【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料，尤其是涉及一种含萘和三嗪结构的化合物及有机电致发光器件和显示元件。
技术介绍
1、有机电致发光器件(oled:organic light emission diodes)技术既可以用来制造新型显示产品，也可以用于制作新型照明产品，有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明，应用前景十分广泛。有机电致发光器件具有类似三明治的结构，包括电极材料膜层以及夹在不同电极材料膜层之间的有机功能材料，各种不同有机功能材料根据用途相互叠加在一起共同组成有机电致发光器件。有机电致发光器件作为电流器件，当对其两端电极施加电压，并通过电场作用于有机层功能材料膜层中的正负电荷时，正负电荷进一步在发光层中复合，即产生有机电致发光。
2、当前，oled显示技术已经在智能手机、平板电脑、电视等领域获得应用，但是，和实际的产品应用要求相比，有机电致发光器件的发光效率和使用寿命等性能还需要进一步提升。为了实现有机电致发光器件的性能的不断提升，需要有机光电功能材料不断研究和创新，创制出更高性能的有机光电功能材料。
3、应用于有机电致发光器件的有机光电功能材料从用途上可划分为两大类，分别为电荷注入传输材料和发光材料。进一步，还可将电荷注入传输材料分为电子注入传输材料、电子阻挡材料、空穴注入传输材料和空穴阻挡材料，作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率、高玻璃化转化温度等，对于有机电致发光器件来说，电子从阴极注入，然后通过电子传输层传递到主体材料，在主体材料中和空穴进行复合，从而产生激子。因而，提高电子传输层的注入能力和
4、对于器件寿命来说，材料的耐热性和膜稳定性也是重要的，具有低的耐热性的材料，不仅在材料蒸镀的时候容易产生分解，而且在通过器件工作时器件产生的热量也会产生热分解，从而导致材料劣化。材料膜相态稳定性较差的情况下，材料在短时间内也发生薄膜结晶，导致有机膜层直接产生层分离，产生器件劣化。因此，要求使用的材料具有高的耐热性和良好的膜稳定性。
5、伴随着有机电致发光器件性能的改善需求，对材料性能的要求也日益提高，不仅要求其有良好的材料稳定性，并且需要其在低驱动电压下，达到良好的效率和寿命。但是，目前的电子传输材料的耐热稳定性不足，同时材料的电子耐受性存在缺陷，导致器件工作时，材料发生相态分离或分解，从而导致器件的寿命较短。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的上述问题，本专利技术申请人提供了一种含萘和三嗪结构的化合物及有机电致发光器件和显示元件，本专利技术化合物通过特定结构进行桥连，桥连结构为苯基和萘基以特定方式组合的结构，使得化合物具有优异的电子注入和传输能力，应用于有机电致发光器件，能够有效降低器件工作电压，延长器件工作寿命。
2、一种含萘和三嗪结构的化合物，所述化合物的结构如通式(1)所示：
3、
4、通式(1)中，ar1、ar2、ar3、ar4各自独立的表示为取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的二联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基中的任意一种；
5、ar1、ar2、ar3、ar4可以相同或不同；
6、l表示为通式(2)或通式(3)所示结构；
7、
8、通式(2)和通式(3)中，＊表示可连接位点；
9、通式(2)中，n＝0或1；
10、可取代基团的取代基任选自氘、氚、氰基、氟原子、苯基、二联苯基、萘基、三联苯基、吡啶基或嘧啶基。
11、进一步的，所述化合物的结构如通式(ⅱ-1)～通式(ⅱ-5)中的任一种：
12、
13、通式(ⅱ-1)～通式(ⅱ-5)中，ar1、ar2、ar3、ar4的含义同上文中的限定。进一步的，所述化合物的结构如通式(ⅲ-1)～通式(ⅲ-14)中的任一种：
14、
15、
16、
17、通式(ⅲ-1)～通式(ⅲ-14)中，ar1、ar2、ar3、ar4的含义同上文中的限定。进一步的，所述化合物的结构如通式(ⅳ-1)～通式(ⅳ-9)中任一种所示：
18、
19、
20、通式(ⅳ-1)～通式(ⅳ-9)中，ar1、ar2、ar3、ar4的含义同上文中的限定。进一步的，所述化合物的结构如通式(ⅴ-1)～通式(ⅴ-23)中任一种所示：
21、
22、
23、
24、通式(ⅴ-1)～通式(ⅴ-23)中，ar1、ar2、ar3、ar4的含义同上文中的限定。
25、进一步的，所述ar1、ar2、ar3、ar4各自独立的表示为苯基、萘基、二联苯基、三联苯基、吡啶基、嘧啶基、氘代苯基、氘代萘基、氘代二联苯基、萘基取代的苯基、氰基取代的苯基、氰基取代的二联苯基、氟原子取代的苯基、吡啶基取代的苯基、嘧啶基取代的苯基、氰基取代的萘基、苯基取代的萘基、氟原子取代的萘基、吡啶基取代的萘基、嘧啶基取代的萘基、氰基取代的二联苯基、氟原子取代的二联苯基、吡啶基取代的二联苯基、嘧啶基取代的二联苯基、氟原子取代的吡啶基、氰基取代的吡啶基、苯基取代的吡啶基、萘基取代的吡啶基、吡啶基取代的吡啶基、氰基取代的嘧啶基、氟原子取代的嘧啶基、苯基取代的嘧啶基、萘基取代的嘧啶基、吡啶基取代的嘧啶基、嘧啶基取代的嘧啶基中的任意一种。
26、进一步的，所述ar1、ar2、ar3、ar4各自独立的表示为如下所示结构:
27、
28、中的任一种。进一步的，所述化合物的具体结构为如下结构中的任一种：
