【技术实现步骤摘要】
本公开涉及但不限于一种芯片结构及存储器。
技术介绍
1、相关技术中，在芯片的封装过程中会在芯片的中间位置设置焊盘单元。其中，焊盘单元内通常设置有两排均匀排布的焊盘。但是随着技术的发展，芯片的尺寸越来越小，芯片的中间位置可以容纳焊盘单元的空间也越来越小。相关技术中通过在芯片的中间位置设置两排均匀排布的焊盘的方式，使得在尺寸越来越小的芯片配置的焊盘的个数也随之减小，进而小尺寸焊盘中所能配置的焊盘的个数也较少。
技术实现思路
1、本公开实施例提供的一种芯片结构及存储器，能够增加小尺寸芯片中所能配置焊盘的个数。
2、本公开的技术方案是这样实现的：
3、本公开实施例提供了一种芯片结构，包括：至少一个焊盘单元，所述焊盘单元内包括：多个电源焊盘和多个命令数据焊盘；多个所述电源焊盘沿预定方向等间隔设置在靠近所述存储阵列单元的第一区域；多个所述命令数据焊盘沿所述预定方向等间隔设置，多个所述电源焊盘相较于多个所述命令数据焊盘靠近所述存储阵列单元；其中，所述命令数据焊盘与所述电源焊盘在所述预定方向上交错设置；每个所述命令数据焊盘的中心点，与相邻的所述电源焊盘的中心点在所述预定方向上的距离小于预设阈值。
4、上述方案中，至少一个所述焊盘单元包括：中间焊盘单元；所述存储阵列单元包括：间隔排布的第一存储阵列单元和第二存储阵列单元；多个所述电源焊盘包括：多个第一电源焊盘和多个第二电源焊盘；多个所述命令数据焊盘包括：多个第一命令数据焊盘和多个第二命令数据焊盘；所述中间焊盘单元设
5、多个所述第一电源焊盘沿所述预定方向等间隔设置在，靠近所述第一存储阵列单元的第一子区域；
6、多个所述第二电源焊盘沿所述预定方向等间隔设置在，靠近所述第二存储阵列单元的第二子区域；
7、多个所述第一命令数据焊盘沿所述预定方向等间隔设置在，多个所述第一电源焊盘和多个所述第二电源焊盘之间且靠近所述第一存储阵列单元；
8、多个所述第二命令数据焊盘沿所述预定方向等间隔设置在，多个所述第一电源焊盘和多个所述第二电源焊盘之间且靠近所述第二存储阵列单元；
9、其中，所述第一命令数据焊盘与所述第一电源焊盘在所述预定方向上交错设置，所述第一命令数据焊盘的中心点与相邻的所述第一电源焊盘的中心点在所述预定方向上的距离小于所述预设阈值，所述第二命令数据焊盘与所述第二电源焊盘在所述预定方向上交错设置，所述第二命令数据焊盘的中心点与相邻的所述第二电源焊盘的中心点在所述预定方向上的距离小于所述预设阈值。
10、上述方案中，多个所述第一命令数据焊盘包括：多个第一命令焊盘和多个第一数据焊盘；多个所述第二命令数据焊盘包括：多个第二命令焊盘和多个第二数据焊盘；多个所述第一命令焊盘沿所述预定方向等间隔设置在第三子区域，多个所述第一数据焊盘沿所述预定方向等间隔设置在第四子区域，所述第三子区域与所述第四子区域沿所述预定方向间隔排布；多个所述第二命令焊盘沿所述预定方向等间隔设置在第五子区域，多个所述第二数据焊盘沿所述预定方向等间隔设置在第六子区域，所述第五子区域与所述第六子区域沿所述预定方向间隔排布。
11、上述方案中，多个所述第一电源焊盘包括：多个第一供电焊盘和多个第一接地焊盘，多个所述第二电源焊盘包括：多个第二供电焊盘和多个第二接地焊盘；所述第一供电焊盘和所述第一接地焊盘间隔设置在两个第七子区域，所述两个第七子区域沿所述预定方向间隔排布；所述第二供电焊盘和所述第二接地焊盘间隔设置在两个第八子区域，所述两个第八子区域沿所述预定方向间隔排布。
12、上述方案中，多个所述第一命令数据焊盘包括：多个第一命令焊盘和多个第一数据焊盘；多个所述第二命令数据焊盘包括：多个第二命令焊盘和多个第二数据焊盘；所述第一命令焊盘和所述第一数据焊盘间隔设置在多个所述第一电源焊盘和多个所述第二电源焊盘之间，且靠近所述第一存储阵列单元；所述第二命令焊盘和所述第二数据焊盘间隔设置在多个所述第一电源焊盘和多个所述第二电源焊盘之间，且靠近所述第二存储阵列单元。
13、上述方案中，多个所述第一电源焊盘包括：多个第一供电焊盘和多个第一接地焊盘，多个所述第二电源焊盘包括：多个第二供电焊盘和多个第二接地焊盘；所述第一供电焊盘和所述第一接地焊盘间隔设置在所述第一子区域；所述第二供电焊盘和所述第二接地焊盘间隔设置在所述第二子区域。
14、上述方案中，多个所述电源焊盘和多个所述命令数据焊盘设置在所述焊盘单元内的基底上，所述命令数据焊盘在所述基底上的正投影小于所述电源焊盘在所述基底的正投影。
15、上述方案中，所述存储阵列单元所在区域包括：四个侧边；在至少一个所述焊盘单元包括两个所述焊盘单元时，两个所述焊盘单元设置在所述四个侧边中相对的两侧边的外围，或者，两个所述焊盘单元设置在所述四个侧边中相接的两侧边的外围。
16、上述方案中，所述命令数据焊盘通过设置在所述焊盘单元上的第一导线与所述存储阵列单元中的对应接口连接；所述电源焊盘通过设置在所述焊盘单元上的第二导线与所述存储阵列单元中的对应接口连接；所述第一导线的阻值小于所述第二导线。
17、上述方案中，所述命令数据焊盘包括在所述焊盘单元的基底上依次形成的第一铝底、第一铜柱、第一焊帽和第一凸块；所述电源焊盘包括在所述焊盘单元的基底上依次形成的第二铝底、第二铜柱、第二焊帽和第二凸块；上述方案中，所述第二铜柱的高度大于所述第一铜柱的高度，所述第二凸块的高度小于所述第一凸块的高度。
