【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及等离子体源。
技术介绍
1、作为以往的等离子体源的一例，有专利文献1所示的离子注入装置中使用的离子源。该离子源构成为使设置在腔室内的阴极与反射器(reflector)对置配置，并且使用设置在腔室的周围的电磁铁使磁通通过腔室内，从而使从阴极发射的电子朝向反射器。
2、在上述构成中，通过向腔室内供给等离子体生成用气体，电子使等离子体生成用气体电离，从而生成等离子体，从形成于腔室的引出口引出离子束。
3、在以往的构成中，通过腔室内的磁通的方向是确定的，在从阴极发射的电子、被磁通捕获的等离子体中的离子例如大量地碰撞到反射器的中心部的情况下，中心部局部地消耗，无法使整体均匀地消耗。
4、另外，在电子、离子例如大量地碰撞到反射器的从中心部偏离的部位的情况下，产生反射器不是整体均匀地消耗而是该偏离的部位局部地消耗这样的问题。
5、作为这些问题的结果，需要频繁地更换反射器。
6、另外，产生局部的消耗的问题并不限定于反射器，例如在溅射靶与阴极对置配置的情况下，即使在该溅射靶也共同地产生问题。
7、专利文献1：日本专利公开公报特开2002-140997号
技术实现思路
1、因此，本专利技术是为了解决上述问题而完成的，其主要目的在于能够调整通过腔室内的磁通的方向，进而能够使与阴极对置配置的反射器和靶等部件均匀地消耗。
2、即，本专利技术的等离子体源的特征在于，所述等离子体源具备：腔室，生成等离子体；阴极，设
3、根据这样构成的等离子体源，由于能够变更构成电磁铁的磁通通过部件的使用方式，所以由此能够改变通过腔室内的磁通的方向。
4、其结果，能够调整从阴极发射的电子的行进方向、等离子体中的离子的行进方向或者等离子体分布，进而能够使与阴极对置配置的反射器和靶等部件均匀地消耗。
5、作为具体的所述使用方式，可以举出所述磁通通过部件的方向、尺寸、或有无的方式。
6、如果这样，则能够将通过腔室内的磁通变更为各种方向，能够提高从阴极发射的电子的行进方向、等离子体中的离子的行进方向或者等离子体分布的调整的自由度。
7、优选的是，所述电磁铁具有设置在所述阴极侧以及与所述阴极相反的一侧且夹入所述腔室的一对磁极部件作为所述磁通通过部件，一方或双方的所述磁极部件的朝向所述腔室的端面相对于所述阴极和与所述阴极对置配置的部件的对置方向倾斜。
8、如果是这样的构成，则一方或双方的磁极部件的端面相对于对置方向倾斜，因此，能够使由这些磁极部件形成的腔室内的磁通通过的方向相对于对置方向倾斜。
9、由此，能够调整从阴极发射的电子的行进方向、等离子体中的离子的行进方向或者等离子体分布，使得反射器表面、靶表面的目标部位消耗。
10、优选的是，一方或双方的所述磁极部件能够旋转以改变所述端面相对于所述对置方向的倾斜。
11、如果是这样的构成，则通过使磁极部件旋转，能够改变通过腔室内的磁通的方向，因此能够使从阴极发射的电子的行进方向、等离子体中的离子的行进方向或者等离子体分布的调整作业容易。
12、优选的是，所述电磁铁具有在前端部设置有一方的所述磁极部件的第一磁轭元件、在前端部设置有另一方的所述磁极部件的第二磁轭元件、以及连接所述第一磁轭元件的基端部以及所述第二磁轭元件的基端部且卷绕线圈的芯元件，分别作为所述磁通通过部件，所述第一磁轭元件的从所述基端部到所述前端部的长度与所述第二磁轭元件的从所述基端部到所述前端部的长度彼此不同。
13、如果是这样的构成，则第一磁轭元件与第二磁轭元件的从基端部到前端部的长度不同，因此能够使作为一对磁极部件的对置方向的磁极对置方向相对于上述对置方向倾斜，能够使由这些磁极部件形成的腔室内的磁通通过的方向相对于对置方向倾斜。
14、由此，如上所述，能够调整从阴极发射的电子的行进方向、等离子体中的离子的行进方向或者等离子体分布，使得反射器表面、靶表面的目标部位消耗。
15、优选的是，所述第一磁轭元件或所述第二磁轭元件的一方或双方构成为能够变更从所述基端部到所述前端部的长度。
16、如果是这样的构成，则通过改变第一磁轭元件和第二磁轭元件的长度，能够改变通过腔室内的磁通的方向，因此能够使从阴极发射的电子的行进方向、等离子体中的离子的行进方向或者等离子体分布的调整作业容易。
17、根据这样构成的本专利技术，能够调整通过腔室内的磁通的方向，进而能够使与阴极对置配置的部件整体均匀地消耗。
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1.一种等离子体源，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，
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【技术特征摘要】
1.一种等离子体源，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，
4...
【专利技术属性】
技术研发人员：渡边穗香，藤田秀树，平井裕也，
申请(专利权)人：日新离子机器株式会社，
类型：发明
国别省市：
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