【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏电池制备，尤其涉及一种tbc背接触电池的制备方法。
技术介绍
1、光伏发电的核心主体是太阳电池，因光吸收层材料的不同而划分为晶体硅太阳电池、薄膜太阳电池等类型。晶体硅太阳电池因其原料充足、技术成熟、光电转换效率高等优势，一直处于光伏市场的主导地位，当下，光伏电池中的topcon电池和ibc电池应用较多。ibc电池的背面分别进行局部磷和硼扩散，形成有指状交叉排列的p型区域与n型区域；ibc电池的正负极均在电池背面，正面无金属遮光，极大地提高了电池的光学吸收。topcon电池采用1～2nm的隧穿氧化层叠加掺杂的多晶硅层形成了钝化接触结构，有效降低了硅片表面和金属接触复合速率。
2、叠加topcon和ibc技术的新型tbc电池(tbc背接触电池)成为研究新热点，tbc电池是指在n型硅片基底上，采用p型和n型的poly-si作为发射极和bsf背表面场的一种电池结构，并在poly-si与掺杂层之间还沉积有隧穿氧化层(即氧化硅)，因此tbc电池吸收了topcon电池的隧穿氧化层钝化接触技术和ibc电池背面制备呈叉指状间隔排列的p型区域与n型区域技术。目前，tbc电池的工艺流程为：清洗制绒→隧穿氧化层+磷掺杂非晶硅→掩膜→激光开槽→硼掺杂非晶硅→刻蚀→氧化硅钝化→正面减反膜→背面减反膜→激光开槽→丝网印刷→烧结金属化。在实际制备过程中，通常需要在tbc电池的背面利用多步掩膜图形化工艺和刻蚀形成p型区域和n型区域。然而，多步制备掩膜及清洗掩膜的步骤导致电池制备工艺繁琐，并且，当刻蚀隔离区时容易出现刻蚀不到位的情况，
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种tbc背接触电池的制备方法。本专利技术的技术方案如下：
2、一种tbc背接触电池的制备方法，包括以下步骤：
3、s1，对n型硅片的正面和背面进行碱抛光处理，将完成碱抛光处理的n型硅片的背面划分为多个第一区域、多个第二区域和多个隔离区域，并使得多个第一区域和多个第二区域之间交叉平行分布，且相邻的第一区域和第二区域之间通过隔离区域分开；
4、s2，对完成碱抛光处理的n型硅片的背面进行lpcvd处理和硼扩散处理，使得n型硅片的背面依次形成第一隧穿氧化层、第一掺杂多晶硅层和bsg层，并使得n型硅片的侧面和正面的边缘均形成第一掺杂多晶硅层；
5、s3，对s2处理后的n型硅片背面的多个第一区域和多个隔离区域的bsg层进行第一次激光改性处理和第一次清洗，以去除位于n型硅片背面上第一区域和隔离区域的bsg层、第一掺杂多晶硅层和第一隧穿氧化层，同时去除n型硅片的侧面和正面的边缘的第一掺杂多晶硅层；
6、s4，对完成第一次清洗的n型硅片背面进行pe-poly处理和退火处理，使得n型硅片背面的第一区域和隔离区域上均依次形成第二隧穿氧化层、第二掺杂多晶硅层和psg层，并使得位于多个第二区域的bsg层背面依次形成第二掺杂多晶硅层和psg层，同时还使得n型硅片侧面和正面边缘均形成第二掺杂多晶硅层；
7、s5，对完成退火处理的n型硅片背面的多个第二区域和多个隔离区域的psg层进行第二次激光改性处理和第二次清洗，以去除位于第二区域的psg层、第二掺杂多晶硅层以及隔离区域的psg层、第二掺杂多晶硅层、第二隧穿氧化层，同时去除n型硅片侧面和正面边缘的第二掺杂多晶硅层；
8、s6，对完成第二次清洗的n型硅片正面和背面的隔离区域进行制绒处理，对完成制绒处理的n型硅片背面的第一区域和第二区域进行丝网印刷处理和烧结处理，以在所述n型硅片的背面形成金属电极。
9、可选地，所述s2在具体实施时，包括：
10、s21，将完成碱抛光处理的n型硅片置入lpcvd设备中进行lpcvd处理，以在n型硅片的背面依次形成第一隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层，并在n型硅片的侧面和正面的边缘形成第一掺杂多晶硅层；
11、s22，对完成lpcvd处理的n型硅片进行硼扩散处理，以在第一掺杂多晶硅层的背面形成bsg层；