18、本公开实施例还提供了一种存储器，所述存储器包括如上所述的芯片结构。
19、上述方案中，所述存储器为动态随机存取存储器dram。
20、由此可见，本公开实施例提供了一种芯片结构，其中包括：至少一个焊盘单元，焊盘单元内包括：多个电源焊盘和多个命令数据焊盘；多个电源焊盘沿预定方向等间隔设置在靠近存储阵列单元的第一区域；多个命令数据焊盘沿预定方向等间隔设置，多个电源焊盘相较于多个命令数据焊盘靠近存储阵列单元；其中，命令数据焊盘与电源焊盘在预定方向上交错设置；每个命令数据焊盘的中心点，与相邻的电源焊盘的中心点在预定方向上的距离小于预设阈值。由于本公开中，通过将命令数据焊盘与电源焊盘交错设置，焊盘交错设置的方式可以使命令数据焊盘通过相邻的两个电源焊盘的空隙与存储阵列单元进行信号传输，这样保证了每个焊盘与存储阵列单元之间信号传输不受影响。又由于将每个命令数据焊盘，与相邻的电源焊盘在预定方向上的距离设置为小于预设阈值，进而使相邻的每两个焊盘所占用的面积减小。这样在芯片有限的尺寸内可以容纳更多的焊盘，相比相关技术中通过在芯片的中间位置设置两排均匀排布的焊盘的方式，增加了小尺寸芯片中所能配置焊盘的个数。
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1.一种芯片结构，其特征在于，包括：至少一个焊盘单元，所述焊盘单元内包括：多个电源焊盘和多个命令数据焊盘；
2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，至少一个所述焊盘单元包括：中间焊盘单元；所述存储阵列单元包括：间隔排布的第一存储阵列单元和第二存储阵列单元；多个所述电源焊盘包括：多个第一电源焊盘和多个第二电源焊盘；多个所述命令数据焊盘包括：多个第一命令数据焊盘和多个第二命令数据焊盘；所述中间焊盘单元设置在所述第一存储阵列单元和所述第二存储阵列单元之间；
3.根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，多个所述第一命令数据焊盘包括：多个第一命令焊盘和多个第一数据焊盘；多个所述第二命令数据焊盘包括：多个第二命令焊盘和多个第二数据焊盘；
4.根据权利要求2或3所述的芯片结构，其特征在于，多个所述第一电源焊盘包括：多个第一供电焊盘和多个第一接地焊盘，多个所述第二电源焊盘包括：多个第二供电焊盘和多个第二接地焊盘；
5.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，多个所述电源焊盘和多个所述命令数据焊盘设置在基底上，所述命令数据焊盘在所述基底上的
6.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述存储阵列单元所在的区域包括：四个侧边；
7.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述命令数据焊盘通过设置在所述焊盘单元上的第一导线与所述存储阵列单元中的对应接口连接；
8.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述命令数据焊盘包括在所述焊盘单元的基底上依次形成的第一铝底、第一铜柱、第一焊帽和第一凸块；
9.根据权利要求8所述的芯片结构，其特征在于，所述第二铜柱的高度大于所述第一铜柱的高度，所述第二凸块的高度小于所述第一凸块的高度。
10.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括如权利要求1至9任一项所述的芯片结构，所述存储器为动态随机存取存储器DRAM。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片结构，其特征在于，包括：至少一个焊盘单元，所述焊盘单元内包括：多个电源焊盘和多个命令数据焊盘；
2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，至少一个所述焊盘单元包括：中间焊盘单元；所述存储阵列单元包括：间隔排布的第一存储阵列单元和第二存储阵列单元；多个所述电源焊盘包括：多个第一电源焊盘和多个第二电源焊盘；多个所述命令数据焊盘包括：多个第一命令数据焊盘和多个第二命令数据焊盘；所述中间焊盘单元设置在所述第一存储阵列单元和所述第二存储阵列单元之间；
3.根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，多个所述第一命令数据焊盘包括：多个第一命令焊盘和多个第一数据焊盘；多个所述第二命令数据焊盘包括：多个第二命令焊盘和多个第二数据焊盘；
4.根据权利要求2或3所述的芯片结构，其特征在于，多个所述第一电源焊盘包括：多个第一供电焊盘和多个第一接地焊盘，多个所述第二电源焊盘包括：多个第二供电焊盘和多个第二接地焊盘；
...【专利技术属性】
技术研发人员：汪配焕，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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