29、
30、
31、
32、
33、
34、
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36、
37、
38、
39、
40、
41、
42、
43、
44、
45、
46、本专利技术还公开了一种有机电致发光器件，所述的有机电致发光器件包含基板、第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极之间具有多层有机薄膜层，所述有机薄膜层中含有所述的含萘和三嗪结构的化合物。
47、进一步的，所述有机薄膜层包括空穴传输区域薄膜层、发光区域薄膜层和电子传输区域薄膜层，所述电子传输区域薄膜层含有所述的含萘和三嗪结构的化合物。
48、进一步的，所述电子传输区域薄膜层包含电子传输层，所述电子传输层含有本专利技术所述含萘和三嗪结构的化合物。
49、具体的，所述空穴传输区域薄膜层包含空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层，所述电子传输区域薄膜层包含空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。
50、本专利技术还公开了一种显示元本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种含萘和三嗪结构的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(1)所示：
2.根据权利要求1所述的一种含萘和三嗪结构的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(Ⅱ-1)～通式(Ⅱ-5)中的任一种：
3.根据权利要求1所述的一种含萘和三嗪结构的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(Ⅲ-1)～通式(Ⅲ-14)中的任一种：
4.根据权利要求1所述的一种含萘和三嗪结构的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(Ⅳ-1)～通式(Ⅳ-9)中任一种所示：
5.根据权利要求1所述的一种含萘和三嗪结构的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(Ⅴ-1)～通式(Ⅴ-23)中任一种所示：
6.根据权利要求1所述的一种含萘和三嗪结构的化合物，其特征在于，所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立的表示为苯基、萘基、二联苯基、三联苯基、吡啶基、嘧啶基、氘代苯基、氘代萘基、氘代二联苯基、萘基取代的苯基、氰基取代的苯基、氰基取代的二联苯基、氟原子取代的苯基、吡啶基取代的苯基、嘧啶基取代的苯基、氰基取代的萘基、苯基取代的萘基、氟原子取
7.根据权利要求1所述的一种含萘和三嗪结构的化合物，其特征在于，所述化合物的具体结构为如下结构中的任一种：
8.一种有机电致发光器件，包含基板、第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极之间具有多层有机薄膜层，其特征在于，所述有机薄膜层含有权利要求1～7任一项所述含萘和三嗪结构的化合物；
9.根据权利要求8所述一种有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输区域薄膜层包含电子传输层，所述电子传输层含有权利要求1～7任一项所述含萘和三嗪结构的化合物。
10.一种显示元件，其特征在于，所述显示元件含有权利要求8～9任一项所述的有机电致发光器件。
...【技术特征摘要】
1.一种含萘和三嗪结构的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(1)所示：
2.根据权利要求1所述的一种含萘和三嗪结构的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(ⅱ-1)～通式(ⅱ-5)中的任一种：
3.根据权利要求1所述的一种含萘和三嗪结构的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(ⅲ-1)～通式(ⅲ-14)中的任一种：
4.根据权利要求1所述的一种含萘和三嗪结构的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(ⅳ-1)～通式(ⅳ-9)中任一种所示：
5.根据权利要求1所述的一种含萘和三嗪结构的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(ⅴ-1)～通式(ⅴ-23)中任一种所示：
6.根据权利要求1所述的一种含萘和三嗪结构的化合物，其特征在于，所述ar1、ar2、ar3、ar4各自独立的表示为苯基、萘基、二联苯基、三联苯基、吡啶基、嘧啶基、氘代苯基、氘代萘基、氘代二联苯基、萘基取代的苯基、氰基取代的苯基、氰基取代的二联苯基、氟原子取代的苯基、吡啶基取代的苯基、嘧啶基取代的苯基、氰基取代的萘基、...
【专利技术属性】
技术研发人员：李子澍，庞羽佳，唐丹丹，
申请(专利权)人：江苏三月科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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