【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及半导体元件及半导体元件的制造方法。
技术介绍
1、在由高频信号驱动的半导体元件中，尽可能减小在连接信号输入线的连接电极中产生的静电电容成为用于扩大半导体电路的高频带宽的重要因素。这是因为在连接电极形成在绝缘膜之上且在绝缘膜的下部具有导电性的半导体层时，或者在元件背面侧形成有背面电极时，连接电极与这些半导体层或背面电极之间产生静电电容。
2、另外，即使绝缘性或半绝缘性的半导体层形成在连接电极与上述导电性的半导体层或元件背面侧的背面电极之间，也同样地产生静电电容。因此，从减少静电电容的观点出发，优选以尽可能小的面积形成绝缘膜上的连接电极。
3、另一方面，在信号输入线向连接电极的连接中，特别是将金线进行引线接合的情况下，连接电极需要以比线径大的面积形成，连接电极的面积越大，布线连接时的位置控制越容易。
4、专利文献1：日本特开平11-214579号公报
5、作为维持连接电极的布线连接面的面积的同时减少在连接电极中产生的静电电容的方法，在专利文献1中公开的具有低容量性电极的半导体装置及其制造方法中，通过在连接电极正下方的半导体层形成空隙，而利用半导体部分和空隙部分的平均效果，构成表观上的低介电常数构造，实现连接电极与导电性的半导体层之间、或者连接电极与背面电极之间产生的静电电容的降低。
6、然而，专利文献1所记载的半导体装置及其制造方法，由于在制造过程中追加了在半导体层内形成空隙的工序，因此存在制造成本增加这样的课题。
技术实现思路
1、本公开是为了解决上述那样的课题而完成的，其目的在于，提供一种不损害信号输入线与连接电极的连接性并且高频特性优异的半导体元件、以及能够减少高频特性优异的半导体元件的制造成本的半导体元件的制造方法。
2、本公开所涉及的半导体元件，其中，具备：
3、半导体基板；
4、第一半导体层，形成在上述半导体基板上；
5、绝缘膜，形成在上述第一半导体层上；以及
6、连接电极，由表面电极和镀膜构成，上述表面电极形成为与上述绝缘膜接触且在底部侧具有供上述绝缘膜露出的多个开口部，上述镀膜形成为与上述表面电极接触且覆盖上述开口部。
7、本公开所涉及的半导体元件的制造方法，其中，包括：
8、在半导体基板上进行第一半导体层的结晶生长的结晶生长工序；
9、在上述第一半导体层上形成绝缘膜的绝缘膜形成工序；
10、在上述绝缘膜上形成表面电极的表面电极形成工序，上述表面电极在底部侧具有供上述绝缘膜露出的多个开口部；以及
11、在上述表面电极上形成覆盖上述开口部的镀膜的镀膜形成工序。
12、根据本公开所涉及的半导体元件，不损害在布线连接部中信号输入线与连接电极的连接性，就能减少布线连接部中产生的静电电容，因此起到可以得到高频特性优异的半导体元件的效果。
13、根据本公开所涉及的半导体元件的制造方法，起到不增加半导体元件的制造成本就能制造高频特性优异的半导体元件的效果。
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1.一种半导体元件，其中，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体元件，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，
7.根据权利要求4～6中任一项所述的半导体元件，其特征在于，
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体元件，其特征在于，
9.一种半导体元件，其中，具备：
10.根据权利要求9所述的半导体元件，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，
12.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体元件，其特征在于，
13.一种半导体元件的制造方法，其中，包括：
14.根据权利要求13所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
15.根据权利要求13或14所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
16.一
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体元件，其中，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体元件，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，
7.根据权利要求4～6中任一项所述的半导体元件，其特征在于，
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体元件，其特征在于，
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