【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种样本深度量测装置与方法，特别是关于一种量测微米结构所具有的深度的样本深度量测装置与方法。
技术介绍
1、目前在半导体制程上，目前的反射仪以孔镜(hole mirror)量测的样本通常是具有深度的微米结构(简称微结构)，像是硅穿孔(through-silicon via,tsv)、沟槽(trench)或重分布制程(redistribution layer,rdl)等。
2、随着硅穿孔的孔径不断缩小且其深宽比不断增高，然而，目前的反射仪以孔镜(hole mirror)量测硅穿孔的深度反而难以进行非破坏性的精确检测。例如，在硅穿孔的孔径是0.1微米以上及10微米以下的范围内(简称小孔径结构)且深宽比是小于60:1之下，以现有的光谱仪量测硅穿孔的深度容易因量测到该硅穿孔与另一硅穿孔之间的表面而取得与该硅穿孔的实际深度不相符的量测结果。尤其是该硅穿孔与另一硅穿孔的间距大于该硅穿孔的孔径(简称低密度结构)时，光谱仪因量测到更多的该表面而无法精准量测该硅穿孔的深度。
3、此外，以现有的光谱仪量测单一孔径的微米结构(简称为单孔微米结构)时，光谱仪大多数量测到是反射该孔径周围表面的光信号而取得与硅穿孔的实际深度不相符的量测结果。
4、于是，依据目前的量测技术，现有的光谱仪仍无法基于反射该微米结构的光信号，确实取得与小孔径结构、低密度结构或单孔微米结构的实际深度相符的量测结果。关于本技术问题，进一步提出较佳的解决方案是当前重要的课题。
技术实现思路
<...【技术保护点】
1.一种样本深度量测装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1的样本深度量测装置，其特征在于，该光源单元包括：
3.根据权利要求1的样本深度量测装置，其特征在于，该光调变单元还接收对应该样本的一调变影像；
4.根据权利要求3的样本深度量测装置，其特征在于，该光调变单元包括：
5.根据权利要求4的样本深度量测装置，其特征在于，该调变模块包括一微阵列透镜或一硅基液晶。
6.一种样本深度量测方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6的样本深度量测方法，其特征在于，通过该光源单元，提供该第一光至该样本的步骤包括：
8.根据权利要求6的样本深度量测方法，其特征在于，通过该光调变单元所包括的一或多个阵列的光强反射元件倾斜该第二光路而使该第二光路变成该第三光路或该第四光路的步骤包括：
9.根据权利要求8的样本深度量测方法，其特征在于，该光调变单元接收对应该样本的该调变影像的步骤包括：
10.根据权利要求9的样本深度量测方法，其特征在于，该调变模块包括一微阵列透镜或一硅基液晶。
【技术特征摘要】
1.一种样本深度量测装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1的样本深度量测装置，其特征在于，该光源单元包括：
3.根据权利要求1的样本深度量测装置，其特征在于，该光调变单元还接收对应该样本的一调变影像；
4.根据权利要求3的样本深度量测装置，其特征在于，该光调变单元包括：
5.根据权利要求4的样本深度量测装置，其特征在于，该调变模块包括一微阵列透镜或一硅基液晶。
6.一种样本深度量测方法，其特征在于，包括：
7.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：卓嘉弘，顾逸霞，李正纲，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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