【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体材料热处理领域，公开了一种大尺寸硅酸钇镥晶体的原位退火工艺。
技术介绍
1、硅酸钇镥闪烁晶体是一种性能优良的闪烁晶体，该材料具有高密度、高光输出、短衰减时间、发光主波长在光电倍增管的探测敏感区域等优点，利用该晶体制成的γ射线探测器在核医学成像、高能物理、核物理等领域有着非常广阔的应用前景。以其在核医学成像领域中正电子发射计算机断层扫描仪(positron emission tomography，简称pet)的应用为例，lyso晶体被公认为是用于pet的最好晶体。硅酸钇镥晶体因为其良好的闪烁性能及广阔的应用前景引起了国内外闪烁晶体行业的重点关注。
2、目前国内外主要通过提拉法进行硅酸钇镥晶体的生长，硅酸钇镥晶体的熔点高达2050℃，属于单斜晶系，各方向热学性能差异较大，因此对晶体生长工艺要求较高。晶体在生长结束后降温期间很容易出现开裂，主要是因为硅酸钇镥晶体在生长过程中产生较大的热应力缺陷，若不通过合理的退火工艺将晶体内部的热应力释放出来，晶体很容易出现开裂或后期加工时出现开裂，降低晶体的有效利用率。
技术实现思路
1、本专利技术通过提供一种大尺寸硅酸钇镥晶体的原位退火工艺，解决了现有技术中晶体在生长结束后降温期间很容易出现开裂的问题，同时提高晶体的有效利用率。
2、一种大尺寸硅酸钇镥晶体的原位退火工艺，其特征在于，通过提拉法生长大尺寸硅酸钇镥晶体结束后，硅酸钇镥晶体保持原位，保持晶体炉内真空度，退火工艺包括以下六个阶段：
3、s
4、s2：降低加热功率，使晶体炉以5-10℃/h速率降温5-10h；
5、s3：降低加热功率，使晶体炉以10-15℃/h速率降温5-10h；
6、s4：降低加热功率，使晶体炉以15-20℃/h速率降温10-15h；
7、s5：降低加热功率，使晶体炉以25-30℃/h速率降温20-25h；
8、s6：降低加热功率，使晶体炉以30-35℃/h速率降温35-40h，当退火温度
9、达到800℃时，对所述晶体炉的炉膛内进行抽真空处理后，继续退火处理，直至所述炉膛内温度降至与室温一致。
10、优选的，所述退火工艺是通过逐步降低加热器功率，来实现对大尺寸硅酸钇镥晶体的原位退火。
11、优选的，在退火过程中，以4-8rpm的速度旋转硅酸钇镥晶体，退火过程结束后硅酸钇镥晶体停止旋转。
12、优选的，在s6中，退火温度达到800℃时，通过抽真空装置使炉膛内真空度达到0.005-0.01mpa。
13、优选的，原位退火的硅酸钇镥晶体尺寸为直径80-90mm，长度140-170mm。
14、优选的，在s6中，直到加热器功率为零，关闭中频电源，经过16-24h的冷却，打开炉膛取出晶体。
15、本申请提供了一种大尺寸硅酸钇镥晶体的原位退火工艺，至少具有如下技术效果或优点：
16、由于采用了上述提到的一种大尺寸硅酸钇镥晶体的原位退火工艺：所以，有效解决了现有技术中晶体在生长结束后降温退火期间很容易出现开裂的问题，同时提高晶体的有效利用率。
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1.一种大尺寸硅酸钇镥晶体的原位退火工艺，其特征在于，通过提拉法生长大尺寸硅酸钇镥晶体结束后，硅酸钇镥晶体保持原位，保持晶体炉内真空度，退火工艺包括以下六个阶段：
2.如权利要求1所述的一种大尺寸硅酸钇镥晶体的原位退火工艺，其特征在于，所述退火工艺是通过逐步降低加热器功率，来实现对大尺寸硅酸钇镥晶体的原位退火。
3.如权利要求1所述的一种大尺寸硅酸钇镥晶体的原位退火工艺，其特征在于，在退火过程中，以4-8rpm的速度旋转硅酸钇镥晶体，退火过程结束后硅酸钇镥晶体停止旋转。
4.如权利要求1所述的一种大尺寸硅酸钇镥晶体的原位退火工艺，其特征在于，在S6中，退火温度达到800℃时，通过抽真空装置使炉膛内真空度达到0.005-0.01Mpa。
5.如权利要求1所述的一种大尺寸硅酸钇镥晶体的原位退火工艺，其特征在于，原位退火的硅酸钇镥晶体尺寸为直径80-90mm，长度140-170mm。
6.如权利要求1所述的一种解决大尺寸硅酸钇镥晶体开裂的原位退火工
【技术特征摘要】
1.一种大尺寸硅酸钇镥晶体的原位退火工艺，其特征在于，通过提拉法生长大尺寸硅酸钇镥晶体结束后，硅酸钇镥晶体保持原位，保持晶体炉内真空度，退火工艺包括以下六个阶段：
2.如权利要求1所述的一种大尺寸硅酸钇镥晶体的原位退火工艺，其特征在于，所述退火工艺是通过逐步降低加热器功率，来实现对大尺寸硅酸钇镥晶体的原位退火。
3.如权利要求1所述的一种大尺寸硅酸钇镥晶体的原位退火工艺，其特征在于，在退火过程中，以4-8rpm的速度旋转硅酸钇镥晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：董永军，邵明国，
申请(专利权)人：上海芯飞睿科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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