【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电容元件及半导体装置。
技术介绍
1、作为半导体集成电路中使用的电容元件，例如可列举：平板状的电极对所形成的结构的金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，mim)电容、利用了梳形结构的电极所形成的配线间电容的金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal，mom)电容等。mom电容若与mim电容相比较，则具有如下等的优点：可实现微小的电容值，并可随着工艺的微细化而提高电容密度。
2、mom电容多数情况下为在后道工艺(back end of line，beol)工序中形成于多个配线层的梳形结构的电容器结构体。在此种电容器结构体中，提出了如下技术：在周围设置屏蔽电极而对电容器结构体的电极之间的电场进行遮蔽从而抑制不期望的静电耦合，以不产生不需要的寄生电容(例如，参照专利文献1)。另外，提出了如下技术：通过将在面内方向上的电场中进行静电耦合的梳形结构的电极对设为在俯视时呈同心圆状配置的闭环形状，可不需要侧面的屏蔽电极(例如，参照专利文献2)。
3、[现有技术文献]
4、[专利文献]
5、[专利文献1]日本专利特开2005-197396号公报
6、[专利文献2]日本专利特开2017-76829号公报
技术实现思路
1、[专利技术所要解决的问题]
2、在本专利技术的一个方面，其目的在于提供一种可抑制因施加电压而引起的电容值变动的电容元件。
3、[解决问题的技术
4、本专利技术的一实施方式的电容元件具有：
5、半导体基板；
6、电容器结构体，形成于所述半导体基板的上方；以及
7、遮蔽层，形成于所述半导体基板与所述电容器结构体之间，并与所述半导体基板电性连接。
8、在所述电容元件中，所述电容器结构体中的一对电极分别为第一电位及第二电位，所述半导体基板及所述遮蔽层为第三电位。
9、在所述电容元件中，所述电容器结构体在面内方向上的电场中进行静电耦合而产生主电容。
10、在所述电容元件中，所述遮蔽层形成为在俯视时以包围所述电容器结构体的周围的方式与所述电容器结构体重合。
11、在所述电容元件中，在所述半导体基板上形成热氧化膜，所述遮蔽层为形成于所述热氧化膜上的导电性多晶硅层。
12、在所述电容元件中，在所述半导体基板的表面，在所述遮蔽层的下方形成有阱区域。
13、在所述电容元件中，所述阱区域形成为在俯视时以包围所述遮蔽层的周围的方式与所述遮蔽层重合。
14、在所述电容元件中，所述半导体基板的导电型为p型，所述导电性多晶硅层及所述阱区域的导电型均为n型。
15、在所述电容元件中，所述电容器结构体中的一对电极分别为第一电位及第二电位，所述阱区域及所述遮蔽层为第三电位，所述第三电位的范围为所述第一电位与所述第二电位之间。
16、本专利技术的一实施方式的半导体装置，具有所述电容元件。
17、[专利技术的效果]
18、根据本专利技术的一个方面，其目的在于提供一种可抑制因施加电压而引起的电容值变动的电容元件。
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1.一种电容元件，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的电容元件，其中，所述电容器结构体中的一对电极分别为第一电位及第二电位，
3.根据权利要求1所述的电容元件，其中，所述电容器结构体在面内方向上的电场中进行静电耦合而产生主电容。
4.根据权利要求1所述的电容元件，其中，所述遮蔽层形成为在俯视时以包围所述电容器结构体的周围的方式与所述电容器结构体重合。
5.根据权利要求1所述的电容元件，其中，在所述半导体基板上形成热氧化膜，
6.根据权利要求1所述的电容元件，其中，在所述半导体基板的表面，在所述遮蔽层的下方形成有阱区域。
7.根据权利要求6所述的电容元件，其中，所述阱区域形成为在俯视时以包围所述遮蔽层的周围的方式与所述遮蔽层重合。
8.根据权利要求6所述的电容元件，其中，所述半导体基板的导电型为P型，所述导电性多晶硅层及所述阱区域的导电型均为N型。
9.根据权利要求8所述的电容元件，其中，所述电容器结构体中的一对电极分别为第一电位及第二电位，
10.一种半导体装置，具
...【技术特征摘要】
1.一种电容元件，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的电容元件，其中，所述电容器结构体中的一对电极分别为第一电位及第二电位，
3.根据权利要求1所述的电容元件，其中，所述电容器结构体在面内方向上的电场中进行静电耦合而产生主电容。
4.根据权利要求1所述的电容元件，其中，所述遮蔽层形成为在俯视时以包围所述电容器结构体的周围的方式与所述电容器结构体重合。
5.根据权利要求1所述的电容元件，其中，在所述半导体基板上形成热氧化膜，
6.根据权利要求1所述...
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