【技术实现步骤摘要】
本技术涉及单晶硅，尤其涉及一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置。
技术介绍
1、直拉法是一种晶体生产方法，主要用于半导体、金属、盐、合成宝石等单晶材料，直拉法通常应用于晶锭、晶棒、单晶硅的生长。
2、在用直拉法制备单晶硅时，晶棒在收尾时由于存在拉料单晶。由于拉料单晶已无法正常使用，需与正常的可使用晶棒部分分开。因此，需将晶棒升至副室上限位后，旋开副室将晶棒尾部降至收集车内，敲掉尾部的拉料单晶后放入取棒车。
3、现有技术中，去除尾部拉料单晶的方法是拉晶员工使用长柄钨锤进行人工敲击，由于击打过程中不能一击掉落，需反复敲击，但是反复敲击过程中会对晶棒尾部造成内部隐裂，在晶棒截断过程中无法一次识别隐裂长度，造成多次反切，成本增加及工时浪费。
技术实现思路
1、本技术提供一种降低单晶硅尾部裂纹的冲击截断装置，用以解决现有技术中人工敲击晶棒尾部，反复敲击过程中会对晶棒尾部造成内部隐裂，在晶棒截断过程中无法一次识别隐裂长度，造成多次反切，成本增加及工时浪费的缺陷，实现一次冲击完成尾部拉料敲料工作，避免反复击打，减少隐裂，提高成品率。
2、本技术提供一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，包括：
3、棒料收集车体，具有车斗；
4、环板，设置于所述棒料收集车体的顶部；
5、多个冲击截断机构，均匀设置于所述环板的侧壁上，且所述冲击截断机构与晶棒尾部对准。
6、根据本技术提供的一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，所
7、根据本技术提供的一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，所述冲击截断机构包括冲击气缸。
8、根据本技术提供的一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，所述冲击气缸靠近所述晶棒尾部的端部设置为锥形结构。
9、根据本技术提供的一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，还包括气缸控制器，所述气缸控制器与多个所述冲击气缸均连接。
10、根据本技术提供的一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，四个所述冲击气缸形成的圆环直径较所述晶棒尾部的直径大于10mm。
11、根据本技术提供的一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，还包括：
12、多个支撑杆，垂直水平面设置，所述支撑杆的一端与所述棒料收集车体连接，另一端与所述环板连接；且多个所述支撑杆均匀分布于所述棒料收集车体的外侧壁的顶部。
13、根据本技术提供的一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，还包括：
14、多个距离检测装置，分别设置于所述环板的内周侧，所述距离检测装置用于检测所述环板内周侧与所述晶棒之间的距离。
15、根据本技术提供的一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，所述环板呈圆环型。
16、根据本技术提供的一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，所述棒料收集车体的侧壁上开设有出料口；所述棒料收集车体的底部设置有万向轮组。
17、本技术提供的一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，通过棒料收集车体的车斗收集敲击下来的棒料；冲击截断机构均匀设置于环板的侧壁上，且冲击截断机构与晶棒尾部对齐，多个冲击截断机构同时在晶棒尾部同一平面的不同部位进行冲击，均自晶棒尾部的外周侧向其中心处冲击，实现一次冲击即可完成尾部拉料的敲料工作，能够避免反复敲打，减少内部隐裂，提高成品率。
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1.一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，其特征在于，所述冲击截断机构(3)包括四个，且每相邻两个所述冲击截断机构(3)间隔90度。
3.根据权利要求1所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，其特征在于，所述冲击截断机构(3)包括冲击气缸。
4.根据权利要求3所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，其特征在于，所述冲击气缸靠近所述晶棒尾部的端部设置为锥形结构。
5.根据权利要求3所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，其特征在于，还包括气缸控制器，所述气缸控制器与多个所述冲击气缸均连接。
6.根据权利要求3所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，其特征在于，四个所述冲击气缸形成的圆环直径较所述晶棒尾部的直径大于10mm。
7.根据权利要求1所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求1所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，其特征在于，还包括：
9.根据权利要
10.根据权利要求1所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，其特征在于，所述棒料收集车体(1)的侧壁上开设有出料口(5)；所述棒料收集车体(1)的底部设置有万向轮组(6)。
...【技术特征摘要】
1.一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，其特征在于，所述冲击截断机构(3)包括四个，且每相邻两个所述冲击截断机构(3)间隔90度。
3.根据权利要求1所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，其特征在于，所述冲击截断机构(3)包括冲击气缸。
4.根据权利要求3所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，其特征在于，所述冲击气缸靠近所述晶棒尾部的端部设置为锥形结构。
5.根据权利要求3所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置，其特征在于，还包括气缸控制器，所述气缸控制器与多个所述冲击气缸均连接。
【专利技术属性】
技术研发人员：于荣臻，王承芳，
申请(专利权)人：三一硅能朔州有限公司，
类型：新型
国别省市：
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