【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏电池，尤其是涉及一种用于pecvd镀膜的石墨舟组及太阳能电池。
技术介绍
1、近年来，利用镍、铜等金属电镀或光诱导电镀的太阳能金属化方法替代银浆丝网印刷，大幅减少了太阳能电池制造对银的需求。
2、然而，目前在电镀金属电极之前的晶硅半成品电池，其表面的氮化硅绝缘膜层是使用管式pecvd(等离子体增强化学气相沉积)的方法进沉积的。在实际生产过程中，需将待加工硅片正反面(np面)分前后两次分别面向外置于石墨舟上，送入pecvd设备进行加工。因石墨舟上设计有若干卡点用于固定硅片，上述镀膜工序加工完成后，硅片位于卡点位置存在小面积的卡点遮挡区未镀膜或镀膜明显偏薄，一般称为“卡点印”。在后续基于镍、铜等金属电镀或光诱导电镀的太阳能金属化工艺中，“卡点印”处因裸露硅基材漏电，或镀膜过薄漏电，造成“卡点印”处意外镀上镍铜等栅线金属化所用金属，造成所制光伏电池在卡点印处发生漏电，导致产品性能劣化甚至失效。
3、因此，研究开发出一种用于pecvd镀膜的石墨舟组，以优化pecvd镀膜过程中氮化硅膜层的覆盖，从而解决后续电镀工艺在“卡点印”处漏电导致的太阳能电池质量问题，变得十分必要和迫切。
4、有鉴于此，特提出本专利技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种用于pecvd镀膜的石墨舟组以及利用该石墨舟组沉积制备的太阳能电池正面和背面的氮化硅绝缘膜层的方法。所述石墨舟组将原先电池正背面两次镀膜使用相同的石墨舟改为两面使用不同的石墨舟，使正背
2、为了实现本专利技术的上述目的，特采用以下技术方案：
3、本专利技术提供的一种用于pecvd镀膜的石墨舟组，所述石墨舟组包括：第一石墨舟和第二石墨舟；
4、所述第一石墨舟上设置若干卡点，用于固定基片的一面；
5、所述第二石墨舟上设置若干卡点，用于固定基片的另一面；
6、所述第一石墨舟上的若干卡点与第二石墨舟上的若干卡点错位设置。
7、进一步的，所述第一石墨舟上的若干卡点与第二石墨舟上的若干卡点顺次错位设置。
8、进一步的，所述第一石墨舟上的各卡点与第二石墨舟上的各卡点的错位距离≥5mm，以正背卡点印不互相干涉为准，满足此条件后卡点位置可根据机台自动化方案设计随意位置。
9、进一步的，所述第一石墨舟上设置的若干卡点为每个电池片对应3个；
10、所述第二石墨舟上设置的若干卡点为每个电池片对应3个。
11、进一步的，在某一组石墨舟上各自对应另一石墨舟已经或将会产生卡点印的位置挖一孔洞，使反应气体进入孔洞产生绕镀现象，增厚卡点印处镀膜。挖孔为盲孔或通孔，优选为盲孔，所述盲孔的深度≥0.2mm。
12、进一步的，所述第一石墨舟和第二石墨舟在pecvd镀膜过程中配合使用，其中：
13、所述第一石墨舟用于基片正面的镀膜，所述第二石墨舟用于基片背面的镀膜；
14、或，所述第二石墨舟用于基片正面的镀膜，所述第一石墨舟用于基片背面的镀膜。
15、本专利技术提供的一种上述用于pecvd镀膜的石墨舟组在化学沉积制备太阳能电池的氮化硅绝缘膜层中的应用。
16、本专利技术提供的一种太阳能电池，所述太阳能电池正面和背面的氮化硅绝缘膜层主要由上述用于pecvd镀膜的石墨舟组经化学沉积制备得到。
17、本专利技术提供的一种太阳能电池的氮化硅绝缘膜层沉积方法，所述沉积方法包括：提供待沉积中间体硅片，随后采用上述石墨舟组对中间体硅片进行氮化硅绝缘膜层沉积；
18、其中：将电池中间体硅片装载于第一石墨舟上进行膜层沉积，得到一面沉积氮化硅绝缘膜层的电池中间体硅片；随后将电池中间体硅片装载于第二石墨舟上进行膜层沉积，在中间体硅片的另一面上沉积氮化硅绝缘膜层，得到双面面沉积氮化硅绝缘膜层的电池中间体硅片。
19、更进一步的，所述太阳能电池的氮化硅绝缘膜层沉积方法包括：
20、(a)提供待沉积氮化硅绝缘膜层的电池中间体硅片，在电池中间体硅片的一面上标记第一石墨舟的卡点位置，记作第一硅片面；所述第一硅片面为电池中间体硅片的正面或背面；
21、和，在电池中间体硅片的另一面上标记第二石墨舟的卡点位置，记作第二硅片面；所述第二硅片面为电池中间体硅片的正面或背面；
22、(b)针对第二硅片面上标记的卡点位置在第一石墨舟上挖孔，随后将电池中间体硅片装载于第一石墨舟上，引入pecvd真空镀膜机的炉管中，在第一硅片面上沉积氮化硅绝缘膜层，得到第一硅片面镀膜的电池中间体硅片；
23、此时电池片在第二硅片面上，与第二石墨舟对应的卡点印位置上因绕镀产生局部小面积镀膜。
