【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体刻蚀，具体涉及一种干法刻蚀的终点检测方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的飞速发展，集成电路的集成度越来越高，半导体器件的性能和精度需求也在日益增加，刻蚀技术已经成为集成电路制造中至关重要的技术。干法刻蚀技术作为一种拥有众多优点的刻蚀技术，已被广泛应用于高精度半导体器件的制造领域。
2、现有的碳化硅基芯片的氧化层刻蚀通常都是根据当前层膜的厚度计算刻蚀速率和刻蚀时间。然而，当碳化硅基芯片的氧化层的厚度不稳定而发生变化时，时间不变就会导致碳化硅基芯片的氧化层过刻或残留。此外，当干法刻蚀机不稳定时，干法刻蚀速率也随时可能发生变化，从而导致碳化硅基芯片的氧化层的刻蚀深度发生变化。虽然可以通过量测手段检出刻蚀速率和刻蚀时间的变化，但是需要根据刻蚀速率的变化实时更改刻蚀程序的时间，且刻蚀速率不稳定变慢会发生刻蚀残留，导致金属填充时不能接触到碳化硅基底，从而发生电性失效，刻蚀速率变快则会损伤碳化硅基底。
3、因此，如何提高碳化硅基芯片的氧化层的干法刻蚀效率，是一个亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、为了解决碳化硅基芯片的氧化层的干法刻蚀效率较低的技术问题，本专利技术提供了一种干法刻蚀的终点检测方法。
2、本专利技术提供了一种干法刻蚀的终点检测方法，包括：
3、将干法刻蚀机调制为终点检测模式，并预设碳化硅基芯片的氧化层进行干法刻蚀的各项参数；
4、调节所述终点检测模式中预设的各项参数，并根据调节好的各项参数对所述碳
5、实时自动检测所述碳化硅基芯片的氧化层的刻蚀终点，并控制所述干法刻蚀机在检测到刻蚀终点时终止刻蚀。
6、优选的，所述实时自动检测所述碳化硅基芯片的氧化层的刻蚀终点，包括：
7、根据所述碳化硅基芯片的氧化层的厚度和干法刻蚀机设置的刻蚀速率计算所述碳化硅基芯片的氧化层的预设刻蚀时间；
8、设置所述碳化硅基芯片的氧化层与干法刻蚀气体反应的特定生成物的监测波长；
9、根据所述特定生成物的监测波长判断预设刻蚀时间内是否存在所述碳化硅基芯片的氧化层的刻蚀终点。
10、优选的，所述根据所述特定生成物的监测波长判断过刻时间内是否捕捉所述碳化硅基芯片的氧化层的刻蚀终点；包括：
11、将所述特定生成物的光波强度转换为电信号，并根据转换后的电信号的变化判断预设刻蚀时间内是否存在所述碳化硅基芯片的氧化层的刻蚀终点。
12、优选的，所述根据转换后的电信号的变化判断预设刻蚀时间内是否存在所述碳化硅基芯片的氧化层的刻蚀终点，包括：
13、若在窗口横坐标窗口时间预设的3s内，曲线纵坐标达到窗口高度预设的0.5mv的下降，且连续3个窗口的窗口高度均有0.5mv的下降，则预设刻蚀时间内存在所述碳化硅基芯片的氧化层的刻蚀终点；
14、否则，预设刻蚀时间不存在所述碳化硅基芯片的氧化层的刻蚀终点。
15、优选的，所述调节所述终点检测模式中预设的各项参数，包括：
16、将所述终点检测模式中自动气体控制水平设置为40％到60％。
17、优选的，所述调节所述终点检测模式中预设的各项参数，还包括：
18、将所述终点检测模式中自动气体控制时间设置为5s到50s。
19、优选的，所述调节所述终点检测模式中预设的各项参数，还包括：
20、将所述终点检测模式中窗口高度设置为-5mv到-0.5mv。
21、优选的，若所述碳化硅基芯片的透光率为39.9％，将所述终点检测模式中自动气体控制水平设置为60％，自动气体控制时间设置为5s，窗口高度设置为-0.5mv，则预设刻蚀时间内存在所述碳化硅基芯片的氧化层的刻蚀终点。
22、优选的，所述调节所述终点检测模式中预设的各项参数，还包括：
23、将所述终点检测模式中初始稳定时间为10s，并将碳化硅基芯片的氧化层的过刻量设置为0％。
24、优选的，所述碳化硅基芯片的氧化层的膜质为氧化硅。
25、与现有技术相比，本专利技术提供的干法刻蚀的终点检测方法，通过调节所述终点检测模式中预设的各项参数，可以自动检测到碳化硅基芯片的氧化层的刻蚀终点，有效的提高了碳化硅基芯片的氧化层的干法刻蚀效率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种干法刻蚀的终点检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的干法刻蚀的终点检测方法，其特征在于，所述实时自动检测所述碳化硅基芯片的氧化层的刻蚀终点，包括：
3.根据权利要求2所述的干法刻蚀的终点检测方法，其特征在于，所述根据所述特定生成物的监测波长判断过刻时间内是否捕捉所述碳化硅基芯片的氧化层的刻蚀终点；包括：
4.根据权利要求3所述的干法刻蚀的终点检测方法，其特征在于，所述根据转换后的电信号的变化判断预设刻蚀时间内是否存在所述碳化硅基芯片的氧化层的刻蚀终点，包括：
5.根据权利要求1所述的干法刻蚀的终点检测方法，其特征在于，所述调节所述终点检测模式中预设的各项参数，包括：
6.根据权利要求5所述的干法刻蚀的终点检测方法，其特征在于，所述调节所述终点检测模式中预设的各项参数，还包括：
7.根据权利要求6所述的干法刻蚀的终点检测方法，其特征在于，所述调节所述终点检测模式中预设的各项参数，还包括：
8.根据权利要求7所述的干法刻蚀的终点检测方法，其特征在于，若所述碳化硅基芯片的透光率为
9.根据权利要求5所述的干法刻蚀的终点检测方法，其特征在于，所述调节所述终点检测模式中预设的各项参数，还包括：
10.根据权利要求9所述的干法刻蚀的终点检测方法，其特征在于，所述碳化硅基芯片的氧化层的膜质为氧化硅。
...【技术特征摘要】
1.一种干法刻蚀的终点检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的干法刻蚀的终点检测方法，其特征在于，所述实时自动检测所述碳化硅基芯片的氧化层的刻蚀终点，包括：
3.根据权利要求2所述的干法刻蚀的终点检测方法，其特征在于，所述根据所述特定生成物的监测波长判断过刻时间内是否捕捉所述碳化硅基芯片的氧化层的刻蚀终点；包括：
4.根据权利要求3所述的干法刻蚀的终点检测方法，其特征在于，所述根据转换后的电信号的变化判断预设刻蚀时间内是否存在所述碳化硅基芯片的氧化层的刻蚀终点，包括：
5.根据权利要求1所述的干法刻蚀的终点检测方法，其特征在于，所述调节所述终点检测模式中预设的各项参数，包括：
6.根据权利要求5所述的干法刻蚀的终点检测方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪之涵，和巍巍，温正欣，
申请(专利权)人：深圳基本半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。