【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种气相沉积装置。
技术介绍
1、在物理气相沉积作业中，通常需要先通过预热对试验件进行预溅射以使金属原子溅射至试验件上，以避免晶片沉积金属膜时由于目标工件和腔内环境不稳定所导致微粒污染腔室及薄膜性能较差，现有的晶片在物理气相沉积时，先移入试验件气相沉积腔内，并通过顶升组件将试验件顶升至气相沉积区，再对试验件进行预溅射，然后，将预溅射后的试验件移离气相沉积腔，接着，通过将目标工件移入气相沉积腔，再次通过顶升组件将试验件顶升至气相沉积区，最后，对目标工件进行溅射。
2、然而，现有的物理气相沉积作业中，目标工件需要等待试验件预溅射后并移离气相沉积腔后才能移入到气相沉积腔内，延长了物理气相沉积的作业时间，影响了目标工件的加工效率，而且，由于目标工件在气相沉积腔外等待的时间较长，影响目标工件的温度的稳定性，导致目标工件所沉积的薄膜性能较差，从而降低了目标工件的加工质量。
技术实现思路
1、本公开提供了一种气相沉积装置，以至少解决现有技术中气相沉积装置的加工质量较差且加工效率较低的问题。
2、为实现上述目的，本公开提供如下技术方案：一种气相沉积装置，所述气相沉积装置包括：
3、气相沉积室，内设有气相沉积腔及贮藏腔，所述气相沉积腔内设有气相沉积区，所述气相沉积室用于对位于所述气相沉积区的目标工件进行沉积镀膜；
4、移载组件，邻设于所述气相沉积室并用于移载所述目标工件至所述气相沉积腔内；
5、顶升组件，连接于
6、预沉积机构，包括驱动组件及试验件，所述试验件收纳于所述贮藏腔，所述驱动组件连接于所述气相沉积室且所述驱动组件的一部分设于所述气相沉积室内，所述驱动组件用于驱动所述试验件由所述贮藏腔移动至所述气相沉积腔内，并顶升所述试验件至所述气相沉积区。
7、在一可实施方式中，所述驱动组件包括：
8、承载件，设于所述气相沉积室内，并用于承载所述试验件；
9、连接件，所述连接件的一端连接于所述承载件背离所述试验件的一侧，所述连接件的另一端可活动的穿设于所述气相沉积室的底壁；
10、试验驱动件，连接于所述气相沉积室及所述连接件的另一端；其中，
11、所述试验驱动件用于驱动所述连接件带动所述承载件及所述试验件转动，以使所述试验件由所述贮藏腔移动至所述气相沉积腔，所述试验驱动件还用于顶升所述连接件及所述承载件，以使所述承载件所承载的所述试验件移动至所述气相沉积区。
12、在一可实施方式中，所述连接件包括：
13、伸缩管，设于所述气相沉积室内并沿所述顶升组件的顶升方向设置，所述伸缩管的一端可转动的密封连接于所述气相沉积室的底壁；
14、连接臂，所述连接臂与所述伸缩管之间形成有夹角，所述连接臂的一端连接于所述伸缩管的另一端，所述连接臂的另一端连接于所述承载件；
15、连接轴，所述连接轴沿所述顶升组件的顶升方向设置，所述连接轴的一端连接于所述试验驱动件，所述连接轴的另一端可活动的穿设于所述气相沉积室的底壁后插入所述伸缩管，并与所述连接臂连接。
16、在一可实施方式中，所述承载件包括：
17、承载体，连接于所述连接件，并用于承载所述试验件；
18、限位体，连接于所述承载体朝向所述试验件的一侧。
19、在一可实施方式中，所述试验件包括：
20、试验本体，收纳于所述贮藏腔内；
21、防护圈，套设于所述试验本体。
22、在一可实施方式中，所述顶升组件包括：
23、顶升件，设于所述气相沉积腔内并用于接收所述移载组件所移载的所述目标工件；
24、升降轴，所述升降轴的一端连接于所述顶升件，所述升降轴的另一端可滑动的穿设于所述气相沉积室的底壁；