24、(c)针对第一硅片面上标记的卡点位置在第二石墨舟上挖孔，随后将电池中间体硅片装载于第二石墨舟上，引入pecvd真空镀膜机的炉管中，在第二硅片面上沉积氮化硅绝缘膜层，得到双面镀膜的太阳能电池。
25、此时在电池片第一硅片面上，与第一石墨舟对应的卡点印位置上因绕镀产生局部小面积镀膜，弥补了第一石墨舟镀膜时卡点印镀膜偏薄问题。
26、进一步的，所述步骤(b)中第一石墨舟上的挖孔为盲孔或通孔，优选为盲孔；
27、优选地，所述步骤(c)中第二石墨舟上的挖孔为盲孔或通孔，优选为盲孔。
28、进一步的，所述盲孔的深度≥0.2mm。
29、与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
30、本专利技术提供的一种用于pecvd镀膜的石墨舟组，所述石墨舟组包括：第一石墨舟和第二石墨舟；其中：所述第一石墨舟上设置若干卡点用于固定基片的一面；所述第二石墨舟上设置若干卡点用于固定基片的另一面；所述第一石墨舟上的若干卡点与第二石墨舟上的若干卡点错位设置。
31、针对于现有太阳能电池基片在pecvd镀膜完成后，硅片的卡点位置存在小面积的卡点遮挡区未镀膜或镀膜明显偏薄，所形成的“卡点印”，本申请修改了现有石墨舟的卡点位置的设计，将原先电池正背面两次镀膜使用相同的石墨舟改为正背面专用的不同石墨舟，使正背两次镀膜的卡点位置没有机会在硅片的侧立面上重合于同一点，进而可以在pecvd镀膜过程中，优化了氮化硅膜层的覆盖，使“卡点印”处的绝缘膜层增厚，从而解决后续电镀工艺在“卡点印”处漏电导致的太阳能电池质量问题。
32、本专利技术提供的上述用于pecvd镀膜的石墨舟组可以广泛应用于化学沉积制备太阳能电池氮化硅绝缘膜层的制备过程中。
33、本专利技术提供的一种太阳能电池，该太阳能电池正面和背面的氮化硅绝缘膜层主要由上述用于pecvd镀膜的石墨舟组经化学沉积制备得到。由于本申请镀膜过程本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于PECVD镀膜的石墨舟组，其特征在于，所述石墨舟组包括：第一石墨舟和第二石墨舟；
2.根据权利要求1所述的石墨舟组，其特征在于，所述第一石墨舟上的若干卡点与第二石墨舟上的若干卡点顺次错位设置。
3.根据权利要求1所述的石墨舟组，其特征在于，所述第一石墨舟上的各卡点与第二石墨舟上的各卡点的错位距离≥5mm，以正背卡点印不互相干涉为准，满足此条件后卡点位置可根据机台自动化方案设计随意位置。
4.根据权利要求1所述的石墨舟组，其特征在于，所述第一石墨舟上设置的若干卡点为每个电池片对应3个；
5.根据权利要求1所述的石墨舟组，其特征在于，所述第一石墨舟和第二石墨舟在PECVD镀膜过程中配合使用，其中：
6.一种根据权利要求1～5任一项所述的石墨舟组在化学沉积制备太阳能电池的氮化硅绝缘膜层中的应用。
7.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池正面和背面的氮化硅绝缘膜层主要由权利要求1～5任一项所述的石墨舟组经化学沉积制备得到。
8.一种根据权利要求7所述太阳能电池的氮化硅绝缘膜层沉积方法，其
9.根据权利要求8所述的太阳能电池的氮化硅绝缘膜层沉积方法，其特征在于，所述沉积方法还包括：
10.根据权利要求9所述太阳能电池的氮化硅绝缘膜层沉积方法，其特征在于，所述步骤(B)中第一石墨舟上的挖孔为盲孔或通孔，优选为盲孔；
...【技术特征摘要】
1.一种用于pecvd镀膜的石墨舟组，其特征在于，所述石墨舟组包括：第一石墨舟和第二石墨舟；
2.根据权利要求1所述的石墨舟组，其特征在于，所述第一石墨舟上的若干卡点与第二石墨舟上的若干卡点顺次错位设置。
3.根据权利要求1所述的石墨舟组，其特征在于，所述第一石墨舟上的各卡点与第二石墨舟上的各卡点的错位距离≥5mm，以正背卡点印不互相干涉为准，满足此条件后卡点位置可根据机台自动化方案设计随意位置。
4.根据权利要求1所述的石墨舟组，其特征在于，所述第一石墨舟上设置的若干卡点为每个电池片对应3个；
5.根据权利要求1所述的石墨舟组，其特征在于，所述第一石墨舟和第二石墨舟在pecvd镀膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋楠，钱明明，俞超，
申请(专利权)人：环晟光伏江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：
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