【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种基板处理装置，更详细地，本技术涉及一种利用等离子体处理基板的装置。
技术介绍
1、基板处理装置是通过在密闭的处理空间施加电源而形成等离子体，执行对安置于基座(susceptor)之上的基板的表面进行蒸镀、蚀刻等处理工艺的装置。
2、所述等离子体意指由离子或电子、自由基等构成的离子化气体。所述等离子体通过非常高的温度或者强电场或高频率电磁场生成。所述等离子体可以在使用光刻胶的光刻工艺中各种应用。例如，所述等离子体可以应用在将在离子注入工艺等中用作掩模的光刻胶膜去除的灰化(ashing)工艺中。
技术实现思路
1、本技术的一目的是提供一种使等离子体跨基板全区域均匀地扩散的基板处理装置。
2、但是，本技术的目的不限上述的目的，将可以在不脱离本技术的构思以及领域的范围中进行各种扩展。
3、为了达成前述的本技术的一目的，可以是，根据本技术的一实施例的基板处理装置包括：工艺腔室，在内部形成空间；基座，配置于所述工艺腔室的内部，并支承基板；气体产生部，配置于所述工艺腔室上；背板，配置于所述工艺腔室的上方，并形成有向上下贯通的供应部以使得从所述气体产生部供应的工艺气体扩散到所述工艺腔室的内部；以及扩散块，配置于所述气体产生部和所述基座之间，并使得通过所述供应部供应的所述工艺气体扩散到所述工艺气体的内部，并且包括：固定部，固定于所述背板；扩散部，填充所述供应部的至少一部分并具有朝向所述气体产生部凸出的圆锥形状；以及支承部，连接所述固定部和所述扩散部并
4、在一实施例中，可以是，所述支承部包括第一支承部以及与所述第一支承部隔开的第二支承部。
5、在一实施例中，可以是，所述支承部还包括：第三支承部，与所述第一支承部以及所述第二支承部分别隔开。
6、在一实施例中，可以是，所述支承部还包括：第四支承部，与所述第一支承部、所述第二支承部以及所述第三支承部隔开。
7、在一实施例中，可以是，所述支承部的每一个包括：第一部分，与所述扩散部接触；以及第二部分，与所述固定部接触，所述第二部分与所述扩散部的倾斜面平行。
8、在一实施例中，可以是，所述第一部分与所述固定部平行。
9、在一实施例中，可以是，所述背板的所述供应部包括：第一部分，具有圆筒形状；以及第二部分，配置于所述第一部分的下方并具有圆锥台形状。
10、在一实施例中，可以是，所述供应部还包括：第三部分，配置于所述第二部分的下方，并具备具有比所述第一部分大的半径的圆筒形状。
11、在一实施例中，可以是，所述第二部分还包括：槽部，容纳所述支承部。
12、在一实施例中，可以是，所述固定部在所述第三部分处固定于所述背板。
13、为了达成前述的本技术的一目的，可以是，根据本技术的一实施例的基板处理装置包括：工艺腔室，在内部形成空间；基座，配置于所述工艺腔室的内部，并支承基板；气体产生部，配置于所述工艺腔室上；背板，配置于所述工艺腔室的上方，并形成有上下贯通的供应部以使得从所述气体产生部供应的工艺气体扩散到所述工艺腔室的内部；以及扩散块，配置于所述气体产生部和所述基座之间，并使得通过所述供应部供应的所述工艺气体扩散到所述工艺气体的内部，并且包括：固定部，固定于所述背板；扩散部，填充所述供应部的至少一部分并具有朝向所述气体产生部凸出的圆锥形状；以及支承部，连接所述固定部和所述扩散部并附着于所述圆锥的顶点，所述支承部包括在垂直于长度方向的截面上是曲面的第一面以及是曲面的第二面。
14、在一实施例中，可以是，所述第一面以及所述第二面的每一个具有向外侧凸起的形状。
15、在一实施例中，可以是，所述第一面以及所述第二面具有彼此相同的曲率。
16、在一实施例中，可以是，所述支承部在垂直于长度方向的截面上具有向下得长的椭圆形形状。
17、在一实施例中，可以是，所述支承部包括第一支承部以及与所述第一支承部隔开的第二支承部。
18、在一实施例中，可以是，所述支承部还包括：第三支承部，与所述第一支承部以及所述第二支承部分别隔开。
19、在一实施例中，可以是，所述支承部还包括：第四支承部，与所述第一支承部、所述第二支承部以及所述第三支承部隔开。
20、在一实施例中，可以是，所述背板的所述供应部包括：第一部分，具有圆筒形状；以及第二部分，配置于所述第一部分的下方并具有圆锥台形状。
21、在一实施例中，可以是，所述供应部还包括：第三部分，配置于所述第二部分的下方，并具有具有大于所述第一部分的半径的圆筒形状。
22、在一实施例中，可以是，所述第二部分还包括：槽部，容纳所述支承部，所述固定部在所述第三部分处固定于所述背板。
23、根据本技术的实施例的基板处理装置可以包括扩散块。所述扩散块可以包括：固定部，固定于背板；扩散部，填充供应部的至少一部分并具有朝向气体产生部凸出的圆锥形状；以及支承部，连接所述固定部和所述扩散部并附着于所述圆锥的顶点。
24、由此，工艺气体可以跨基板全区域均匀地供应。即，从气体产生部提供而通过扩散块扩散到工艺腔室内部的工艺气体可以不受到支承部的影响，跨基板全区域均匀地供应。
25、另外，支承部可以包括在垂直于长度方向的截面上是曲面的第一面以及是曲面的第二面。
26、由此，工艺气体可以顺畅地扩散到工艺腔室内部。
27、但是，本技术的效果不限于前述的效果，将可以在不脱离本技术的构思以及领域的范围内进行各种扩展。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
9.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
...【专利技术属性】
技术研发人员：朴瑄昱，申得秀，柳海永，朴炫九，李殷守，李在龙，林垠赞，张容文，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。