【技术实现步骤摘要】
本实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、作为半导体器件的布线层，例如使用铜层。通过以电阻较低的铜层形成电子电路，能够实现高性能的半导体器件。为了进一步减少布线层的电阻而使半导体器件更加高性能，考虑将铜层的厚度加厚。
技术实现思路
1、本实施方式提供具有较厚的铜层的高性能的半导体装置以及半导体装置的制造方法。
2、实施方式的半导体装置具备：铜层，具有下表面、上表面、第一侧面以及第二侧面，所述第一侧面与所述第二侧面之间的第一距离比所述下表面与所述上表面之间的第二距离大；第一金属层，与所述下表面、所述第一侧面以及所述第二侧面相接，包含与铜不同的第一金属材料；以及第二金属层，与所述上表面相接，包含与铜不同的第二金属材料。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备如下步骤：
12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
13.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
14.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的半导体...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。