【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及化学除胶的，尤其涉及一种适于去除有机质的溶液及去除有机质的加工方法。
技术介绍
1、半导体在封装的过程中，塑封体和引脚上会残留各种胶状物质，如tape胶(胶带的胶膜，或称为胶带胶膜，成分一般为硅烷类树脂)或溢料(又称毛刺或飞边，成分一般为环氧塑封料)等，需要清除。否则会导致封装工艺中的框架变形、漏镀、镀层缺陷而影响产品的可靠性，造成产品断路、虚焊等问题，影响管脚的电气导通性能，严重的会导致返工及芯片功能失效甚至报废，这带来了封装工艺的繁杂及成本的上升。因此，去tape胶(detape)和去溢料(deflash或debur)是半导体集成电路封装后处理的重要工艺步骤，尤其是倒装qfn(fcqfn)的封装工艺中需要用到。
2、目前去tape胶(detape)或去溢料(deflash或debur)的方法有高压水喷射去胶、高压水喷砂去胶、激光去胶、化学药水去胶及电化学方法去胶等。其中高压水喷射去胶、高压水喷砂去胶、激光去胶和电化学方法去胶，成本较高且方法剧烈，化学药水去胶由于其低成本及条件温和，逐渐成为主流方法。
3、化学药水去胶也存在效果不佳的问题，如药水寿命短、药水去除力不够、药水对塑封体和基材有损伤、药水无法一步法去除tape胶和溢料(即只能够单独去除tape或溢料，而不能同时去除tape胶和溢料)等问题。
4、因此，本领域迫切需要开发一种集成电路封装后处理用去tape胶和去溢料的去胶液。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种适于去除有机质的溶液，包括：有机碱；第一软化活性剂，包括胺类有机物；第二软化活性剂，包括醇胺类化合物和/或醇类化合物。
3、可选的，有机碱包括氮衍生物。
4、可选的，溶液中，有机碱的质量分数范围为5wt％-15wt％。
5、可选的，胺类有机物包括二乙二醇单丁醚乙酸酯、甘油和单乙醇胺中的一种或多种。
6、可选的，溶液中，第一软化活性剂的质量分数范围为20wt％-40wt％。
7、可选的，醇胺类化合物包括单乙醇胺和二甘醇胺中的一种或两种；醇类化合物包括聚乙二醇和丙三醇中的一种或两种。
8、可选的，溶液中，第二软化活性剂的质量分数范围为10wt％-30wt％。
9、可选的，溶液还包括表面活性剂。
10、可选的，表面活性剂包括aeo表面活性剂。
11、可选的，溶液中，表面活性剂的质量分数范围为5wt％-15wt％。
12、可选的，溶液还包括促进稳定剂。
13、可选的，促进稳定剂包括烷基醇类化合物。
14、可选的，烷基醇类化合物包括烷基聚氧脂肪醇。
15、可选的，溶液中，促进稳定剂的质量分数范围为5wt％-10wt％。
16、可选的，溶液还包括阻燃剂。
17、相应的，本专利技术实施例还提供一种去除有机质的加工方法，包括：采用本专利技术实施例提供的溶液，对待处理件进行浸泡处理；进行浸泡处理后，对待处理件进行水洗处理。
18、可选的，待处理件包括塑封后的封装结构；对待处理件进行浸泡处理的步骤中，第一软化活性剂用于去除封装结构的溢料，第二软化活性剂用于去除封装结构的残胶。
19、可选的，对待处理件进行浸泡处理的步骤中，浸泡处理的处理时间为20分钟至40分钟。
20、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
21、本专利技术实施例提供的适于去除有机质的溶液中，溶液包括有机碱，第一软化活性剂，包括胺类有机物，第二软化活性剂，包括醇胺类化合物和/或醇类化合物；本专利技术实施例中，第一软化活性剂包括胺类有机物，第二软化活性剂包括醇胺类化合物和/或醇类化合物，胺类有机物、醇胺类化合物和醇类化合物能够较好的兼容在同一个溶液中，而且，溶液包括有机碱，为去除有机质提供碱性环境，有利于促进有机质的断键，其中，第一软化活性剂包括胺类有机物，能够使得含碳、氧和硅的有机质(即封装产品中的溢料)软化蓬松产生断键反应，使得溢料有机质易于去除，第二软化活性剂包括醇胺类化合物和/或醇类化合物，能够使得含碳和氧的有机质(即封装产品中的残胶)软化蓬松产生断键反应，使得残胶有机质易于去除，从而有利于提高产品的品质，而且，本专利技术实施例的溶液能够同时去除溢料有机质和残胶有机质，从而对于产品去除各种有机质残留胶时，简化了除胶流程，进而有利于提高产品的每小时产出(units per hour，uph)。
