【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、在纵型mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等半导体装置中，为了减小导通电阻，研究了加厚成为电流路径的金属层或减薄半导体基板。
技术实现思路
1、实施方式的半导体装置具备：导电层；半导体部，设于所述导电层上；第一源极电极，设于所述半导体部上；第二源极电极，在所述半导体部上与所述第一源极电极分离地设置；第一控制电极，设于所述半导体部，与所述第一源极电极以及所述第二源极电极电分离；以及第二控制电极，设于所述半导体部，与所述第一源极电极、所述第二源极电极以及所述第一控制电极电分离。所述半导体部包含：第一导电型的第一半导体区域，设于所述导电层上；第二导电型的第二半导体区域，设于所述第一半导体区域上；第二导电型的第三半导体区域，在所述第一半导体区域上与所述第二半导体区域分离地设置；第一导电型的第四半导体区域，设于所述第二半导体区域上；以及第一导电型的第五半导体区域，设于所述第三半导体区域上。所述第一源极电极电连接于所述第二半导体区域以及所述第四半导体区域。所述第二源极电极电连接于所述第三半导体区域以及所述第五半导体区域。所述第一控制电极隔着第一绝缘膜而与所述第一半导体区域、所述第二半导体区域以及所述第四半导体区域对置地配置。所述第二控制电极隔着第二绝缘膜而与所述第一半导体区域、所述第三半导体区域以及所述第五半导体
2、根据本实施方式，能够提供可抑制翘曲的半导体装置以及半导体装置的制造方法。
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1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：
9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：
6.根据权利要求5所...
【专利技术属性】
技术研发人员：高原祥真，生野彻，大西孝治，上野豊，石川隆司，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：
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