【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种静电释放电路单元、半导体器件面板及电子设备。
技术介绍
1、目前，在半导体器件电路的生产过程以及产品运输中，生产设备以及外界环境中均会产生或传播一些或大或小的静电。由于静电的存在，生产过程中的产品以及运输中的产品容易发生器件或结构的静电损伤，例如静电击穿器件、击伤结构造成线路短路等，因此静电防护尤为重要。
2、然而，通常的静电保护结构采用二极管或简单的尖端结构进行静电的释放，但是，对大伏值静电的引流和释放能力有限，静电防护效果较差。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种静电释放电路单元、半导体器件面板及电子设备，能够有效引入大伏值静电，并进行静电释放，静电释放效率较高，可提高静电防护效果。
2、本申请实施例的第一方面，提供一种静电释放电路单元，包括：
3、静电释放阵列，包括多个相互电连接的静电释放结构，所述静电释放结构包括第一结构部和第二结构部，所述第一结构部与所述第二结构部分别属于不同的导电层，所述第一结构部与所述第二结构部通过绝缘层过孔电连接，所述第二结构部具有至少一个尖端；
4、开关器件，一端用于电连接静电主引线，另一端与任意所述静电释放结构电连接。
5、在一些实施方式中，所述静电释放结构包括第三结构部，所述第三结构部与所述第一结构部分别属于不同的导电层，所述第三结构部与所述第一结构部之间相互绝缘，所述第三结构部与所述第二结构部之间相互绝缘；和/或，
6、所述第三结构部具有
7、在一些实施方式中，所述第三结构部与所述第二结构部均设置于所述第一结构部的同一侧。
8、在一些实施方式中，所述第三结构部与所述第二结构部同层设置，所述第三结构部与所述第二结构部在所述第一结构部上的正投影无交叠；和/或，
9、至少一个所述第三结构部在所述第一结构部上的正投影与所述第一结构部的边缘存在交叠。
10、在一些实施方式中，至少一个所述第二结构部在所述第一结构部上的正投影覆盖所述第一结构部的几何中心。
11、在一些实施方式中，所述第三结构部在所述第一结构部上正投影的几何中心与所述第一结构部的边缘重合；和/或，
12、所述第二结构部在所述第一结构部上正投影的几何中心与所述第一结构部的几何中心重合；和/或，
13、所述绝缘层过孔在所述第一结构部上正投影的几何中心覆盖所述第一结构部的几何中心。
14、在一些实施方式中，在所述第一结构部为多边形的情况下，所述第三结构部在所述第一结构部上的正投影覆盖所述第一结构部的边缘拐角。
15、在一些实施方式中，所述第三结构部在所述第一结构部上正投影的几何中心与所述第一结构部的边缘拐角重合；和/或，
16、至少一个所述静电释放结构的所述第一结构部的每个边缘拐角对应一个所述第三结构部。
17、在一些实施方式中，所述第二结构部在所述第一结构部上正投影的形状包括三角形、四边形、六边三角星形、八边四角星形和十边五角星形中的至少一种；和/或，
18、所述第三结构部在所述第一结构部上正投影的形状包括三角形、四边形、六边三角星形、八边四角星形和十边五角星形中的至少一种。
19、在一些实施方式中，相邻的所述静电释放结构之间通过连接引线电连接；
20、所述连接引线与所述第一结构部或所述第二结构部同层设置；和/或，
21、所述静电主引线与所述第一结构部或所述第二结构部同层设置。
22、在一些实施方式中，所述开关器件包括第一晶体管；
23、所述第一晶体管的栅极与第一电极电连接，所述第一电极或所述栅极用于电连接所述静电主引线，所述第一晶体管的第二电极与任意所述静电释放结构的所述第一结构部电连接，其中，所述第一电极为所述第一晶体管的源极和漏极中的一者，所述第二电极为所述源极和所述漏极中的另一者；
24、所述第一电极与所述第一结构部或所述第二结构部同层设置；和/或，
25、所述第二电极与所述第一结构部或所述第二结构部同层设置。
26、在一些实施方式中，所述静电释放电路单元，还包括：
27、静电屏蔽结构，所述静电屏蔽结构与所述静电释放结构之间相互绝缘，所述静电屏蔽结构包括金属材料；
28、所述静电屏蔽结构围绕所述静电释放阵列，或，至少一个所述静电释放阵列在所述静电屏蔽结构上的正投影落入所述静电屏蔽结构所在区域。
29、在一些实施方式中，所述静电释放电路单元，还包括：
30、衬底层，所述静电释放阵列和所述开关器件均设置于所述衬底层的同侧；
31、所述静电屏蔽结构设置于所述第一晶体管的半导体层远离所述衬底层的一侧；
32、所述静电屏蔽结构在所述半导体层上的正投影覆盖所述半导体层的沟道区域。
33、在一些实施方式中，所述静电屏蔽结构设置于所述静电释放阵列远离所述衬底层的一侧；和/或，
34、所述第二结构部设置于所述第一结构部远离所述衬底层的一侧；和/或，
35、所述第一晶体管设置于所述静电释放阵列与所述静电主引线之间；和/或，
36、所述静电屏蔽结构在所述衬底层上的正投影与所述静电主引线在所述衬底层上的正投影之间无交叠。
37、本申请实施例的第二方面，提供一种半导体器件面板，包括：
