【技术实现步骤摘要】
本申请属于量子点，具体的，涉及一种cdznse核体、量子点及其制备方法。
技术介绍
1、量子点(quantum dots)，又称半导体纳米晶体，是一种新型的半导体纳米材料，尺寸在1-10nm。由于量子尺寸效应和介电限域效应使它们具有独特的光致发光(pl)和电致发光(el)性能。与传统的有机荧光染料相比，量子点具有量子产率高，光化学稳定性高，不易光解，以及宽激发、窄发射，高色纯度，发光颜色可通过控制量子点大小进行调节等优良的光学特性，在显示
具有广泛的应用前景。
2、深蓝色发光二极管(led)对于固态照明、显示和高密度信息存储非常重要，其中，基于cdse核体合成的高质量核壳结构量子点有其独特优势，但在深蓝光发射波段(440-460nm)的进展却有待改进与开发。在理论上若想要合成出深蓝色核壳结构量子点，需要较小峰位的cdse核体，然后进行壳层包覆。然而cdse的禁带宽度约为2.45ev，由于量子限域效应导致很难将cdse核峰位调控到深蓝光区域。同时依据动力学速率cdse>cds>znse>zns，cdse成核前期峰位会迅速红移，难以合成表面缺陷少的较小峰位的cdse核。
3、目前深蓝色量子点的研究主要集中在cdzns/zns结构，带隙较宽的zns厚壳层可以有效地限制激子波函数，抑制量子点间的非辐射复合和fret，从而使量子点具有高的pl和qy。但是就能级结构而言，与红色和绿色量子相比，蓝色qds因为本身较低的价带能级和更宽的带隙，导致qled器件中空穴传输层与量子点发光层之间注入势垒太
4、有鉴于此，本申请提供一种cdznse核体、量子点及其制备方法，其发光色坐标能够达到rec.2020标准蓝光色坐标，并且其半峰宽窄、量子产率高。
技术实现思路
1、本申请的目的在于，提供一种cdznse核体、量子点及其制备方法，其发光色坐标能够达到rec.2020标准蓝光色坐标，并且其半峰宽窄、量子产率高。
2、本专利技术的第一方面，提供一种cdznse核体的制备方法，所述制备方法包括步骤：
3、s1，分别提供锌前驱体、第一硒前驱体以及镉前驱体；
4、s2，向反应体系中先加入锌前驱体，再加入第一硒前驱体反应，然后加入镉前驱体反应，生成cdznse核体。
5、在一些实施方式中，在步骤s1中，所述锌前驱体为含有锌元素的化合物。所述锌前驱体包括：c8-c22的羧酸锌、卤化锌等。
6、在一些实施方式中，所述第一硒前驱体包括：苯基膦硒、烷基膦硒。所述第一硒前驱体包括：二苯基膦硒(dpp-se)、三苯基膦硒(tpp-se)、三丁基膦硒(tbp-se)、三辛基膦硒(top-se)、或三戊基膦硒中的至少一种。
7、在一些实施方式中，所述镉前驱体为含有镉元素的化合物。所述锌前驱体包括：c8-c22的羧酸镉、卤化镉等。
8、在一些实施方式中，在步骤s2中，加入所述第一硒前驱体与镉前驱体的摩尔比为(6-18)：1。
9、优选的，加入所述第一硒前驱体与镉前驱体的摩尔比为(7.5-15)：1。
10、在一些实施方式中，向反应体系中先加入锌前驱体，再一次性倒入(一次性快速注入/加入)第一硒前驱体反应1-10min，然后一次性倒入(一次性快速注入/加入)镉前驱体反应5-60min，生成cdznse核体。
11、优选的，向反应体系中先加入锌前驱体，再一次性加入第一硒前驱体反应1-6min，然后一次性加入镉前驱体反应7-30min，生成cdznse核体。
12、在一些实施方式中，在步骤s2中，加入所述锌前驱体的量，为仅合成cdznse核体所需的量，或者为合成cdznse核体与过渡层所需的量，或者为合成cdznse核体、过渡层以及外壳层所需的量。
13、优选的，在步骤s2中，加入所述锌前驱体的量为合成cdznse核体、过渡层以及外壳层所需的量，加入所述锌前驱体、第一硒前驱体、镉前驱体的摩尔比为(50-90)：(6-18)：1。
14、在一些实施方式中，所述反应体系包括：油性配体和有机溶剂。
15、进一步的，将油性配体与有机溶剂混合，升温至100-160℃反应15-120min，通入惰性气体保护，形成反应体系；在第一温度下，依次加入锌前驱体、第一硒前驱体、镉前驱体反应。
16、进一步的，将油性配体和有机溶剂混合形成的反应体系与锌前驱体混合，升温至100-160℃反应15-120min，通入惰性气体保护；在第一温度下，依次加入第一硒前驱体、镉前驱体反应。
17、进一步的，所述第一温度为260-300℃。
18、所述油性配体包括：有机酸、有机胺、或有机膦中的至少一种。所述有机溶剂为合成反应提供介质，所述有机溶剂的沸点大于合成反应的温度。
19、在一些实施方式中，所述cdznse核体的光致最大发射峰波长为430-445nm。
