【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射频微波集成电路，具体而言，涉及一种gaas工艺微波延时电路结构及其工作方法。
技术介绍
1、延时电路的功能是使电磁波在两个端口之间传输时延时一段恒定的时间，用以补偿不同频率引起的相位差。宽带相控阵技术的发展带来对宽带延时器的需求不断增加，宽带、高精度微波单片延时器芯片已广泛应用于现代相控阵雷达系统中。为了减小芯片面积，小延时量延时电路通常采用如图2所示的恒阻延时电路实现延迟量。与传统的单刀双掷开关方式延时器相比，该电路结构紧凑，能实现更低的插入损耗和更小的芯片尺寸，但对小延时量延时电路来说，由于其使用的电容较小，延时量受电容加工精度误差影响较大。
技术实现思路
1、针对上述存在的问题，本专利技术提供一种gaas工艺微波延时电路结构及其工作方法，与传统恒阻延时电路相比，用大尺寸开路微带线等效电容到地，将延时电路使用小尺寸电容转化为使用大尺寸带线，减小了加工精度误差带来的影响；同时从电容制作转为带线制作，降低了工艺制作难度。
2、本专利技术提供的一种gaas工艺微波延时电路结构，包括输入端口抽头、输出端口抽头、第一直通路微带线、第二直通路微带线；
3、输入端口抽头分别经第一直通路微带线和第二直通路微带线连接输出端口抽头；
4、在第一直通路微带线上串联有第一fet开关管；
5、在第二直通路微带线上并联有第二fet开关管和大尺寸开路微带线。
6、一个优选的方案中，所述第一直通路微带线为螺旋线圈。
7、一
8、一个优选的方案中，所述输入端口抽头和输出端口抽头能够互换输入输出。
9、一个优选的方案中，所述gaas工艺微波延时电路结构为平面电路结构。
10、一个优选的方案中，所述大尺寸开路微带线为尺寸≥100um×50um的开路微带线。
11、进一步地，所述gaas工艺微波延时电路结构的工作方法，包括：
12、信号从输入端口抽头进入gaas工艺微波延时电路结构，经第一直通路微带线和第二直通路微带线，由输出端口抽头输出；其中：
13、第一直通路微带线上串联的第一fet开关管导通、第二直通路微带线上并联的第二fet开关管关断时为基准态；
14、第一直通路微带线上串联的第一fet开关管关断、第二直通路微带线上并联的第二fet开关管导通时为延时态。
15、综上所述，由于采用了上述技术方案，本专利技术的有益效果是：
16、本专利技术通过用大尺寸开路微带线等效电容到地，将延时电路使用小尺寸电容转化为使用大尺寸带线，减小了加工精度误差带来的影响，同时从电容制作转为带线制作，降低了工艺制作难度。
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1.一种GaAs工艺微波延时电路结构，其特征在于，包括输入端口抽头(1)、输出端口抽头(2)、第一直通路微带线(3)、第二直通路微带线(4)；
2.根据权利要求1所述的GaAs工艺微波延时电路结构，其特征在于，所述第一直通路微带线(3)为螺旋线圈。
3.根据权利要求1所述的GaAs工艺微波延时电路结构，其特征在于，所述第二直通路微带线(4)为螺旋线圈。
4.根据权利要求1所述的GaAs工艺微波延时电路结构，其特征在于，所述输入端口抽头(1)和输出端口抽头(2)能够互换输入输出。
5.根据权利要求1所述的GaAs工艺微波延时电路结构，其特征在于，所述GaAs工艺微波延时电路结构为平面电路结构。
6.根据权利要求1所述的GaAs工艺微波延时电路结构，其特征在于，所述大尺寸开路微带线为尺寸≥100um×50um的开路微带线。
7.一种如权利要求1-6任一项所述的GaAs工艺微波延时电路结构的工作方法，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种gaas工艺微波延时电路结构，其特征在于，包括输入端口抽头(1)、输出端口抽头(2)、第一直通路微带线(3)、第二直通路微带线(4)；
2.根据权利要求1所述的gaas工艺微波延时电路结构，其特征在于，所述第一直通路微带线(3)为螺旋线圈。
3.根据权利要求1所述的gaas工艺微波延时电路结构，其特征在于，所述第二直通路微带线(4)为螺旋线圈。
4.根据权利要求1所述的gaas工艺微波延时电路结构，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵伟，张坤，卢子焱，刘云刚，张继帆，刘港，钟贵朝，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十九研究所，
类型：发明
国别省市：
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