【技术实现步骤摘要】
本申请涉及有机物材料结合，特别是涉及一种双层绝缘界面晶体形态及其形成过程的观测方法及观测设备。
技术介绍
1、本体绝缘和恢复绝缘是电缆软接头的重要组成部分，他们共同形成电缆软接头的双层绝缘界面，用于防止电流泄露或绝缘损坏，确保电能安全传输。
2、本体绝缘和恢复绝缘的结晶形貌的差异会严重影响电缆软接头的使用性能。因此，如何准确地对电缆软接头双层绝缘界面的结晶形成过程进行观测是当前亟需解决的问题。
技术实现思路
1、基于此，本申请实施例提供了一种双层绝缘界面晶体形态及其形成过程的观测方法及观测设备，可以对第一绝缘片和第二绝缘片相接界面的结晶形态进行动态观测。
2、根据一些实施例，本申请一方面提供了一种双层绝缘界面晶体形态及其形成过程的观测方法，包括：
3、获取第一绝缘片和第二绝缘片，将所述第一绝缘片和所述第二绝缘片平行紧邻放置，并压合于载玻片与盖玻片之间以获得待观测件；
4、将所述待观测件放置于温控器件内部，并控制所述温控器件按照预设温控参数对所述待观测件进行温控，以使所述第一绝缘片与所述第二绝缘片在相接界面完成结晶过程；
5、提供偏光显微镜，将所述偏光显微镜调至偏振光模式；通过所述偏光显微镜在所述温控过程中观察所述第一绝缘片与所述第二绝缘片相接界面的晶体形态及其形成过程。
6、在一些实施例中，所述控制所述温控器件按照预设温控参数对所述待观测件进行温控，包括：
7、控制所述温控器件以预设升温速率从初始温
8、所述预设温控参数包括所述预设升温速率、所述预设时长和所述预设降温速率中的至少一者；所述双层绝缘界面晶体形态及其形成过程的观测方法还包括：
9、控制所述温控器件按照不同的所述预设温控参数对多个所述待观测件分别进行温控，以使每个所述第一绝缘片和对应的所述第二绝缘片完成对应的温控过程；
10、通过所述偏光显微镜在各所述温控过程中观察每个所述第一绝缘片与对应的所述第二绝缘片相接界面的所述结晶形态，根据观察结果得到温度变化对所述结晶形态的影响。
11、在一些实施例中，所述得到温度变化对所述结晶形态的影响之后，所述双层绝缘界面晶体形态及其形成过程的观测方法还包括：
12、根据所述观察结果，获取目标温控参数。
13、在一些实施例中，所述获取第一绝缘片和第二绝缘片，包括：
14、提供待观测电缆软接头；从所述待观测电缆软接头上刨出本体绝缘片和恢复绝缘片，所述本体绝缘片和所述恢复绝缘片分别作为所述第一绝缘片和所述第二绝缘片。
15、在一些实施例中，所述获取第一绝缘片和第二绝缘片，包括：
16、提供第一聚乙烯材料和第二聚乙烯材料；所述第一聚乙烯材料的密度大于所述第二聚乙烯材料的密度；
17、将所述第一聚乙烯材料压成第一聚乙烯薄膜，作为所述第一绝缘片和所述第二绝缘片中的一者；将所述第二聚乙烯材料压成第二聚乙烯薄膜，作为所述第一绝缘片和所述第二绝缘片中的另一者。
18、在一些实施例中，采用平板硫化仪将所述第一聚乙烯材料模压成型为所述第一聚乙烯薄膜，并将所述第二聚乙烯材料模压成型为所述第二聚乙烯薄膜。
19、根据一些实施例，本申请另一方面提供了一种双层绝缘界面的观测设备，包括：
20、制样装置，包括载玻片和盖玻片。第一绝缘片和第二绝缘片平行紧邻放置，并压合于所述载玻片与所述盖玻片之间；
21、温控平台，用于承载所述制样装置；所述温控平台包括温控器件，所述温控器件按照预设温控参数对所述待观测件进行温控；
22、偏光显微镜，具有偏振光模式；所述偏光显微镜采用所述偏振光模式观察所述第一绝缘片与所述第二绝缘片相接界面的晶体形态及其形成过程。
23、在一些实施例中，所述观测设备还包括：
24、机台，用于从待观测电缆软接头上刨出本体绝缘片和恢复绝缘片；所述本体绝缘片和所述恢复绝缘片分别作为所述第一绝缘片和所述第二绝缘片。
25、在一些实施例中，所述观测设备还包括：
26、成型机，被配置为：将第一聚乙烯材料片压成第一聚乙烯薄膜以作为所述第一绝缘片和所述第二绝缘片中的一者，并将第二聚乙烯材料片压成第二聚乙烯薄膜以作为所述第一绝缘片和所述第二绝缘片中的另一者。