38、衬底层，所述衬底层包括功能区和非功能区，所述非功能区围绕所述功能区；
39、所述功能区包括多个半导体器件；
40、所述非功能区设置有多个如第一方面所述的静电释放电路单元。
41、在一些实施方式中，多个所述静电释放电路单元呈阵列排布，任意所述静电释放电路单元之间相互绝缘；
42、所述非功能区包括静电主引线；
43、至少一行的所述静电释放电路单元与同一个所述静电主引线电连接；和/或，
44、至少一列的所述静电释放电路单元与同一个所述静电主引线电连接。
45、在一些实施方式中，所述半导体器件面板，还包括：
46、屏蔽环，至少部分围绕所述功能区；
47、所述静电主引线与所述屏蔽环电连接。
48、在一些实施方式中，所述非功能区包括密集布线区域和绑定区域，所述密集布线区域内设置有多条信号线，所述绑定区域内设置有绑定引脚，所述绑定引脚用于绑定驱动芯片；
49、所述信号线的一端用于电连接所述绑定引脚，另一端用于电连接所述半导体器件；
50、至少部分所述静电释放电路单元在所述衬底层上的正投影与所述密集布线区域和所述绑定区域均无交叠。
51、在一些实施方式中，至少部分所述静电释放电路单元在所述衬底层上的正投影与所述密集布线区域交叠；
52、所述静电释放电路单元的静电释放阵列在静电屏蔽结构上的正投影均落入所述静电屏本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种静电释放电路单元，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的静电释放电路单元，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的静电释放电路单元，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的静电释放电路单元，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的静电释放电路单元，其特征在于，
6.根据权利要求2所述的静电释放电路单元，其特征在于，
7.根据权利要求2所述的静电释放电路单元，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的静电释放电路单元，其特征在于，
9.根据权利要求2所述的静电释放电路单元，其特征在于，
10.根据权利要求2所述的静电释放电路单元，其特征在于，
11.根据权利要求1-10中任一项所述的静电释放电路单元，其特征在于，
12.根据权利要求11所述的静电释放电路单元，其特征在于，还包括：
13.根据权利要求12所述的静电释放电路单元，其特征在于，还包括：
14.根据权利要求13所述的静电释放电路单元，其特征在于，
15.
16.根据权利要求15所述的半导体器件面板，其特征在于，
17.根据权利要求16所述的半导体器件面板，其特征在于，还包括：
18.根据权利要求15所述的半导体器件面板，其特征在于，
19.根据权利要求18所述的半导体器件面板，其特征在于，
20.根据权利要求15-19中任一项所述的半导体器件面板，其特征在于，还包括：
21.根据权利要求20所述的半导体器件面板，其特征在于，
22.一种电子设备，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种静电释放电路单元，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的静电释放电路单元，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的静电释放电路单元，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的静电释放电路单元，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的静电释放电路单元，其特征在于，
6.根据权利要求2所述的静电释放电路单元，其特征在于，
7.根据权利要求2所述的静电释放电路单元，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的静电释放电路单元，其特征在于，
9.根据权利要求2所述的静电释放电路单元，其特征在于，
10.根据权利要求2所述的静电释放电路单元，其特征在于，
11.根据权利要求1-10中任一项所述的静电释放电路单元，其特征在于，
12.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：王勋，侯学成，庞凤春，李金钰，姜振武，耿越，占香蜜，杨祎凡，明振兴，杜清馨，丰亚洁，祁朝阳，席聪聪，代翼，
申请(专利权)人：北京京东方传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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