一种引线框架结构制造技术

技术编号:42882807 阅读:8 留言:0更新日期:2024-09-30 15:05
本申请涉及半导体器件领域,尤其涉及一种引线框架结构,其包括塑封体、源极金属片以及漏极导电金属片,所述漏极导电金属片包括隐藏部和暴露部,所述隐藏部位于塑封体内部,用于安装芯片,所述暴露部一侧暴露于塑封体外部,并且所述暴露部与隐藏部连接;所述隐藏部位于源极金属片与暴露部之间。本申请具有提高半导体器件在高电压环境下的稳定性的效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件的,尤其是涉及一种引线框架结构


技术介绍

1、随着半导体技术的不断发展,半导体元器件的体积逐渐缩小,封装结构不断更新。

2、例如专利号为cn216015357u的技术专利公开的一种封装结构,漏极与源极金属片位于塑封体一侧,漏极对应靠近塑封体的一侧贴装芯片,基于芯片的尺寸以及半导体器件的整体尺寸的要求,导致漏极与源极之间的距离较小,进而使得半导体器件在高压环境下工作时的稳定性较低。


技术实现思路

1、为了提高半导体器件在高电压环境下工作的稳定性,本申请提供一种引线框架结构。

2、本申请提供的一种引线框架结构采用如下的技术方案:

3、一种引线框架结构,包括塑封体、源极金属片以及漏极导电金属片,所述漏极导电金属片包括隐藏部和暴露部,所述隐藏部位于塑封体内部,用于安装芯片,所述暴露部一侧暴露于塑封体外部,并且所述暴露部与隐藏部连接;所述隐藏部位于源极金属片与暴露部之间。

4、通过采用上述技术方案,将一部分漏极导电金属片隐藏于塑封体内部,塑封体包覆在隐藏部外部起到绝缘的作用,增大暴露于塑封体外部的漏极导电金属片与源极金属片之间的距离,进而提高半导体器件在高压环境下使用的稳定性。

5、可选的,所述暴露部与隐藏部之间设置有连接部,连接部两侧分别与隐藏部和暴露部连接,并与隐藏部和暴露部一体成型设置。

6、通过采用上述技术方案,连接部与隐藏部和暴露部一体成型设置,一方面使暴露部与隐藏部的连接更加稳定,另一方面,可通过冲压设备冲压后直接制成,方便生产和制造。

7、可选的,定义暴露部暴露于塑封体外部的侧面为第一电连接面,定义隐藏部靠近暴露部的侧面为隐藏面,所述隐藏面与第一电连接面的垂直距离不小于0.075mm。

8、通过采用上述技术方案,塑封完成后,第一电连接面与塑封体侧壁平齐。控制隐藏面与第一电连接面之间的距离,以方便树脂填充至第一电连接面与隐藏面之间,即方便注塑封装。

9、可选的,所述隐藏面与第一电连接面之间的垂直距离为0.1mm。

10、通过采用上述技术方案,控制隐藏面与第一电连接面之间的距离,为隐藏部远离暴露部的一侧安装芯片预留足够的空间。

11、可选的,所述隐藏部厚度小于暴露部的厚度,所述隐藏部远离第一电连接面的侧面与隐藏部远离第一电连接面的侧面平齐。

12、通过采用上述技术方案,在这里,漏极导电金属片可采用蚀刻的工艺方法在自身一侧蚀刻一定的深度,从而形成与第一电连接面平行间隔设置的隐藏面。

13、可选的,所述隐藏部与暴露部的厚度差为0.1mm。

14、通过采用上述技术方案,控制隐藏部与暴露部之间的厚度差为0.1mm,方便注塑封装的同时,能够使隐藏部保持足够的厚度,提高隐藏部使用过程中的稳定性。

15、可选的,所述暴露部远离源极金属片的一侧设置有l型支架,所述支架一端垂直连接在暴露部上,另一端插入塑封体内部。

16、通过采用上述技术方案,通过支架提高塑封体与漏极导电金属片之间连接的稳定性。

17、综上所述,本申请包括以下至少一种有益技术效果:

18、1.将漏极导电金属片一部分隐藏于塑封体内部,利用塑封体对漏极进行绝缘处理,增大第一电连接面与第二电连接面之间的距离,从而提高半导体器件在高电压环境下运行的稳定性。

19、2.通过改变冲压设备在漏极导电金属片上的冲压位置,能够改变第一电连接面与第二电连接面之间的距离,实现一种封装形式应用于不同电压等级的产品。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种引线框架结构,包括塑封体(1)、源极金属片以及漏极导电金属片(2),其特征在于:所述漏极导电金属片(2)包括隐藏部(22)和暴露部(21),所述隐藏部(22)位于塑封体(1)内部,用于安装芯片,所述暴露部(21)一侧暴露于塑封体(1)外部,并且所述暴露部(21)与隐藏部(22)连接;所述隐藏部(22)位于源极金属片与暴露部(21)之间。

2.根据权利要求1所述的一种引线框架结构,其特征在于:所述暴露部(21)与隐藏部(22)之间设置有连接部(23),连接部(23)两侧分别与隐藏部(22)和暴露部(21)连接,并与隐藏部(22)和暴露部(21)一体成型设置。

3.根据权利要求2所述的一种引线框架结构,其特征在于:定义暴露部(21)暴露于塑封体(1)外部的侧面为第一电连接面(24),定义隐藏部(22)靠近暴露部(21)的侧面为隐藏面(26),所述隐藏面(26)与第一电连接面(24)的垂直距离不小于0.075mm。

4.根据权利要求3所述的一种引线框架结构,其特征在于:所述隐藏面(26)与第一电连接面(24)之间的垂直距离为0.1mm。>

5.根据权利要求1所述的一种引线框架结构,其特征在于:所述隐藏部(22)厚度小于暴露部(21)的厚度,所述隐藏部(22)远离第一电连接面(24)的侧面与隐藏部(22)远离第一电连接面(24)的侧面平齐。

6.根据权利要求5所述的一种引线框架结构,其特征在于:所述隐藏部(22)与暴露部(21)的厚度差为0.1mm。

7.根据权利要求2-6任意一项所述的一种引线框架结构,其特征在于:所述暴露部(21)远离源极金属片的一侧设置有L型支架(4),所述支架(4)一端垂直连接在暴露部(21)上,另一端插入塑封体(1)内部。

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【技术特征摘要】

1.一种引线框架结构,包括塑封体(1)、源极金属片以及漏极导电金属片(2),其特征在于:所述漏极导电金属片(2)包括隐藏部(22)和暴露部(21),所述隐藏部(22)位于塑封体(1)内部,用于安装芯片,所述暴露部(21)一侧暴露于塑封体(1)外部,并且所述暴露部(21)与隐藏部(22)连接;所述隐藏部(22)位于源极金属片与暴露部(21)之间。

2.根据权利要求1所述的一种引线框架结构,其特征在于:所述暴露部(21)与隐藏部(22)之间设置有连接部(23),连接部(23)两侧分别与隐藏部(22)和暴露部(21)连接,并与隐藏部(22)和暴露部(21)一体成型设置。

3.根据权利要求2所述的一种引线框架结构,其特征在于:定义暴露部(21)暴露于塑封体(1)外部的侧面为第一电连接面(24),定义隐藏部(22)靠近暴露部(21)的侧面为隐藏面(...

【专利技术属性】
技术研发人员:施锦源周刚梁钰华刘景宝
申请(专利权)人:佛山市信展通电子有限公司
类型:新型
国别省市:

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