System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 干燥装置、干燥状态确认方法及晶片收纳容器清洗装置制造方法及图纸_技高网

干燥装置、干燥状态确认方法及晶片收纳容器清洗装置制造方法及图纸

技术编号:42894013 阅读:9 留言:0更新日期:2024-09-30 15:12
本发明专利技术提出一种干燥装置、干燥状态确认方法及晶片收纳容器清洗装置。本发明专利技术的课题在于对于对象物的干燥状态进行确认。实施方式的干燥装置包括:干燥槽,在内部对干燥处理的对象物进行保持;减压装置,使干燥槽的内部减压;以及控制部,通过对减压装置进行控制来执行对干燥槽的内部进行减压而使水分蒸发除去的干燥处理,其中,控制部在干燥处理后,在规定时间内执行使干燥槽的内部的压力低于干燥处理时的压力的追加减压处理,基于追加减压处理后达到的干燥槽的内部的压力,对于对象物的干燥状态进行判定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方式涉及一种干燥装置、干燥状态确认方法及晶片收纳容器清洗装置


技术介绍

1、以往,在半导体晶片的制造中,使用了对半导体晶片进行收纳(收容)的前开式晶片传送盒(front opening unified pod,foup)或前开式晶片出货盒(front openingshipping box,fosb)等晶片收纳容器。关于晶片收纳容器,有时在半导体晶片的收纳时等容器内会受到污染,因此定期地进行清洗处理。例如,作为进行晶片收纳容器的清洗处理的装置,已知有如下装置:具有清洗槽以及干燥槽,在清洗槽中交替地反复进行多次超声波清洗以及高压喷淋清洗而进行清洗后,在干燥槽中反复进行多次热风加热以及减压干燥而进行干燥。

2、[现有技术文献]

3、[专利文献]

4、[专利文献1]日本专利特开2002-126678号公报


技术实现思路

1、[专利技术所要解决的问题]

2、如上所述,晶片收纳容器被定期地进行清洗处理,但于在干燥不充分的状态下对半导体晶片进行收纳的情况下,会使半导体晶片受到污染,从而导致制品不良。因此,重要的是使晶片收纳容器充分干燥。然而,以上所述的干燥的处理是在事先设定的条件下进行,不确认干燥状态,因此即便干燥不充分也无法注意到。另外,为了使晶片收纳容器充分干燥,可考虑延长干燥的时间,但要花费必要程度以上的时间进行干燥的处理,效率不高。

3、本专利技术是为了解决所述那样的课题而成,其目的在于提供一种可对于对象物的干燥状态进行确认的干燥装置、干燥状态确认方法及晶片收纳容器清洗装置。

4、[解决问题的技术手段]

5、为了解决所述课题而实现目的,本专利技术的一实施例的干燥装置包括:干燥槽,在内部对干燥处理的对象物进行保持;减压装置,使所述干燥槽的内部减压;以及控制部,通过对所述减压装置进行控制来执行对所述干燥槽的内部进行减压而使水分蒸发除去的干燥处理,其中,所述控制部在所述干燥处理后,在规定时间内执行使所述干燥槽的内部的压力低于所述干燥处理时的压力的追加减压处理,基于所述追加减压处理后达到的所述干燥槽的内部的压力,对所述对象物的干燥状态进行判定。

6、[专利技术的效果]

7、通过本专利技术的一实施例,可对于对象物的干燥状态进行确认。

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【技术保护点】

1.一种干燥装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的干燥装置,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的干燥装置,其特征在于,

4.根据权利要求1至3中任一项所述的干燥装置,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的干燥装置,其特征在于,

6.根据权利要求2或5所述的干燥装置,其特征在于,

7.一种干燥状态确认方法,其特征在于,包括:

8.一种干燥装置,其特征在于,包括:

9.一种干燥状态确认方法,其特征在于,包括:

10.一种晶片收纳容器清洗装置,其特征在于,包括:

【技术特征摘要】

1.一种干燥装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的干燥装置,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的干燥装置,其特征在于,

4.根据权利要求1至3中任一项所述的干燥装置,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的干燥装置,其特征在于,

【专利技术属性】
技术研发人员:西部幸伸林俊宏宫迫久顕石原淳司増田浩一
申请(专利权)人:芝浦机械电子装置株式会社
类型:发明
国别省市:

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