【技术实现步骤摘要】
本公开属于钕铁硼磁体领域，具体涉及一种钕铁硼磁体及其制备方法。
技术介绍
1、烧结钕铁硼具有优异的磁性能，因而被广泛应用于航空航天、电子通讯、清洁能源、交通运输、医疗器械和家用电器等诸多领域。随着小型化、智能化和集成化设备的发展，所使用的烧结钕铁硼磁体需要相应具备更高的剩余磁化强度。
2、制备高剩磁烧结钕铁硼磁体的钕铁硼粉末原料一般稀土元素的含量较低，较常规粉末更容易被氧化，且磁体随着粉末成分、粒度以及模具的变化，容易出现粘性和流动性差的问题，从而导致制备的磁体存在取向度一致性差，磁偏角和双面表磁差较大，剩余磁化强度降低等问题。
技术实现思路
1、本公开的目的是提供一种钕铁硼磁体及其制备方法，本专利技术制备得到钕铁硼磁体的取向度一致性得到明显改善，磁偏角和双面表磁差较低，剩磁高。
2、为了实现上述目的，本专利技术第一方面提供一种制备钕铁硼磁体的方法，其中，该方法包括：
3、s1、对r-t-b-m合金粉末进行第一压型处理，得到密度为1.9~2.3g/cm3的第一压坯；
4、s2、对所述第一压坯进行第二压型处理，得到密度为3.6~4.2g/cm3的成型压坯；
5、s3、对所述成型压坯进行烧结处理和时效处理；
6、其中，r为稀土元素，选自nd、pr、la、ce、dy、tb和ho中的一种或几种，t选自fe和/或co，m选自cu、ga、zr、ti、nb、al、ag和w中的一种或几种；r的含量为28~30.5wt%；>
7、其中，所述第一压型处理包括：对所述r-t-b-m合金粉末进行第一压制，压制结束后施加第一取向磁场，然后施加第一退磁磁场；
8、所述第二压型处理包括：对所述第一压坯进行第二压制时施加第二取向磁场，然后施加第二退磁磁场。
9、可选地，步骤s1包括，进行两次所述第一压型处理，得到所述第一压坯；其中第一次第一压型处理后得到的中间压坯的密度小于所述第一压坯的密度。
10、可选地，所述中间压坯与所述第一压坯的密度差值为0.2~0.3g/cm3。
11、可选地，所述第一取向磁场的方向与所述第二取向磁场的方向相同，所述第一取向磁场的方向与所述第一压型的压力方向垂直；所述第二取向磁场的方向与所述第二压型的压力方向垂直；
12、所述第一取向磁场的磁场强度为1.5~2.2t，可选为1.7~2.2t，所述第一退磁磁场的磁场强度为0.2~0.9t；
13、所述第二取向磁场的磁场强度为1.5~2.0t，所述第二退磁磁场的磁场强度为0.2~0.9t；
14、可选地，所述第一取向磁场的磁场强度大于所述第二取向磁场的磁场强度；
15、可选地，施加所述第一取向磁场的时间为1~5s。
16、可选地，所述第一压制与所述第二压制的压力方向相同；所述第一压制的压力为0.5~10mpa，可选为7~10mpa；
17、所述第二压制的压力为0.5~10mpa，所述第二压型处理中，施加压力的同时施加所述第二取向磁场。
18、可选地，所述r-t-b-m合金粉末的d50粒径为4~4.5μm，d90/d10为4.8~5.2。
19、可选地，所述r-t-b-m合金粉末中，t的含量为65.45~70wt%，b的含量为0.85~1.05wt%，m的含量为0~3wt%；其中，t中包含的fe的含量为97wt%以上；
20、可选地，r的含量为28~28.5wt%。
21、可选地，该方法还包括：采用速凝工艺制备r-t-b-m合金片，对所述r-t-b-m合金片进行氢破碎处理和微粉碎处理后，得到所述r-t-b-m合金粉末；所述微粉碎处理的研磨压力为0.5~0.8mpa；
22、可选地，所述r-t-b-m合金粉末中还添加润滑剂，所述润滑剂的添加量为所述r-t-b-m合金粉末质量的0.1~0.14%。
23、可选地，该方法还包括：在所述烧结处理之前，对所述成型压坯进行等静压处理，得到等静压压坯；然后对所述等静压压坯进行所述烧结处理和所述时效处理；
24、所述等静压压坯的密度为4.65~4.85g/cm3。
25、可选地，所述烧结处理的温度为1000~1100℃，保温时间为4~10h；
26、所述时效处理包括第一时效处理和第二时效处理，第一时效处理的温度为850~950℃，保温时间为1~6h；第二时效处理的温度为450~550℃，保温时间为4~9h。
27、本专利技术第二方面提供采用本专利技术第一方面所述的方法制备的钕铁硼磁体，所述钕铁硼磁体的磁偏角为0.43~2.97º，双面表磁差为0.3~2.0%。
