【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及天线，尤其涉及一种一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器。
技术介绍
1、近年来，许多硅基集成器被用于设计折射率传感器，如微盘谐振器、微环谐振器、光子晶体等。特别是基于soi平台的微环谐振器，由于其插入损耗低、稳定性高、设计简单和易于制造而被广泛关注。微环谐振器是一种回音壁微腔（wgm）结构，在此类结构中，符合谐振条件的光将在回音壁微腔内部来回反射，产生谐振增强效应，可以得到很高的光场强度与q值，因此非常适宜作为传感器、滤波器来使用。
2、然而，传统微环谐振器的自由光谱范围（free spectral range，fsr）是均匀的，这表明温度与待测物质折射率的影响产生了叠加，在此类器件上只能得到叠加后的透射谱，从而不能检测出待测物质的温度与折射率信息。
技术实现思路
1、本专利技术点目的在于：为解决传统微环谐振器不能检测出待测物质的温度与折射率信息的问题，本专利技术提供一种一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器。
2、本申请实施例的技术方案是这样实现的：
3、本申请实施例第一方面提供一种一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，包括：总线波导和一维光子晶体跑道微环，其中，
4、所述总线波导呈直线型设于所述一维光子晶体跑道微环的一侧，所述总线波导与所述一维光子晶体跑道微环耦合；
5、所述一维光子晶体跑道微环包括包括跑道结构，所述跑道结构与所述总线波导之间形成光子禁带。
6、可选的，所
7、可选的，所述总线波导的波导宽度为380nm，波导高度为220nm。
8、可选的，所述一维光子晶体跑道微环还包括环形波导，所述环形波导用于连接两段跑道结构以形成所述一维光子晶体跑道微环；所述环形波导半径为6260nm，宽度为400nm。
9、可选的，所述跑道长度为7580nm，宽度为400nm。
10、可选的，所述一维光子晶体跑道微环还包括光子晶体微腔，所述光子晶体微腔的晶格常数为380nm。
11、可选的，所述总线波导与所述一维光子晶体跑道微环的耦合间距为300nm。
12、本申请实施例第二方面提供一种利用第一方面所述传感器的温度折射率双参量检测方法，包括：
13、获取所述光子禁带边缘的透射谱；
14、基于所述透射谱确定至少一组谐振波长信息与谐振强度信息；
15、基于所述谐振波长信息与所述谐振强度信息确定待测物质的温度和折射率。
16、可选的，所述基于所述谐振波长信息与所述谐振强度信息确定待测物质的温度和折射率，包括：
17、利用谐振波长样本数据与所述谐振强度样本数据对预设神经网络进行训练，获取目标神经网络；
18、将所述谐振波长信息与所述谐振强度信息输入至所述目标神经网络，确定待测物质的温度和折射率。
19、本申请实施例第三方面提供一种一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量设备，包括第一方面所述的一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器。
20、与现有技术相比，本申请提供的技术方案带来的有益效果是：
21、本专利技术提供一种一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，包括：总线波导和一维光子晶体跑道微环，其中，所述总线波导呈直线型设于所述一维光子晶体跑道微环的一侧，所述总线波导与所述一维光子晶体跑道微环耦合；所述一维光子晶体跑道微环包括包括跑道结构，所述跑道结构与所述总线波导之间形成光子禁带。本专利技术利用慢光效应，在一维光子晶体跑道微环的光子禁带边缘产生自由光谱范围不等的谐振峰，由于温度对有效折射率的影响与待测物质对有效折射率的影响会体现在不同的谐振峰上，因此，通过记录此处各谐振峰位置的相对变化，即可计算出待测物质的温度与折射率信息，提高了检测效率和检测精度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，包括：总线波导和一维光子晶体跑道微环，其中，
2.根据权利要求1所述的一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，所述总线波导和所述一维光子晶体跑道微环的材质均为SOI。
3.根据权利要求1所述的一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，所述总线波导的波导宽度为380nm，波导高度为220nm。
4.根据权利要求3所述的一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，所述一维光子晶体跑道微环还包括环形波导，所述环形波导用于连接两段跑道结构以形成所述一维光子晶体跑道微环；所述环形波导半径为6260nm，宽度为400nm。
5.根据权利要求4所述的一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，所述跑道长度为7580nm，宽度为400nm。
6.根据权利要求5所述的一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，所述一维光子晶体跑道微环还包括光子晶体微腔，所述光子晶体微腔的晶格常数为380nm。>
7.根据权利要求6所述的一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，所述总线波导与所述一维光子晶体跑道微环的耦合间距为300nm。
8.一种利用权利要求1至7所述传感器的温度折射率双参量检测方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的温度折射率双参量检测方法，其特征在于，所述基于所述谐振波长信息与所述谐振强度信息确定待测物质的温度和折射率，包括：
10.一种一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量设备，其特征在于，包括权利要求1-7所述的一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器。
...【技术特征摘要】
1.一种一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，包括：总线波导和一维光子晶体跑道微环，其中，
2.根据权利要求1所述的一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，所述总线波导和所述一维光子晶体跑道微环的材质均为soi。
3.根据权利要求1所述的一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，所述总线波导的波导宽度为380nm，波导高度为220nm。
4.根据权利要求3所述的一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，所述一维光子晶体跑道微环还包括环形波导，所述环形波导用于连接两段跑道结构以形成所述一维光子晶体跑道微环；所述环形波导半径为6260nm，宽度为400nm。
5.根据权利要求4所述的一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，所述跑道长...
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