【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及电子部件和电子部件的制造方法。
技术介绍
1、专利文献1所记载的电子部件具备主体、覆盖主体的外表面的保护材料和覆盖保护材料的外表面的一部分的外部电极。主体为多孔质，内部具有空隙。另外，专利文献1公开了玻璃膜作为保护材料的一个例子。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本专利第6034553号公报
技术实现思路
1、专利文献1公开的作为保护材料的玻璃膜在该玻璃膜的制造过程中容易残留在主体的外表面。因此，难以用玻璃填充主体内部的空隙。其结果，在主体内部容易残留空隙，容易以空隙为起点在主体产生裂纹等。
2、为了解决上述问题，本公开的一个方式是一种电子部件，其具有主体、覆盖上述主体的外表面的一部分或全部的保护材料、以及覆盖上述保护材料的外表面的一部分的外部电极，上述主体在内部具有多个空隙，上述保护材料是包含具有碳原子数为3以上的碳链的硅烷化合物的玻璃，且具有填充于至少一部分的上述空隙的填充部和覆盖上述主体的外表面的膜部。
3、另外，本公开的一个方式是一种电子部件的制造方法，其具备：主体准备工序，准备内部具有多个空隙的主体；主体投入工序，向反应容器内投入上述主体；溶液投入工序，向上述反应容器内投入包含金属醇盐或金属醇盐前体以及具有碳原子数为3以上的碳链的硅烷化合物的溶液；以及保护材料形成工序，在上述主体的外表面使上述金属醇盐水解和脱水缩合，且形成由填充多个上述空隙的填充部和覆盖上述主体的外表面的膜部构成的保护
4、根据上述构成，保护材料是包含硅烷化合物的玻璃。而且，由于该硅烷化合物具有碳原子数为3以上的碳链，所以在保护材料的制造过程中玻璃容易进入主体内部的空隙。其结果，保护材料不仅具有覆盖主体的外表面的膜部，而且具有填充于空隙的填充部。这样，如果在主体的空隙中填充有作为保护材料的一部分的填充部，则能够防止以主体中的空隙为起点在主体产生裂纹等。
5、通过填充主体内部的空隙，能够提高主体的强度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种电子部件，具有主体、覆盖所述主体的外表面的一部分或全部的保护材料以及覆盖所述保护材料的外表面的一部分的外部电极，
2.根据权利要求1所述的电子部件，其中，所述膜部的厚度的平均值为20nm～1000nm。
3.根据权利要求1或2所述的电子部件，其中，所述填充部的总体积相对于所述主体的体积的比例为0.5％～2.5％。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的电子部件，其中，所述膜部的外表面的算术平均粗糙度为6nm～100nm。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的电子部件，其中，所述外部电极包含树脂。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的电子部件，其中，所述保护材料填埋最接近所述主体的几何中心的位置的所述空隙。
7.一种电子部件的制造方法，具备：
8.根据权利要求7所述的电子部件的制造方法，其中，在所述溶液投入工序或所述保护材料形成工序中，所述硅烷化合物具有选自环氧基、巯基、氨基、乙烯基、甲基丙烯酸基中的一种以上的官能团。
9.根据权利要求7或8所述的电子部件的制造方法，其中，所述金属
10.根据权利要求7～9中任一项所述的电子部件的制造方法，具备：
11.根据权利要求7～10中任一项所述的电子部件的制造方法，其中，在所述保护材料形成工序中，将附着于所述主体的外表面的包含所述金属醇盐和所述硅烷化合物的溶液在140℃～160℃的温度下烧成。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电子部件，具有主体、覆盖所述主体的外表面的一部分或全部的保护材料以及覆盖所述保护材料的外表面的一部分的外部电极，
2.根据权利要求1所述的电子部件，其中，所述膜部的厚度的平均值为20nm～1000nm。
3.根据权利要求1或2所述的电子部件，其中，所述填充部的总体积相对于所述主体的体积的比例为0.5％～2.5％。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的电子部件，其中，所述膜部的外表面的算术平均粗糙度为6nm～100nm。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的电子部件，其中，所述外部电极包含树脂。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的电子部件，其中，所述保护材料填埋最接近所述主...
【专利技术属性】
技术研发人员：坪川大将，大岛知也，星野悠太，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：
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