、或以规定概率向多个磁阻效应元件施加第二脉冲的第二步骤。所述多个磁阻效应元件分别具有磁畴壁移动层、铁磁性层、以及夹在所述磁畴壁移动层与所述铁磁性层之间的非磁性层。所述第一脉冲以及所述第二脉冲的电压均是能够得到使所述磁畴壁移动层的磁畴壁移动所需的临界电流密度以上的电流密度的电压。所述第二脉冲其电压比所述第一脉冲的电压大、或其脉冲长度比所述第一脉冲的脉冲长度长。
11、第七方式的磁阵列的动作程序使计算机执行如下步骤：向多个磁阻效应元件施加第一脉冲的第一步骤；以及在每施加规定次数的所述第一脉冲时、或以规定概率向多个磁阻效应元件施加第二脉冲的第二步骤。所述多个磁阻效应元件分别具有磁畴壁移动层、铁磁性层、以及夹在所述磁畴壁移动层与所述铁磁性层之间的非磁性层。动作程序指示以恒定的脉冲间隔施加所述第一脉冲，指示以比所述恒定的脉冲间隔短的脉冲间隔施加第二脉冲。所述第一脉冲以及所述第二脉冲的电压均是能够得到使所述磁畴壁移动层的磁畴壁移动所需的临界电流密度以上的电流密度的电压。
12、（三）有益效果
13、根据上述方式的磁阵列、磁阵列的控制方法以及磁阵列的动作程序，磁阵列的动作简便地稳定化。
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1.一种磁阵列，其具有：
2.根据权利要求1所述的磁阵列，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的磁阵列，其特征在于，
4.根据权利要求1~3中任一项所述的磁阵列，其特征在于，
5.根据权利要求1~4中任一项所述的磁阵列，其特征在于，
6.根据权利要求1~5中任一项所述的磁阵列，其特征在于，
7.根据权利要求1~6中任一项所述的磁阵列，其特征在于，
8.根据权利要求1~7中任一项所述的磁阵列，其特征在于，
9.根据权利要求1~8中任一项所述的磁阵列，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的磁阵列，其特征在于，
11.一种磁阵列，其具有：
12.一种磁阵列，其具有：
13.一种磁阵列的动作方法，其具有：
14.根据权利要求13所述的磁阵列的动作方法，其特征在于，
15.根据权利要求13或14所述的磁阵列的动作方法，其特征在于，
16.根据权利要求13~15中任一项所述的磁阵列的动作方法，其特征在于，p>
17.根据权利要求13~16中任一项所述的磁阵列的动作方法，其特征在于，
18.一种磁阵列的动作方法，其具有：
19.一种磁阵列的动作程序，其使计算机执行如下步骤：
20.根据权利要求19所述的磁阵列的动作程序，其特征在于，
21.根据权利要求19或20所述的磁阵列的动作程序，其特征在于，
22.根据权利要求19~21中任一项所述的磁阵列的动作程序，其特征在于，
23.根据权利要求19~22中任一项所述的磁阵列的动作程序，其特征在于，
24.一种磁阵列的动作程序，其使计算机执行如下步骤：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种磁阵列，其具有：
2.根据权利要求1所述的磁阵列，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的磁阵列，其特征在于，
4.根据权利要求1~3中任一项所述的磁阵列，其特征在于，
5.根据权利要求1~4中任一项所述的磁阵列，其特征在于，
6.根据权利要求1~5中任一项所述的磁阵列，其特征在于，
7.根据权利要求1~6中任一项所述的磁阵列，其特征在于，
8.根据权利要求1~7中任一项所述的磁阵列，其特征在于，
9.根据权利要求1~8中任一项所述的磁阵列，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的磁阵列，其特征在于，
11.一种磁阵列，其具有：
12.一种磁阵列，其具有：
13.一种磁阵列的动作方法，其具有：
14.根据权利要求13...
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