System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 样本深度量测装置与方法制造方法及图纸_技高网

样本深度量测装置与方法制造方法及图纸

技术编号:42913191 阅读:8 留言:0更新日期:2024-10-11 15:43
一种样本深度量测装置与方法,样本深度量测装置包括光源单元、光调变单元、光谱感测单元、影像感测单元及处理单元。光源单元投射第一光路至样本并接收从该样本反射的第二光路。光调变单元倾斜该第二光路而变成第三光路或第四光路。光谱感测单元接收第三光路以撷取对应这些微米结构的光谱。影像感测单元接收第四光路以撷取对应该样本的量测影像。处理单元于该量测影像上识别这些微米结构的至少一个的位置时,该处理单元就该识别的区域量测来自该光谱上这些微米结构的至少一个所具有的深度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种样本深度量测装置与方法,特别是关于一种量测微米结构所具有的深度的样本深度量测装置与方法。


技术介绍

1、目前在半导体制程上,目前的反射仪以孔镜(hole mirror)量测的样本通常是具有深度的微米结构(简称微结构),像是硅穿孔(through-silicon via,tsv)、沟槽(trench)或重分布制程(redistribution layer,rdl)等。

2、随着硅穿孔的孔径不断缩小且其深宽比不断增高,然而,目前的反射仪以孔镜(hole mirror)量测硅穿孔的深度反而难以进行非破坏性的精确检测。例如,在硅穿孔的孔径是0.1微米以上及10微米以下的范围内(简称小孔径结构)且深宽比是小于60:1之下,以现有的光谱仪量测硅穿孔的深度容易因量测到该硅穿孔与另一硅穿孔之间的表面而取得与该硅穿孔的实际深度不相符的量测结果。尤其是该硅穿孔与另一硅穿孔的间距大于该硅穿孔的孔径(简称低密度结构)时,光谱仪因量测到更多的该表面而无法精准量测该硅穿孔的深度。

3、此外,以现有的光谱仪量测单一孔径的微米结构(简称为单孔微米结构)时,光谱仪大多数量测到是反射该孔径周围表面的光信号而取得与硅穿孔的实际深度不相符的量测结果。

4、于是,依据目前的量测技术,现有的光谱仪仍无法基于反射该微米结构的光信号,确实取得与小孔径结构、低密度结构或单孔微米结构的实际深度相符的量测结果。关于本技术问题,进一步提出较佳的解决方案是当前重要的课题。


技术实现思路

<p>1、有鉴于目前量测技术的不足,本专利技术实施例提供一种样本深度量测装置与方法,借此确实量测与小孔径结构、低密度结构或单孔微米结构的实际深度相符的量测结果。非但如此,本专利技术依旧可以量测大孔径、高密度或多孔径的微米结构而应用在各种制程上。

2、为实现上述目的所采取的主要技术手段,该样本深度量测装置包括光源单元、光调变单元、光谱感测单元、影像感测单元与处理单元。光源单元投射第一光路至样本,并接收从该样本反射的一第二光路。该样本包括多个阵列的微米结构及这些微米结构以外的一表面,且这些微米结构的每一个具有低于该表面的一底部。光调变单元包括多个阵列的光强反射元件,该第二光路经由其中一个或多个光强反射元件倾斜而变成第三光路或第四光路。光谱感测单元接收第三光路以撷取对应这些底部的光谱。影像感测单元接收第四光路以撷取对应样本的量测影像。处理单元耦接该光调变单元、该光谱感测单元及该影像感测单元,于该量测影像上识别这些底部的至少一个的位置时,该处理单元就该识别的区域量测来自该光谱上这些底部的至少一个至该表面的深度。

3、本专利技术提供一种样本深度量测方法包括下列步骤。通过光源单元,投射第一光路至样本,其中该样本包括多个阵列的微米结构及这些微米结构以外的一表面,且这些微米结构的每一个具有低于该表面的一底部,该光源单元接收由这些底部及该表面反射的一第二光路。通过光调变单元所包括的一或多个阵列的光强反射元件,倾斜该第二光路而使该第二光路变成第三光路或第四光路。通过光谱感测单元,接收第三光路,以撷取对应这些底部的光谱。通过影像感测单元,接收第四光路,以撷取对应样本的影像。通过耦接该光调变单元、该光谱感测单元及该影像感测单元的处理单元,识别该量测影像上这些底部的至少一个的位置,并就该识别的区域量测来自该光谱上这些底部的至少一个至该表面的深度。

4、如此一来,本专利技术可以大幅降低表面信号的反射,同时增加底部信号以提高干涉信号的强度,借此确实量测与小孔径结构、低密度结构或单孔微米结构所具有的实际深度相符的量测结果。

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【技术保护点】

1.一种样本深度量测装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1的样本深度量测装置,其特征在于,该光源单元包括:

3.根据权利要求1的样本深度量测装置,其特征在于,该光调变单元还接收对应该样本的一调变影像;

4.根据权利要求3的样本深度量测装置,其特征在于,该光调变单元包括:

5.根据权利要求4的样本深度量测装置,其特征在于,该调变模块包括一微阵列透镜或一硅基液晶。

6.一种样本深度量测方法,其特征在于,包括:

7.根据权利要求6的样本深度量测方法,其特征在于,通过该光源单元,提供该第一光至该样本的步骤包括:

8.根据权利要求6的样本深度量测方法,其特征在于,通过该光调变单元所包括的一或多个阵列的光强反射元件倾斜该第二光路而使该第二光路变成该第三光路或该第四光路的步骤包括:

9.根据权利要求8的样本深度量测方法,其特征在于,该光调变单元接收对应该样本的该调变影像的步骤包括:

10.根据权利要求9的样本深度量测方法,其特征在于,该调变模块包括一微阵列透镜或一硅基液晶。

【技术特征摘要】

1.一种样本深度量测装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1的样本深度量测装置,其特征在于,该光源单元包括:

3.根据权利要求1的样本深度量测装置,其特征在于,该光调变单元还接收对应该样本的一调变影像;

4.根据权利要求3的样本深度量测装置,其特征在于,该光调变单元包括:

5.根据权利要求4的样本深度量测装置,其特征在于,该调变模块包括一微阵列透镜或一硅基液晶。

6.一种样本深度量测方法,其特征在于,包括:

7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:卓嘉弘顾逸霞李正纲
申请(专利权)人:财团法人工业技术研究院
类型:发明
国别省市:

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