【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及tac粉末制备，特别是一种超细tac粉末制备tac涂层的方法。
技术介绍
1、随着半导体领域对碳材料器件的使用要求进一步提高，碳化硅在某些特殊场景已不能满足要求，如：在1600℃下h2会促进碳化硅的气化，这会使得碳化硅涂层被慢慢腐蚀，从而导致涂层表面粗糙度差异过大，引起表面温度分布不均匀；抑或是把碳化硅涂层腐蚀穿透，进一步快速腐蚀内部的石墨基材，仅留下表面一层薄薄的碳化硅涂层。
2、tac是替代碳化硅的最佳候选材料之一。tac是一种超高温材料，在2000℃以上依然可以正常使用。将tac沉积到碳基材料表面形成tac涂层，可以使得碳材料具有良好抗热震、抗氧化性能和优良的热化学稳定性。因此tac涂层被广泛应用于单晶生长、外延等领域，可以减少产品的杂质含量、延长零部件使用寿命、提高生产效率。但是，目前制备tac涂层的方法，较为单一，工艺难度大，且在工业化生产方面还不是很成熟，不能很好地适应现有
对tac涂层的需求，更重要的是，通过现有技术制备得到的tac涂层的tac纯度不高、致密性不高，严重影响了tac涂层对碳基材料的性能改善，降低了其功能性。
3、因此，迫切需要一种新型的tac涂层制备方法，从而获得纯度和致密性更高的tac涂层。
技术实现思路
1、为了改善现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种超细tac粉末及其tac涂层的制备方法。本专利技术以tac粉末为原料采用烧结法形成tac涂层，工艺路径简单，具有可持续生产和生产效率高等优点；并且
2、为了实现上述目的，本专利技术的第一方面提供了一种超细tac粉末制备tac涂层的方法，所述方法包括：采用化学气相沉积工艺形成tac粉末；以所述tac粉末为原料采用烧结法形成tac涂层；其中，所述化学气相沉积工艺包括以下步骤：
3、执行细化工艺，在第一保护气体下细化钽源粉末；以及，执行送料工艺，在载气和还原性气体下以第一摩尔比导入所述钽源粉末；以及，执行预热工艺，在第一温度维持第一时间段；以及，执行第一阶段沉积工艺，在第二保护气体下以第二摩尔比继续导入碳源气体，并且在第二温度维持第二时间段；以及，执行第二阶段沉积工艺，在第三时间段内从所述第二温度下降至第三温度；以及，执行回收工艺，采用真空回收装置收集所述tac粉末，并中和尾气，即得到所述tac粉末。
4、通过上述技术方案，本专利技术与现有技术相比至少具有以下优势：
5、本专利技术采用化学气相沉积法制备得到的tac粉末，能够有效改善粉末团聚问题，使得基于tax5-cnhm-h2-ar（x=f、cl、br，cnhm包括ch4、c2h4、c2h6、c3h6和c3h8中的一种或多种）体系采用化学气相沉积工艺形成的tac粉末具有较细的团聚粒度尺寸，并且其化学式为tac x，其中，0.9≤ x≤1，不存在ta2c、c等杂质相，具有非常高的纯度，从而提升了tac涂层对碳基材料的性能改善及其功能性；并且本专利技术以tac粉末为原料采用烧结法形成tac涂层，工艺路径简单，具有可持续生产和生产效率高等优点，应用前景更加广泛。
6、在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种超细TaC粉末制备TaC涂层的方法，其特征在于，所述方法包括：采用化学气相沉积工艺形成TaC粉末；以所述TaC粉末为原料，采用烧结法形成TaC涂层；其中，
2.根据权利要求1所述的超细TaC粉末制备TaC涂层的方法，其特征在于，所述TaC粉末的化学式为TaCx，其中，0.9≤x≤1；
3.根据权利要求1或2所述的超细TaC粉末制备TaC涂层的方法，其特征在于，所述TaC粉末包括第一团聚体颗粒和第二团聚体颗粒，所述第一团聚体颗粒的尺寸为亚微米级，所述第二团聚颗粒的尺寸为纳米级；
4.根据权利要求1所述的超细TaC粉末制备TaC涂层的方法，其特征在于，所述烧结法包括气压烧结法、热压烧结法、热等静压烧结法、放电等离子烧结法和微波烧结法中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的超细TaC粉末制备TaC涂层的方法，其特征在于，所述烧结法包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的超细TaC粉末制备TaC涂层的方法，其特征在于，在所述烧结处理的过程中，烧结温度控制在1800℃-2400℃，烧结时间控制在0.2h-4h；
【技术特征摘要】
1.一种超细tac粉末制备tac涂层的方法，其特征在于，所述方法包括：采用化学气相沉积工艺形成tac粉末；以所述tac粉末为原料，采用烧结法形成tac涂层；其中，
2.根据权利要求1所述的超细tac粉末制备tac涂层的方法，其特征在于，所述tac粉末的化学式为tacx，其中，0.9≤x≤1；
3.根据权利要求1或2所述的超细tac粉末制备tac涂层的方法，其特征在于，所述tac粉末包括第一团聚体颗粒和第二团聚体颗粒，所述第一团聚体颗粒的尺寸为亚微米级，所述第二团聚...
【专利技术属性】
技术研发人员：余盛杰，刘波，黄凌云，廖家豪，柴攀，
申请(专利权)人：湖南德智新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。