28、通过上述技术方案，本专利技术的技术方案对较低稀土含量的r-t-b-m合金粉末依次进行第一压型处理和第二压型处理，并控制第一压型处理和第二压型处理得到的压坯密度在特定范围内。由此，在第一压型处理中，进入模腔的r-t-b-m合金粉末之间的初始状态发生变化，能够改善合金粉末的团聚、架桥以及不均匀等问题；并且，通过第一压型处理改善了合金粉末与模腔的位置，使合金粉末与模腔之间的摩擦距离减少，有效减少成型过程中合金粉末的横向移动，能够防止靠近模腔侧壁的合金粉末偏离易磁化轴方向，从而使制备的磁体的取向度一致性得到明显改善。此外，本专利技术分步对合金粉末进行压制处理，能够在低润滑剂添加量下，得到取向度一致性好、磁偏角小、双面表磁差小的高剩磁磁体。
29、本专利技术的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
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1.一种制备钕铁硼磁体的方法，其中，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤S1包括，进行两次所述第一压型处理，得到所述第一压坯；其中第一次第一压型处理后得到的中间压坯的密度小于所述第一压坯的密度。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述中间压坯与所述第一压坯的密度差值为0.2~0.3g/cm3。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的方法，其中，所述第一取向磁场的方向与所述第二取向磁场的方向相同，所述第一取向磁场的方向与所述第一压型的压力方向垂直；所述第二取向磁场的方向与所述第二压型的压力方向垂直；
5.根据权利要求1~3中任意一项所述的方法，其中，所述第一压制与所述第二压制的压力方向相同；所述第一压制的压力为0.5~10MPa，可选为7~10MPa；
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述R-T-B-M合金粉末的D50粒径为4~4.5μm，D90/D10为4.8~5.2。
7.根据权利要求1或6所述的方法，其中，所述R-T-B-M合金粉末中，T的含量为65.45~70wt%，B的含量为0
8.根据权利要求1所述的方法，其中，该方法还包括：采用速凝工艺制备R-T-B-M合金片，对所述R-T-B-M合金片进行氢破碎处理和微粉碎处理后，得到所述R-T-B-M合金粉末；所述微粉碎处理的研磨压力为0.5~0.8MPa；
9.根据权利要求1所述的方法，其中，该方法还包括：在所述烧结处理之前，对所述成型压坯进行等静压处理，得到等静压压坯；然后对所述等静压压坯进行所述烧结处理和所述时效处理；
10.根据权利要求1或9所述的方法，其中，所述烧结处理的温度为1000~1100℃，保温时间为4~10h；
11.采用权利要求1~10中任意一项所述的方法制备的钕铁硼磁体，其中，所述钕铁硼磁体的磁偏角为0.43~2.97º，双面表磁差为0.3~2.0%。
...【技术特征摘要】
1.一种制备钕铁硼磁体的方法，其中，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤s1包括，进行两次所述第一压型处理，得到所述第一压坯；其中第一次第一压型处理后得到的中间压坯的密度小于所述第一压坯的密度。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述中间压坯与所述第一压坯的密度差值为0.2~0.3g/cm3。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的方法，其中，所述第一取向磁场的方向与所述第二取向磁场的方向相同，所述第一取向磁场的方向与所述第一压型的压力方向垂直；所述第二取向磁场的方向与所述第二压型的压力方向垂直；
5.根据权利要求1~3中任意一项所述的方法，其中，所述第一压制与所述第二压制的压力方向相同；所述第一压制的压力为0.5~10mpa，可选为7~10mpa；
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述r-t-b-m合金粉末的d50粒径为4~4.5μm，d90/d10为4.8~5.2。
7.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：林光明，王登兴，魏方允，徐道标，刘洋，
申请(专利权)人：宁波科宁达工业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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