22、本专利技术实施例提供的去除有机质的加工方法中，采用本专利技术实施例提供的溶液，对待处理件进行浸泡处理，进行浸泡处理后，对待处理件进行水洗处理；本专利技术实施例中，第一软化活性剂包括胺类有机物，第二软化活性剂包括醇胺类化合物和/或醇类化合物，胺类有机物、醇胺类化合物和醇类化合物能够较好的兼容在同一个溶液中，而且，溶液包括有机碱，为去除有机质提供碱性环境，有利于促进有机质的断键，其中，第一软化活性剂包括胺类有机物，能够使得含碳、氧和硅的有机质(即封装产品中的溢料)软化蓬松产生断键反应，使得溢料有机质易于去除，第二软化活性剂包括醇胺类化合物和/或醇类化合物，能够使得含碳和氧的有机质(即封装产品中的残胶)软化蓬松产生断键反应，使得残胶有机质易于去除，从而有利于提高产品的品质，而且，本专利技术实施例的溶液能够同时去除溢料有机质和残胶有机质，从而将待处理件浸泡在溶液中能够将待处理件的各种有机质残留胶去除，简化了除胶流程，有利于提高待处理件的品质，从而有利于提高待处理件的每小时产出(units per hour，uph)。
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1.一种适于去除有机质的溶液，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的溶液，其特征在于，所述有机碱包括氮衍生物。
3.如权利要求1或2所述的溶液，其特征在于，所述溶液中，所述有机碱的质量分数范围为5wt％-15wt％。
4.如权利要求1所述的溶液，其特征在于，所述胺类有机物包括二乙二醇单丁醚乙酸酯、甘油和单乙醇胺中的一种或多种。
5.如权利要求1或4所述的溶液，其特征在于，所述溶液中，所述第一软化活性剂的质量分数范围为20wt％-40wt％。
6.如权利要求1所述的溶液，其特征在于，所述醇胺类化合物包括单乙醇胺和二甘醇胺中的一种或两种；所述醇类化合物包括聚乙二醇和丙三醇中的一种或两种。
7.如权利要求1或6所述的溶液，其特征在于，所述溶液中，所述第二软化活性剂的质量分数范围为10wt％-30wt％。
8.如权利要求1所述的溶液，其特征在于，所述溶液还包括表面活性剂。
9.如权利要求8所述的溶液，其特征在于，所述表面活性剂包括AEO表面活性剂。
10.如权利要求8或9所述的
11.如权利要求1所述的溶液，其特征在于，所述溶液还包括促进稳定剂。
12.如权利要求11所述的溶液，其特征在于，所述促进稳定剂包括烷基醇类化合物。
13.如权利要求12所述的溶液，其特征在于，所述烷基醇类化合物包括烷基聚氧脂肪醇。
14.如权利要求11、12或13所述的溶液，其特征在于，所述溶液中，所述促进稳定剂的质量分数范围为5wt％-10wt％。
15.如权利要求1所述的溶液，其特征在于，所述溶液还包括阻燃剂。
16.一种去除有机质的加工方法，其特征在于，包括：
17.如权利要求16所述的加工方法，其特征在于，所述待处理件包括塑封后的封装结构；
18.如权利要求16所述的加工方法，其特征在于，对待处理件进行浸泡处理的步骤中，所述浸泡处理的处理时间为20分钟至40分钟。
...【技术特征摘要】
1.一种适于去除有机质的溶液，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的溶液，其特征在于，所述有机碱包括氮衍生物。
3.如权利要求1或2所述的溶液，其特征在于，所述溶液中，所述有机碱的质量分数范围为5wt％-15wt％。
4.如权利要求1所述的溶液，其特征在于，所述胺类有机物包括二乙二醇单丁醚乙酸酯、甘油和单乙醇胺中的一种或多种。
5.如权利要求1或4所述的溶液，其特征在于，所述溶液中，所述第一软化活性剂的质量分数范围为20wt％-40wt％。
6.如权利要求1所述的溶液，其特征在于，所述醇胺类化合物包括单乙醇胺和二甘醇胺中的一种或两种；所述醇类化合物包括聚乙二醇和丙三醇中的一种或两种。
7.如权利要求1或6所述的溶液，其特征在于，所述溶液中，所述第二软化活性剂的质量分数范围为10wt％-30wt％。
8.如权利要求1所述的溶液，其特征在于，所述溶液还包括表面活性剂。
9.如权利要求8所述的溶液，其特征在于，所述表面活性...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵丹，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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