12、s23，将形成bsg层的n型硅片置入链式清洗机内进行去bsg处理，以去除位于n型硅片正面边缘和侧面的bsg层。
13、可选地，所述s3在具体实施时，包括：
14、s31，使用皮秒激光器对s2处理后的n型硅片背面的多个第一区域和多个隔离区域上的bsg层进行皮秒紫外激光照射，以完成第一次激光改性处理；
15、s32，在温度为70±5℃的条件下，在槽式清洗机中添加碱溶液和添加剂来对完成第一次激光改性处理的n型硅片进行第一次清洗，以去除位于n型硅片背面的第一区域和隔离区域的bsg层、第一掺杂多晶硅层和第一隧穿氧化层，同时还去除了n型硅片侧面和正面边缘的第一掺杂多晶硅层。
16、可选地，所述s4在具体实施时，包括：
17、s41，将完成第一次清洗的n型硅片置入pecvd设备中对n型硅片的背面进行pe-poly处理，使得所述n型硅片背面的第一区域和隔离区域上均依次形成第二隧穿氧化层、掺杂非晶硅层和psg层，使得n型硅片的侧面和正面边缘依次形成掺杂非晶硅层和psg层，还使得位于多个第二区域的bsg层背面依次形成掺杂非晶硅层和psg层；
18、s42，将完成pe-poly处理的n型硅片置入链式清洗机内进行去psg处理，以去除位于n型硅片正面边缘和侧面的psg层；
19、s43，在温度为800℃-950℃的条件下，对完成去psg处理的n型硅片进行退火处理，使得所述n型硅片背面、侧面和正面边缘的掺杂非晶硅层转为第二掺杂多晶硅层。
20、可选地，所述s5在具体实施时，包括：
21、s51，使用皮秒激光器对完成退火处理的n型硅片背面的多个第二区域和多个隔离区域的psg层进行皮秒紫外激光照射，以完成第二次激光改性处理；
22、s52，在温度为70±5℃的条件下，在槽式清洗机中添加碱溶液和添加剂来对完成第二次激光改性处理的n型硅片进行第二次清洗，以去除位于n型硅片背面的第二区域的psg层、第二掺杂多晶硅层以及隔离区域的psg层、第二掺杂多晶硅层、第二隧穿氧化层，同时还去除n型硅片侧面和正面边缘的第二掺杂多晶硅层。
23、可选地，所述s6在具体实施时，包括：
24、s61，对完成第二次清洗的n型硅片的正面和背面进行制绒处理，以在n型硅片的正面和背面的多个隔离区上均形成绒面；
25、s62，将完成制绒后的n型硅片置入添加有氢氟酸的酸洗槽中进行酸洗处理，以去除第二区域的bsg层和第一区域的psg层；
26、s63，对完成酸洗处理的n型硅片的正面和背面进行ald处理，使得n型硅片的正面和背面形成氧化铝薄膜；
27、s64，对完成ald处理的n型硅片的正面和背面进行pecvd处理，使得n型硅片的正面和背面形成氮化硅薄膜；
28、s65，对本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种TBC背接触电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种TBC背接触电池的制备方法，其特征在于，所述S2在具体实施时，包括：
3.根据权利要求1所述的一种TBC背接触电池的制备方法，其特征在于，所述S3在具体实施时，包括：
4.根据权利要求1所述的一种TBC背接触电池的制备方法，其特征在于，所述S4在具体实施时，包括：
5.根据权利要求1所述的一种TBC背接触电池的制备方法，其特征在于，所述S5在具体实施时，包括：
6.根据权利要求1所述的一种TBC背接触电池的制备方法，其特征在于，所述S6在具体实施时，包括：
【技术特征摘要】
1.一种tbc背接触电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种tbc背接触电池的制备方法，其特征在于，所述s2在具体实施时，包括：
3.根据权利要求1所述的一种tbc背接触电池的制备方法，其特征在于，所述s3在具体实施时，包括：
4.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：李浩，秦积海，聂文君，廖继成，贾慧君，
申请(专利权)人：晋能清洁能源科技股份公司，
类型：发明
国别省市：
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