【技术实现步骤摘要】
本技术涉及低压化学气相沉积设备，尤其涉及低压化学气相沉积设备清洗系统。
技术介绍
1、通常采用卧式lpcvd(low pressure cvd，低压化学气相沉积)设备实现topcon(tunnel oxide passivated contact，隧穿氧化层钝化接触)等电池隧穿氧化层和本征多晶硅的镀膜工艺。lpcvd设备包括炉管，lpcvd设备在沉积过程中，炉管内壁会沉积一层硅类薄膜，且随着工艺次数的增多，硅类薄膜会越来越厚，从而影响镀膜质量。
2、目前，炉管内壁沉积的硅类薄膜清洗的方式为：先将炉管从lpcvd设备中拆卸下来，之后采用hf酸(氢氟酸)或hf酸加hno3(硝酸)腐蚀炉管内壁，然后用大量去离子水冲洗，之后还需进行烘干。然而，上述清洗过程复杂，通常一根炉管的清洗周期可以达到15天，清洗效率低，且费时费力。
技术实现思路
1、本技术提供一种低压化学气相沉积设备清洗系统及切割设备，旨在至少解决现有技术中lpcvd设备中的炉管清洗效率低的问题。
2、本技术实施例提供了一种低压化学气相沉积设备清洗系统，包括低压化学气相沉积设备和与所述低压化学气相沉积设备相连的清洗装置，所述低压化学气相沉积设备包括炉管；
3、所述清洗装置包括真空泵、清洗气体供给器、感应线圈和电源，所述真空泵和所述清洗气体供给器均与所述炉管相连通，所述感应线圈与所述电源电连接，所述感应线圈设置在所述炉管上，所述感应线圈包括多个线圈匝，所述感应线圈中两端的两个线圈匝分别位于所述炉管
4、可选地，所述感应线圈设置在所述炉管内部，所述感应线圈的两端穿过所述炉管与所述电源电连接。
5、可选地，所述感应线圈沿所述炉管的长度方向绕设在所述炉管的外壁上。
6、可选地，所述清洗装置还包括所述电源和所述清洗气体供给器均相连的控制机，所述清洗气体供给器用于提供清洗气体至所述炉管内，所述控制机用于调控所述清洗气体参数和所述电源的参数。
7、可选地，所述清洗装置还包括与所述电源相连的阻抗匹配器。
8、可选地，所述真空泵具有抽气口和排气口，所述清洗装置还包括与所述真空泵的抽气口相连的第一管道，所述炉管具有相对设置的第一端和第二端，所述炉管的第一端上设置有第一连接口，所述第一连接口与所述第一管道远离所述真空泵的一端可拆卸连接。
9、可选地，所述清洗装置还包括与所述清洗气体供给器相连的第二管道，所述炉管的第二端上设置有第二连接口，所述第二连接口与所述第二管道远离所述清洗气体供给器的一端可拆卸连接。
10、可选地，所述清洗装置还包括与所述真空泵的排气口相连的尾气处理器。
11、可选地，所述清洗气体包括四氟化碳气体、氟气、氯气中的至少一种。
12、可选地，所述第一管道上连接有真空计，所述真空计与所述控制机电连接。
13、本技术实施例中，清洗低压化学气相沉积设备中的炉管时，通过清洗气体供给器向炉管内充入清洗气体，电源为感应线圈供电，感应线圈通电在炉管内产生交变磁场，从而引起感应电场，感应电场将炉管内充入的清洗气体电离，产生等离子体，等离子体与炉管内壁的硅沉积物发生化学反应，以清洗掉炉管内壁的硅沉积物，真空泵将反应生成物和未发生反应的清洗气体从炉管内抽出。
14、本技术实施例中，通过与低压化学气相沉积设备本身相连的清洗装置即可实现炉管的清洗，无需拆下炉管，免去了不必要的人工操作，清洗过程简单，清洗方式便捷，提高了清洗效率；此外，由于清洗炉管时无需拆下炉管，避免了拆装过程中对炉管的损伤，保证了炉管的持续利用，实现了在不损伤炉管的基础上快速实现炉管的清洗。
15、上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本技术的具体实施方式。
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1.一种低压化学气相沉积设备清洗系统，其特征在于，包括低压化学气相沉积设备和与所述低压化学气相沉积设备相连的清洗装置，所述低压化学气相沉积设备包括炉管；
2.根据权利要求1所述的低压化学气相沉积设备清洗系统，其特征在于，所述感应线圈设置在所述炉管内部，所述感应线圈的两端穿过所述炉管与所述电源电连接。
3.根据权利要求1所述的低压化学气相沉积设备清洗系统，其特征在于，所述感应线圈沿所述炉管的长度方向绕设在所述炉管的外壁上。
4.根据权利要求1至3任一项所述的低压化学气相沉积设备清洗系统，其特征在于，所述清洗装置还包括所述电源和所述清洗气体供给器均相连的控制机，所述清洗气体供给器用于提供清洗气体至所述炉管内，所述控制机用于调控所述清洗气体参数和所述电源的参数。
5.根据权利要求1至3任一项所述的低压化学气相沉积设备清洗系统，其特征在于，所述清洗装置还包括与所述电源相连的阻抗匹配器。
6.根据权利要求4所述的低压化学气相沉积设备清洗系统，其特征在于，所述真空泵具有抽气口和排气口，所述清洗装置还包括与所述真空泵的抽气口相连的第一
7.根据权利要求6所述的低压化学气相沉积设备清洗系统，其特征在于，所述清洗装置还包括与所述清洗气体供给器相连的第二管道，所述炉管的第二端上设置有第二连接口，所述第二连接口与所述第二管道远离所述清洗气体供给器的一端可拆卸连接。
8.根据权利要求6所述的低压化学气相沉积设备清洗系统，其特征在于，所述清洗装置还包括与所述真空泵的排气口相连的尾气处理器。
9.根据权利要求4所述的低压化学气相沉积设备清洗系统，其特征在于，所述清洗气体包括四氟化碳气体、氟气、氯气中的至少一种。
10.根据权利要求6所述的低压化学气相沉积设备清洗系统，其特征在于，所述第一管道上连接有真空计，所述真空计与所述控制机电连接。
...【技术特征摘要】
1.一种低压化学气相沉积设备清洗系统，其特征在于，包括低压化学气相沉积设备和与所述低压化学气相沉积设备相连的清洗装置，所述低压化学气相沉积设备包括炉管；
2.根据权利要求1所述的低压化学气相沉积设备清洗系统，其特征在于，所述感应线圈设置在所述炉管内部，所述感应线圈的两端穿过所述炉管与所述电源电连接。
3.根据权利要求1所述的低压化学气相沉积设备清洗系统，其特征在于，所述感应线圈沿所述炉管的长度方向绕设在所述炉管的外壁上。
4.根据权利要求1至3任一项所述的低压化学气相沉积设备清洗系统，其特征在于，所述清洗装置还包括所述电源和所述清洗气体供给器均相连的控制机，所述清洗气体供给器用于提供清洗气体至所述炉管内，所述控制机用于调控所述清洗气体参数和所述电源的参数。
5.根据权利要求1至3任一项所述的低压化学气相沉积设备清洗系统，其特征在于，所述清洗装置还包括与所述电源相连的阻抗匹配器。
6.根据权利要求4所述的低压化学气相沉积设...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱永宁，李广旭，杨乐，陈博，姚亮博，韩晓兰，刘学文，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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