20、本专利技术的第二方面，提供一种cdznse量子点的制备方法，所述制备方法包括步骤s1和s2，还包括：
21、s3，制备过渡层：在第二温度下，合成包覆所述cdznse核体的过渡层，所述过渡层为znse过渡层或者znses/cdzns过渡层；
22、s4，制备外壳层：合成包覆所述过渡层的zns外壳层，获得cdznse量子点。
23、在一些实施方式中，在步骤s3中，所述第二温度为290-310℃。
24、在一些实施方式中，在第二温度下，向s2中先加入第二硒前驱体，再加入第一硒前驱体，生成包覆所述cdznse核体的znse过渡层；所述第二硒前驱体的反应活性高于所述第一硒前驱体。
25、进一步的，所述第二硒前驱体包括：c12-c22烷基硒、胺基硒。所述第二硒前驱体包括：十八烯硒、硒粉-十八烯悬浮液、十六烯硒、氧化胺硒、十八胺硒、三辛胺硒、或辛基化二苯胺硒中的至少一种。
26、进一步的，加入所述第二硒前驱体与第一硒前驱体的摩尔比为(0.04-0.5):1。
27、优选的，加入所述第二硒前驱体与第一硒前驱体的摩尔比为(0.08-0.2)：1。
28、进一步的，向s2中分多次(两次及以上)一次性倒入第二硒前驱体、或者以3-7ml/h的速度滴加第二硒前驱体，再以1-7ml/h的速度滴加第一硒前驱体，反应6-30min，生成znse过渡层。
29、在一些实施方式中，在第二温度下，向s2中加本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种CdZnSe核体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：
2.如权利要求1所述的CdZnSe核体的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，加入所述第一硒前驱体与镉前驱体的摩尔比为(6-18)：1。
3.如权利要求1所述的CdZnSe核体的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，向反应体系中先加入锌前驱体，再一次性倒入第一硒前驱体反应1-10min，然后一次性倒入镉前驱体反应5-60min，生成CdZnSe核体。
4.如权利要求1所述的CdZnSe核体的制备方法，其特征在于，包括选自下组的一个或多个特征：
5.如权利要求1所述的CdZnSe核体的制备方法，其特征在于，所述CdZnSe核体的光致最大发射峰波长为430-445nm。
6.一种CdZnSe量子点的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤S1和S2，还包括：
7.如权利要求6所述的CdZnSe量子点的制备方法，其特征在于，包括选自下组的一个或多个特征：
8.如权利要求7所述的CdZnSe量子点的制备方法，其特征在于，包括选自下组的一
9.一种CdZnSe核体，其特征在于，所述CdZnSe核体由权利要求1-4任一所述的制备方法获得，所述CdZnSe核体的光致最大发射峰波长为430-445nm。
10.一种CdZnSe量子点，其特征在于，所述CdZnSe量子点包括由权利要求1-4任一所述的制备方法获得的CdZnSe核体，还包括：包覆所述CdZnSe核体的过渡层，所述过渡层为ZnSe过渡层或者ZnSeS/CdZnS过渡层；包覆所述过渡层的ZnS外壳层；所述CdZnSe量子点的光致最大发射峰波长为440-455nm。
...【技术特征摘要】
1.一种cdznse核体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：
2.如权利要求1所述的cdznse核体的制备方法，其特征在于，在步骤s2中，加入所述第一硒前驱体与镉前驱体的摩尔比为(6-18)：1。
3.如权利要求1所述的cdznse核体的制备方法，其特征在于，在步骤s2中，向反应体系中先加入锌前驱体，再一次性倒入第一硒前驱体反应1-10min，然后一次性倒入镉前驱体反应5-60min，生成cdznse核体。
4.如权利要求1所述的cdznse核体的制备方法，其特征在于，包括选自下组的一个或多个特征：
5.如权利要求1所述的cdznse核体的制备方法，其特征在于，所述cdznse核体的光致最大发射峰波长为430-445nm。
6.一种cdznse量子点的制备方法，其特征在于，所述制备...
【专利技术属性】
技术研发人员：廉李琴，王允军，张思源，
申请(专利权)人：苏州星烁纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。