【技术实现步骤摘要】
本技术涉及耦合器的，特别是涉及一种低温共烧陶瓷耦合器。
技术介绍
1、随着5g通信技术的发展，到当前的5.5g，更大的通信信道容量，更快的传输速率，更远的覆盖范围永远是技术迭代更新的方向。
2、耦合器在通信领域使用的场景很多，在天线中可用来做功率分配，相位控制；在功率放大器(pa，poweramplifier)功率监控设计中是负反馈不可或缺的一部分；它在平衡式lna(low noiseamplifier，低噪声放大器)和pa设计中，被用来拓宽带宽和线性度；它也可以用在iq混频和移相器的设计当中。耦合器可以是弱耦合(如10db、20db)，也可以是强耦合如3db，可以根据不同的使用场景来决定。
3、无论是用在终端、宏站、微站甚至是皮站，用户永远都是追求更小的插入损耗，更高的隔离度、更宽的频率范围和更低的成本。更低的插入损耗意味着更低的能耗，更高的效率；更高的隔离度则意味着抗干扰性更强；更宽的使用频率则是出于成本的考量。在宏站和微站，更高的功率容量是必须解决的问题。
4、传统的ltcc(low temperature co-fired ceramic ltcc即低温共烧陶瓷，耦合器)器件很难满足大功率特别是高于20w的要求。为解决这个问题，传统方法一般是外购一些非ltcc器件，在pcba(printed circuit boardassembly)上预留一个footprint(焊垫)，在smt(电子电路表面组装技术，surface mount technology)过程中单独焊接处理，不能和其它元
5、目前解决功率容量的方法具有以下缺点：
6、1、器件的功率容量性能不足，器件在高功率通过时会引起击穿；
7、2、器件插入损耗大，工作时发热过量；
8、3、器件缺少良好的散热，使得器件工作时产生的热量不能及时散去，热量累积使得器件温度过高。
技术实现思路
1、本技术的目的在于解决现有的耦合器功率容量不足、散热不佳的技术问题，提供一种低温共烧陶瓷耦合器。
2、为实现上述目的，本技术采用以下技术方案：
3、一种低温共烧陶瓷耦合器，包括主体基材和夹在所述主体基材之间的共烧夹层，所述主体基材的介电常数小于所述共烧夹层的介电常数，还包括传输线和耦合线，所述主体基材包括第一基材与第二基材，所述传输线位于所述第一基材的下表面或所述传输线位于所述共烧夹层的上表面，所述耦合线位于所述第二基材的上表面或所述传输线位于所述共烧夹层的下表面。
4、在本技术的一些实施例中，所述第一基材的介电常数与所述第二基材的介电常数相同或者不相同。
5、在本技术的一些实施例中于，所述耦合线的宽度不超过400微米，所述耦合线与所述传输线的间隙至少为150微米。
6、在本技术的一些实施例中，还包括外电极，所述传输线、所述耦合线与所述外电极通过共烧物理相连，以作为所述低温共烧陶瓷耦合器的管脚。
7、在本技术的一些实施例中，所述外电极的数量为4个。
8、在本技术的一些实施例中，还包括位于底面的接地层和接地电极，所述接地电极与所述接地层相连。
9、在本技术的一些实施例中，所述主体基材的介电常数为3至5，所述共烧夹层的介电常数为4至6。
10、在本技术的一些实施例中，所述主体基材的介电常数为4，所述共烧夹层的介电常数为5。
11、在本技术的一些实施例中，所述主体基材的介电常数为3，所述共烧夹层的介电常数为4。
12、在本技术的一些实施例中，所述耦合器的尺寸为6.3*5毫米。
13、本技术具有如下有益效果：
14、本技术提出的低温共烧陶瓷耦合器，通过使用不同介电常数的材料共烧而成的多层结构，端口匹配能够兼顾线宽和线距，电气指标能有效兼顾大功率要求，调谐余量扩增，可以在更大的频率范围内实现良好的端口匹配，实现低插损和高隔离度，增强抗干扰能力。夹层不同介电常数的应用，可以在更大的间隙实现强耦合，从而提高功率容量；同时，共烧夹层的介电常数相对主体基材的介电常数高、热阻小，使得器件工作时热量可以及时散发，能够更好的兼顾产品的散热性，良好的导热更好地满足大功率的要求，从而保证器件稳定工作。
15、在本技术的一些实施例中，耦合线的线宽、传输线与耦合线之间的灵活可调节，从而组合出更宽的线宽和线距以满足功率容量的要求。
16、本技术实施例中的其他有益效果将在下文中进一步述及。
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1.一种低温共烧陶瓷耦合器，其特征在于，包括主体基材和夹在所述主体基材之间的共烧夹层，所述主体基材的介电常数小于所述共烧夹层的介电常数；
2.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷耦合器，其特征在于，所述第一基材的介电常数与所述第二基材的介电常数相同或者不相同。
3.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷耦合器，其特征在于，所述耦合线的宽度不超过400微米，所述耦合线与所述传输线的间隙至少为150微米。
4.根据权利要求1至3任一项所述的低温共烧陶瓷耦合器，其特征在于，还包括外电极，所述传输线、所述耦合线与所述外电极通过共烧物理相连，以作为所述低温共烧陶瓷耦合器的管脚。
5.根据权利要求4所述的低温共烧陶瓷耦合器，其特征在于，所述外电极的数量为4个。
6.根据权利要求4所述的低温共烧陶瓷耦合器，其特征在于，还包括位于底面的接地层和接地电极，所述接地电极与所述接地层相连。
7.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷耦合器，其特征在于，所述主体基材的介电常数为3至5，所述共烧夹层的介电常数为4至6。
8.根据权利要求7
9.根据权利要求7所述的低温共烧陶瓷耦合器，其特征在于，所述主体基材的介电常数为3，所述共烧夹层的介电常数为4。
10.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷耦合器，其特征在于，所述耦合器的尺寸为6.3*5毫米。
...【技术特征摘要】
1.一种低温共烧陶瓷耦合器，其特征在于，包括主体基材和夹在所述主体基材之间的共烧夹层，所述主体基材的介电常数小于所述共烧夹层的介电常数；
2.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷耦合器，其特征在于，所述第一基材的介电常数与所述第二基材的介电常数相同或者不相同。
3.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷耦合器，其特征在于，所述耦合线的宽度不超过400微米，所述耦合线与所述传输线的间隙至少为150微米。
4.根据权利要求1至3任一项所述的低温共烧陶瓷耦合器，其特征在于，还包括外电极，所述传输线、所述耦合线与所述外电极通过共烧物理相连，以作为所述低温共烧陶瓷耦合器的管脚。
5.根据权利要求4所述的低温共烧陶瓷耦合器，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：韦建良，刘强胜，王清华，
申请(专利权)人：深圳顺络叠层电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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