27、在一些实施例中，所述成型机包括平板硫化仪；
28、所述平板硫化仪被配置为：将所述第一聚乙烯材料模压成型为所述第一聚乙烯薄膜，并将所述第二聚乙烯材料模压成型为所述第二聚乙烯薄膜。
29、本申请提供的双层绝缘界面晶体形态及其形成过程的观测方法及观测设备，可以/至少具有以下优点：
30、在本申请实施例中，将第一绝缘片和第二绝缘片平行压合于载玻片与盖玻片之间；然后，采用温控器件按照预设温控参数对第一绝缘片和第二绝缘片进行温控，模拟实际生产工艺中的温度变化；在温控的同时，使用偏光显微镜的偏振光模式观察得到第一绝缘片与第二绝缘片相接界面的结晶形态。如此，本申请实施例可以实现对前述相接界面结晶形态的动态观测，不仅观测结果清晰，且操作步骤简单易于实施，并具有良好的可重复性。其中，采用将第一绝缘片和第二绝缘片平行压合于载玻片与盖玻片之间的方式获得待观测件，具有较高的制样效率，有利于提升观测效率。
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1.一种双层绝缘界面的观测设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的双层绝缘界面的观测设备，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的双层绝缘界面的观测设备，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的双层绝缘界面的观测设备，其特征在于，所述成型机包括平板硫化仪；
5.一种双层绝缘界面晶体形态及其形成过程的观测方法，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的双层绝缘界面晶体形态及其形成过程的观测方法，其特征在于，所述控制所述温控器件按照预设温控参数对所述待观测件进行温控，包括：
7.根据权利要求6所述的双层绝缘界面晶体形态及其形成过程的观测方法，其特征在于，所述得到温度变化对所述结晶形态的影响之后，所述双层绝缘界面晶体形态及其形成过程的观测方法还包括：
8.根据权利要求5所述的双层绝缘界面晶体形态及其形成过程的观测方法，其特征在于，所述获取第一绝缘片和第二绝缘片，包括：
9.根据权利要求5所述的双层绝缘界面晶体形态及其形成过程的观测方法，其特征在于，所述获取第一绝缘片和
10.根据权利要求9所述的双层绝缘界面晶体形态及其形成过程的观测方法，其特征在于，采用平板硫化仪将所述第一聚乙烯材料模压成型为所述第一聚乙烯薄膜，并将所述第二聚乙烯材料模压成型为所述第二聚乙烯薄膜。
...【技术特征摘要】
1.一种双层绝缘界面的观测设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的双层绝缘界面的观测设备，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的双层绝缘界面的观测设备，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的双层绝缘界面的观测设备，其特征在于，所述成型机包括平板硫化仪；
5.一种双层绝缘界面晶体形态及其形成过程的观测方法，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的双层绝缘界面晶体形态及其形成过程的观测方法，其特征在于，所述控制所述温控器件按照预设温控参数对所述待观测件进行温控，包括：
7.根据权利要求6所述的双层绝缘界面晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员：高景晖，尹立，杨威，麻国祺，吕洋，白会涛，张卓，宋小凡，钟力生，
申请(专利权)人：北京怀柔实验室，
类型：发明
国别省市：
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