【技术实现步骤摘要】
本文描述的主题一般而言涉及磁共振的光学检测，更具体而言，涉及用于工业或消费应用的紧凑型odmr传感器。
技术介绍
1、磁共振的光学检测(odmr)是当晶体缺陷在共振频率下经历微波泵浦时，由光信号激发而产生的晶体缺陷的荧光可能会受到磁场存在的影响的技术。由此，基于对被改变的荧光的评估，可以获得磁场的强度和方向的测量结果。odmr关注的特定晶体缺陷是氮空位(nv)中心。
技术实现思路
1、本技术的实施例包括用于测量外部磁场或其它外部刺激的装置。此装置包括：半导体集成电路，包括多个金属层；固态主机(host)，被部署在半导体集成电路上并且包括多个色心；光子集成电路，被部署在固态主机上并且包括光学调制器和光栅阵列，该光子集成电路经由能够传输低于1000nm的光的材料与多个色心进行光通信；微波天线，被形成在半导体集成电路的多个金属层中的第一金属层中；以及光电检测器，与多个色心进行光通信。
2、本技术的实施例包括用于测量外部磁场或其它外部刺激的设备。此设备包括：半导体集成电路，包括永磁体、微波天线和光电检测器；固态主机，被部署在半导体集成电路上并且包括多个色心；光子集成电路，被部署在固态主机上并且包括光学调制器和光栅阵列，该光子集成电路经由适合于传输低于1000nm的光的材料与多个色心进行光通信；以及激光器，被附接到光子集成电路并且生成光信号。
3、本技术的实施例包括用于测量外部磁场或其它外部刺激的装置。此装置包括：固态主机，包括多个色心；光子集成电路，被部署在固态主机
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1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中，能够传输低于1000nm的光的材料是氮化硅或碳化硅。
3.根据权利要求2所述的装置，还包括：在所述多个金属层中的第二金属层中的多个永磁体。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，光学调制器是马赫曾德调制器或环形共振器调制器。
5.根据权利要求3所述的装置，还包括：在所述多个金属层中的第二金属层中的电磁线圈。
6.根据权利要求3所述的装置，其中，光子集成电路被附接到生成光信号的激光器。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，光学调制器与光栅阵列结合允许调节光信号在固态主机上的分布。
8.根据权利要求6所述的装置，其中，激光器经由光纤/球辅助耦合或直接边缘耦合而被耦合到光子集成电路。
9.根据权利要求6所述的装置，其中，激光器经由激光器与芯片集成而被附接。
10.一种设备，包括：
11.根据权利要求10所述的设备，其中，能够传输低于1000nm的光的材料是氮化硅或碳化硅。
12.根据权利要求11所述的
13.根据权利要求11所述的设备，其中，光学调制器是环形共振器调制器。
14.根据权利要求11所述的设备，其中，光学调制器与光栅阵列结合允许调节光信号在固态主机上的分布。
15.根据权利要求11所述的设备，其中，激光器经由光纤/球辅助耦合或直接边缘耦合而被耦合到光子集成电路。
16.一种装置，包括：
17.根据权利要求16所述的装置，其中，能够传输低于1000nm的光的材料是氮化硅或碳化硅。
18.根据权利要求17所述的装置，其中，该装置还包括：在半导体集成电路和固态主机之间的滤光器。
19.根据权利要求18所述的装置，其中，该装置还包括：被部署在光子集成电路上、且在光子集成电路的相对于固态主机的相对侧的反射镜。
20.根据权利要求17所述的装置，其中，半导体集成电路还包括永磁体。
...【技术特征摘要】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中，能够传输低于1000nm的光的材料是氮化硅或碳化硅。
3.根据权利要求2所述的装置，还包括：在所述多个金属层中的第二金属层中的多个永磁体。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，光学调制器是马赫曾德调制器或环形共振器调制器。
5.根据权利要求3所述的装置，还包括：在所述多个金属层中的第二金属层中的电磁线圈。
6.根据权利要求3所述的装置，其中，光子集成电路被附接到生成光信号的激光器。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，光学调制器与光栅阵列结合允许调节光信号在固态主机上的分布。
8.根据权利要求6所述的装置，其中，激光器经由光纤/球辅助耦合或直接边缘耦合而被耦合到光子集成电路。
9.根据权利要求6所述的装置，其中，激光器经由激光器与芯片集成而被附接。
10.一种设备，包括：
11.根据权利要求10所述的设备，其中，能够传输低于...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·D·施马伦贝格，S·P·罗德里格斯，E·M·戴德，
申请(专利权)人：丰田自动车工程及制造北美公司，
类型：发明
国别省市：
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