25、顶升驱动件，连接于所述气相沉积室及所述升降轴的另一端。
26、在一可实施方式中，所述顶升件包括：
27、顶升体，设于所述气相沉积腔内并连接于所述升降轴，用于接收所述移载组件所移载的所述目标工件；
28、固定体，连接于所述顶升体背离所述升降轴的一侧。
29、在一可实施方式中，所述气相沉积装置还包括调温组件，所述调温组件用于调节所述气相沉积腔内的温度。
30、在一可实施方式中，所述调温组件包括：
31、加热底座，设于所述气相沉积腔内并用于产生热量；
32、感应开关，电性连接于所述加热底座并安装于所述加热底座的外周，用于感应所述气相沉积腔内的温度并根据所感应的温度来连通或闭合所述加热底座的电路。
33、在一可实施方式中，所述感应开关所感应的温度范围为268℃-272℃；其中，
34、当温度高于272℃时，所述感应开关闭合加热底座的电路，当感应开关所感应的温度低于268℃时，所述感应开关连通所述加热底座的电路。
35、上述气相沉积装置作业时，先通过驱动组件将试验件移动至气相沉积腔内，并将试验件顶升至气相沉积区，然后，气相沉积室对位于气相沉积区的试验件进行预沉积镀膜，接着，驱动组件将预沉积镀膜后的试验件从气相沉积腔移至贮藏腔，而且，在驱动组件将试验件移离气相沉积腔的同时，通过移载组件将目标工件移动至气相沉积腔内，最后，顶升组件承接目标工件，并将目标工件顶升至气相沉积区，气相沉积室对目标工件进行沉积镀膜，以此，实现对目标工件的加工；如此，将驱动组件将试验件移离气相沉积腔的动作和移载组件将目标工件移入气相沉积腔的动作同步进行，以便于降低目标工件在气相沉积腔外等待的时间，有利于保持目标工件的温度的稳定性，而且，缩短了目标工件气相沉积的作业时间，从而提高了气相沉积装置的加工质量及加工效率。
36、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本公开的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种气相沉积装置，其特征在于，所述气相沉积装置包括：
2.根据权利要求1所述的气相沉积装置，其特征在于，所述驱动组件包括：
3.根据权利要求2所述的气相沉积装置，其特征在于，所述连接件包括：
4.根据权利要求2所述的气相沉积装置，其特征在于，所述承载件包括：
5.根据权利要求1所述的气相沉积装置，其特征在于，所述试验件包括：
6.根据权利要求5所述的气相沉积装置，其特征在于，所述顶升组件包括：
7.根据权利要求6所述的气相沉积装置，其特征在于，所述顶升件包括：
8.根据权利要求1所述的气相沉积装置，其特征在于，所述气相沉积装置还包括调温组件，所述调温组件用于调节所述气相沉积腔内的温度。
9.根据权利要求8所述的气相沉积装置，其特征在于，所述调温组件包括：所述调温组件包括：
10.根据权利要求9所述的气相沉积装置，其特征在于，所述感应开关所感应的温度范围为268℃-272℃；其中，
【技术特征摘要】
1.一种气相沉积装置，其特征在于，所述气相沉积装置包括：
2.根据权利要求1所述的气相沉积装置，其特征在于，所述驱动组件包括：
3.根据权利要求2所述的气相沉积装置，其特征在于，所述连接件包括：
4.根据权利要求2所述的气相沉积装置，其特征在于，所述承载件包括：
5.根据权利要求1所述的气相沉积装置，其特征在于，所述试验件包括：
6.根据权利要求5所述的气相沉积装置，其特征在于，所述顶升组...
【专利技术属性】
技术研发人员：葛昕，花蔚蔚，单文豪，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。