System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 导热膜和方法技术_技高网

导热膜和方法技术

技术编号:42872389 阅读:0 留言:0更新日期:2024-09-27 17:32
一种形成产品的方法,所述产品包括第一部件、第二部件以及布置在所述第一部件与所述第二部件之间的热传递层,其中所述热传递层包括共轭聚合物;所述热传递层是电绝缘的;并且所述热传递层的形成包括将包括所述共轭聚合物的制剂以溶解形式施加到所述第一部件或所述第二部件的表面上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍

1、导热材料用于各种各样的应用中。

2、mary liu和wusheng yin, “a novel high thermal conductive underfill forflip chip application”http://yincae.com/assets/wp-1000-03_2013.pdf公开了一种含有金刚石粉末的底部填充物。

3、huang等人,“thermal conductivity of polymers and polymernanocomposites”, materials science and engineering: r: reports, 第132卷, 2018年10月, 第1-22页描述了聚合物中的热传输机制。

4、suematsu等人,“polyimine, a c=n double bond containing polymers:synthesis and properties” polymer journal, 第15卷, 第i期, 第71-79页 (1983)公开了下式的聚亚胺:

5、


技术实现思路

1、在一些实施例中,本公开提供了一种形成产品的方法,该产品包括第一部件、第二部件以及布置在第一部件与第二部件之间的热传递层。热传递层包括共轭聚合物。热传递层是电绝缘的。热传递层的形成包括将包括共轭聚合物的制剂以溶解形式施加到第一部件或第二部件的表面上。热传递层优选地为跨第一部件与第二部件之间的区域延伸的均匀层。

2、优选地,该产品是电子装置或电子设备。

3、优选地,当使用中时,第一部件与第二部件之间存在温度梯度。

4、在一些实施例中,第一部件和第二部件中的一者是散热器。

5、在一些实施例中,产品是倒装芯片,并且热传递层是倒装芯片的底部填充物。

6、任选地,共轭聚合物具有至少1x104的重均分子量。

7、任选地,共轭聚合物包括式(i)的重复结构:

8、

9、(i)

10、其中ar在每次出现时为亚芳基或亚杂芳基基团;p至少为1;并且y1和y2中的任一者为cr1,其中r1为h或取代基,并且y1和y2中的另一者为n,或者y1和y2中的每一者为cr1。

11、任选地,p为2至5。

12、任选地,(ar)p中的每个ar独立地选自对亚苯基、噻吩、呋喃和苯并双噁唑,其中的每一者可以独立地未被取代或被一个或多个取代基取代。

13、任选地,(ar)p中的一个或多个ar基团被一个或多个选自取代基r2的取代基取代,其中r2在每次出现时独立地选自:

14、f;

15、cn;

16、no2;

17、oh;

18、支链、直链或环状c1-40烷基,优选地为c1-20烷基,其中一个或多个非相邻c原子可以被o、s、nr5、sir62、c=o或coo替代;其中r5在每次出现时为h或取代基,优选地为h或c1-20烃基基团,并且r6在每次出现时独立地为取代基,任选地为c1-20烃基基团;或

19、未被取代的或被一个或多个取代基取代的芳基或杂芳基基团ar5、任选地为苯基,该苯基为未被取代的或被一个或多个选自f、cn、no2和支链、直链或环状c1-20烷基的取代基取代,其中一个或多个非相邻c原子可以被o、s、nr5、sir62、c=o或coo替代。

20、任选地,l选自o、s、nr5或c1-12亚烷基基团,其中一个或多个非相邻c原子可以被o、s、nr5、sir62、co或coo替代,其中r5在每次出现时为h或取代基,并且r6在每次出现时独立地为取代基。

21、任选地,式(i)的重复结构包含在式(ii)、(iii)或(iv)的重复基团中。

22、

23、(ii)

24、

25、(iii)

26、

27、(iv)

28、其中:

29、q至少为1;

30、n为0或正整数;

31、m为0或正整数;以及

32、l如本文所描述。

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【技术保护点】

1.一种形成产品的方法,所述产品包括第一部件、第二部件以及布置在所述第一部件与所述第二部件之间的热传递层,其中所述热传递层包括共轭聚合物;所述热传递层是电绝缘的;并且所述热传递层的形成包括将包括所述共轭聚合物的制剂以溶解形式施加到所述第一部件或所述第二部件的表面上。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述产品是电子装置或电子设备。

3.根据权利要求2所述的方法,其中在使用中,所述第一部件与所述第二部件之间存在温度梯度。

4.根据权利要求2或3所述的方法,其中所述第一部件和所述第二部件中的一者是散热器。

5.根据权利要求2或3所述的方法,其中所述产品是倒装芯片,并且所述热传递层是所述倒装芯片的底部填充物。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述共轭聚合物具有至少1x104的重均分子量。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述共轭聚合物包括式(I)的重复结构:

8.根据权利要求7所述的方法,其中p为2至5。

9.根据权利要求7或8所述的方法,其中(Ar)p中的每个Ar独立地选自对亚苯基、噻吩、呋喃和苯并双噁唑,其中的每一者可以独立地未被取代或被一个或多个取代基取代。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的聚合物,其中(Ar)p中的一个或多个Ar基团被一个或多个选自取代基R2的取代基取代,其中R2在每次出现时独立地选自:

11.根据权利要求7至10中任一项所述的方法,其中L选自O、S、NR5或C1-12亚烷基基团,其中一个或多个非相邻C原子可以被O、S、NR5、SiR62、CO或COO替代,其中R5在每次出现时为H或取代基,并且R6在每次出现时独立地为取代基。

12.根据权利要求7至11中任一项所述的方法,其中所述式(I)的重复结构包含在式(II)、(III)或(IV)的重复基团中。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种形成产品的方法,所述产品包括第一部件、第二部件以及布置在所述第一部件与所述第二部件之间的热传递层,其中所述热传递层包括共轭聚合物;所述热传递层是电绝缘的;并且所述热传递层的形成包括将包括所述共轭聚合物的制剂以溶解形式施加到所述第一部件或所述第二部件的表面上。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述产品是电子装置或电子设备。

3.根据权利要求2所述的方法,其中在使用中,所述第一部件与所述第二部件之间存在温度梯度。

4.根据权利要求2或3所述的方法,其中所述第一部件和所述第二部件中的一者是散热器。

5.根据权利要求2或3所述的方法,其中所述产品是倒装芯片,并且所述热传递层是所述倒装芯片的底部填充物。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述共轭聚合物具有至少1x104的重均分子量。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述共轭...

【专利技术属性】
技术研发人员:T·福雷彻P·加韦尔
申请(专利权)人:住友化学株式会社
类型:发明
国别省市:

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