【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种硒化镉量子点增强的二硫化钼光电探测器，属于光电探测；能够很好的结合二维过渡金属硫化物材料的高迁移率和量子点非常强的光吸收效率，提供了一种非常有效的增强二维材料光电探测器光电响应的新方法。
技术介绍
1、光电探测器是一种能够将光信号转换成电信号的电子器件，是光电系统的重要组成部分。随着信息时代的到来，光电探测器与人们的生活息息相关，极大的促进了社会的进步。光电探测器作为光电设备的核心部件，它的研究与应用不断地推动科学技术的发展。
2、在过去十几年里，二维过渡金属硫化物材料由于其优异的物理特性而被广泛研究。独特的光电性能使得二维过渡金属硫化物在光电探测领域有着巨大的发展潜力。二硫化钼是一种典型二维过渡金属硫化物层状材料，层状二硫化钼的许多优异的物理特性来源于其薄至纳米尺度的厚度。然而，也正是因为这种薄至纳米尺度的厚度限制了它在光电探测领域的发展。因为原子级别的厚度导致其光吸收效率非常低，这是一个亟需解决的问题。
3、解决这个问题的一个有效方法是与其他纳米结构的光敏材料结合，形成复合结构。胶体量子点是一种优异的光吸收和光发射材料，光吸收谱涵盖了紫外到红外波段。同时量子点的光致发光发射量子效率非常高，意味着它能在吸收光子之后非常有效的产生激子。然而，量子点的载流子迁移率却很低，这限制了量子点光电探测器的发展。
技术实现思路
1、本专利技术的目的就是为现有问题提供新的解决思路，得到一种硒化镉量子点增强的二硫化钼光电探测器，相较于现有的可见光电探测器，
2、为了实现上述效果，本专利技术采用的技术方案如下：
3、一种硒化镉量子点增强的二硫化钼光电探测器，包括基底1、二硫化钼2、硒化镉量子点3、源电极4和漏电极5；
4、所述二硫化钼2位于基底上表面；所述硒化镉量子点3、源电极4和漏电极5均位于二硫化钼上表面，源电极4和漏电极5位于硒化镉量子点3两端。
5、进一步的，所述的基底1为绝缘体基片。
6、进一步的，所述基底的材料为热氧化硅片或al2o3晶体基片。
7、进一步的，所述硒化镉量子点粒径为5纳米至8纳米，二硫化钼厚度为0.65纳米至10纳米。
8、进一步的，所述源电极和漏电极的材料均为钛、铬火金中的任意一种金属，厚度在10纳米至100纳米。
9、与现有技术相比，本专利具有如下有益效果：
10、本专利技术所制备的硒化镉量子点增强的二硫化钼光电探测器，单层二硫化钼的混合结构光电探测器效率最高，增益大于1×105，比探测率为～1.2×1012jones，响应率高达3.5×104a/w。与硒化镉量子点结合后，单层混合结构器件的光电流比纯二硫化钼器件的高4600倍。
11、将以上综合起来，本专利技术提供的硒化镉量子点增强的二硫化钼光电探测器，能够很好的结合二维过渡金属硫化物材料的高迁移率和量子点非常强的光吸收效率，提供了一种非常有效的增强二维材料光电探测器光电响应的新方法。
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1.一种硒化镉量子点增强的二硫化钼光电探测器，其特征在于，包括基底(1)、二硫化钼(2)、硒化镉量子点(3)、源电极(4)和漏电极(5)；
2.根据权利要求1所述的一种硒化镉量子点增强的二硫化钼光电探测器，其特征在于，所述的基底(1)为绝缘体基片。
3.根据权利要求1所述的一种硒化镉量子点增强的二硫化钼光电探测器，其特征在于，所述基底的材料为热氧化硅片或Al2O3晶体基片。
4.根据权利要求1所述的一种硒化镉量子点增强的二硫化钼光电探测器，其特征在于，所述硒化镉量子点粒径为5纳米至8纳米，二硫化钼厚度为0.65纳米至10纳米。
5.根据权利要求1所述的一种硒化镉量子点增强的二硫化钼光电探测器，其特征在于，所述源电极和漏电极的材料均为钛、铬火金中的任意一种金属，厚度为10纳米至100纳米。
【技术特征摘要】
1.一种硒化镉量子点增强的二硫化钼光电探测器，其特征在于，包括基底(1)、二硫化钼(2)、硒化镉量子点(3)、源电极(4)和漏电极(5)；
2.根据权利要求1所述的一种硒化镉量子点增强的二硫化钼光电探测器，其特征在于，所述的基底(1)为绝缘体基片。
3.根据权利要求1所述的一种硒化镉量子点增强的二硫化钼光电探测器，其特征在于，所述基底的材料为热氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁栋，周永川，陈谦，常迎辉，沈贵元，武唯康，赵飞，贾世旺，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十四研究所，
类型：发明
国别省市：
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