【技术实现步骤摘要】
本技术具体涉及一种级联功率器件的嵌入式电路封装结构，属于半导体。
技术介绍
1、基于氮化镓、氧化镓、碳化硅等第三代半导体材料的功率器件目前已经在多个领域得到了广泛应用。其中一种常见的应用方式是利用此类功率器件构建级联电路。例如，请参阅图1所示，可以利用引线l1、l2、l3、l4、l5等将基于第三代材料的常开型功率器件a与常关型功率器件b电连接，利用器件b控制a的开关，形成cascode电路。或者，请参阅图2所示，也可以利用引线l1、l2、l3、l4、l5等将基于第三代材料的常开型功率器件a与常关型功率器件b电连接形成直接驱动电路，其中器件a和b分开驱动。
2、在上述级联电路中，器件a和器件b需要被封装在一起，但若采用方形扁平无引脚封装(qfn)、晶体管外形封装(transistor outline package，to)及无引线封装(toll)等常用贴片封装方法，会带来较多问题。例如，请参阅图3、图4，在采用qfn封装方式对上述cascode电路、直接驱动电路进行封装时，一般需要引入载板c，这会大幅增加成本，同时需要通过引线l1、l2、l3、l4、l5来连接器件a和器件b等，但引线会引入较大的寄生电感，并会产生较大的电阻，其中寄生电感会降低器件的抗电磁干扰(emi)等性能，降低开关速度，增加能量损耗，甚至会导致器件失效，而电阻会导致热损耗。图1-图4中，sa、da、ga分别是器件a的源、漏、栅极，sb、db、gb分别是器件b的源、漏、栅极。图1及图3中s、d、g分别是cascode电路的源、漏、栅端。图2及图4中s、
技术实现思路
1、本技术的主要目的在于提供一种级联功率器件的嵌入式电路封装结构，从而克服现有技术中的不足。
2、为实现前述专利技术目的，本技术采用的技术方案包括：
3、本技术的一些实施例提供了一种级联功率器件的嵌入式电路封装结构，其包括封装基板、第一功率器件和第二功率器件；所述第一功率器件与第二功率器件级联设置，并均嵌设在所述封装基板内；而且，用于将所述第一功率器件与第二功率器件电连接的至少部分电连接结构采用设置在所述封装基板内的金属布线结构。
4、在一个实施例中，所述第一功率器件的源极、栅极分别经所述金属布线结构与所述第二功率器件的漏极、源极电连接。
5、进一步的，所述第一功率器件的源极和栅极靠近所述封装基板的第一面设置，所述第一功率器件的漏极靠近所述封装基板的第二面设置；所述第二功率器件的源极和栅极靠近所述封装基板的第二面设置，所述第二功率器件的漏极靠近所述封装基板的第一面设置；所述封装基板的第一面和第二面相对设置。
6、进一步的，所述嵌入式电路封装结构还可包括第三功率器件和第四功率器件。其中，所述第一功率器件、第三功率器件、第二功率器件、第四功率器件依次电连接，并形成半桥电路结构；或者，所述第一功率器件依次经第三功率器件和第四功率器件与第二功率器件电连接，并形成ac开关电路结构。
7、在一个实施例中，所述第一功率器件的源极经所述金属布线结构与所述第二功率器件的漏极电连接。
8、进一步的，所述第一功率器件和第二功率器件的漏极均靠近所述封装基板的第一面设置，所述第一功率器件和第二功率器件的源极及栅极均靠近所述封装基板的第二面设置；所述封装基板的第一面和第二面相对设置。
9、进一步的，所述嵌入式电路封装结构还可包括双向开关器件，所述第一功率器件和第二功率器件经所述双向开关器件电连接，并形成ac开关电路结构。
10、在一个实施例中，所述第一功率器件为常开型器件，所述第二功率器件为常关型器件。所述第一功率器件、第二功率器件均可以采用基于第三代半导体材料的功率器件。
11、在一个实施例中，所述金属布线结构包括设置在所述封装基板内的金属线路层、导电过孔和导电盲孔中的一种或多种的组合，且不限于此。
12、与现有技术相比，本技术通过采用嵌入式电路封装方式(ecp)将构建级联电路的多个功率器件封装在一起，无需使用载板，而且大幅减少了引线的长度，有效节约了成本，特别是其中的至少部分引线采用铜布线形式，还显著降低了寄生电感和电阻，因而至少能够减小emi，提高开关速度，降低能量损耗。
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1.一种级联功率器件的嵌入式电路封装结构，其特征在于，包括封装基板、第一功率器件和第二功率器件；所述第一功率器件与第二功率器件级联设置，并均嵌设在所述封装基板内；而且，用于将所述第一功率器件与第二功率器件电连接的至少部分电连接结构采用设置在所述封装基板内的金属布线结构。
2.根据权利要求1所述的级联功率器件的嵌入式电路封装结构，其特征在于：所述第一功率器件的源极、栅极分别经所述金属布线结构与所述第二功率器件的漏极、源极电连接。
3.根据权利要求2所述的级联功率器件的嵌入式电路封装结构，其特征在于：所述第一功率器件的源极和栅极靠近所述封装基板的第一面设置，所述第一功率器件的漏极靠近所述封装基板的第二面设置；所述第二功率器件的源极和栅极靠近所述封装基板的第二面设置，所述第二功率器件的漏极靠近所述封装基板的第一面设置；所述封装基板的第一面和第二面相对设置。
4.根据权利要求2所述的级联功率器件的嵌入式电路封装结构，其特征在于，还包括第三功率器件和第四功率器件，所述第一功率器件、第三功率器件、第二功率器件、第四功率器件依次电连接，并形成半桥电路结构。<...
【技术特征摘要】
1.一种级联功率器件的嵌入式电路封装结构，其特征在于，包括封装基板、第一功率器件和第二功率器件；所述第一功率器件与第二功率器件级联设置，并均嵌设在所述封装基板内；而且，用于将所述第一功率器件与第二功率器件电连接的至少部分电连接结构采用设置在所述封装基板内的金属布线结构。
2.根据权利要求1所述的级联功率器件的嵌入式电路封装结构，其特征在于：所述第一功率器件的源极、栅极分别经所述金属布线结构与所述第二功率器件的漏极、源极电连接。
3.根据权利要求2所述的级联功率器件的嵌入式电路封装结构，其特征在于：所述第一功率器件的源极和栅极靠近所述封装基板的第一面设置，所述第一功率器件的漏极靠近所述封装基板的第二面设置；所述第二功率器件的源极和栅极靠近所述封装基板的第二面设置，所述第二功率器件的漏极靠近所述封装基板的第一面设置；所述封装基板的第一面和第二面相对设置。
4.根据权利要求2所述的级联功率器件的嵌入式电路封装结构，其特征在于，还包括第三功率器件和第四功率器件，所述第一功率器件、第三功率器件、第二功率器件、第四功率器件依次电连接，并形成半桥电路结构。
5.根据权利要求2所述的级联功率器件的嵌入式电路封装结构，其特征在于，还...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊康林，
申请(专利权)人：苏州明义微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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