【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种介电膜，特别地，涉及一种适用于电容器的介电膜。
技术介绍
1、电容器具有介电膜被提供在两个电极之间的结构。电容器的特性很大程度上取决于介电层的介电特性。
2、一般而言，电容器中所使用的介电膜的介电特性可以由介电膜的漏电流密度以及厚度来评估。
3、随着介电膜的厚度减小，每单位面积的电容会增加，且因此介电膜的厚度形成得更薄是较佳的。
4、此外，因为电容器的功耗随着漏电流密度提高而增加，所以降低漏电流密度是所期望的。
技术实现思路
1、技术问题
2、本公开在于解决上述问题，且本公开的目的是提供一种能够在形成薄膜的同时降低漏电流密度的介电膜、形成介电膜的方法、一种包括介电膜的电容器以及一种形成电容器的方法。
3、技术方案
4、为了达成上述目的，根据本公开的实施例，形成介电膜的方法包括供应第一源气体的步骤；供应第一吹除气体的步骤；供应第一反应气体的步骤；以及供应第二吹除气体的步骤，其中，供应第一源气体的步骤包括将包含选自由镧(la)、铈(ce)、锶(sr)、钆(gd)、铪(hf)和锆(zr)组成的组中的至少一种金属的化合物供应至真空沉积设备中，并且其中，供应该第一反应气体的步骤包括将选自由o3和h2o组成的组中的化合物供应至真空沉积设备中。
5、根据本公开的另一个实施例，形成介电膜的方法包括供应第一源气体的步骤；供应第一吹除气体的步骤；供应第二源气体的步骤；供应第二吹除气体的步骤；供应第一反应气
6、根据本公开的另一个实施例，形成介电膜的方法包括供应第一源气体的步骤；供应第一吹除气体的步骤；供应第一反应气体的步骤；供应第二吹除气体的步骤；供应第二源气体的步骤；供应第三吹除气体的步骤；供应第二反应气体的步骤；以及供应第四吹除气体的步骤，其中，供应第一源气体的步骤包括将包含选自由镧(la)、铈(ce)、锶(sr)、钆(gd)、铪(hf)和锆(zr)组成的组中的至少一种金属的化合物供应至真空沉积设备中，其中，供应第二源气体的步骤包括将包含选自由镧(la)、铈(ce)、锶(sr)、钆(gd)、铪(hf)和锆(zr)组成的组中的至少一种金属的化合物供应至真空沉积设备中，其中，第二源气体与第一源气体不同，并且其中，供应第一反应气体的步骤以及供应第二反应气体的步骤中的每一者包括将选自由o3和h2o组成的组中的化合物供应至真空沉积设备中。
7、根据本公开的实施例，形成具有第一电极、第二电极以及在第一电极与第二电极之间的介电膜的电容器的方法包括如上所述形成介电膜。
8、根据本公开的实施例，介电膜包含复合金属的氧化物，其中，复合金属包含选自由镧(la)、铈(ce)、锶(sr)、钆(gd)、铪(hf)和锆(zr)组成的组中的第一金属，以及选自由镧(la)、铈(ce)、锶(sr)、钆(gd)、铪(hf)和锆(zr)组成的组中的第二金属，第二金属与第一金属不同。
9、根据本公开的实施例，介电膜包括第一介电膜；以及在第一介电膜上并由与第一介电膜不同的材料形成的第二介电膜，其中，第一介电膜包含第一金属的氧化物，或包含第一金属和第二金属的复合金属的氧化物，第一金属与第二金属不同，其中，第二介电膜包含第三金属的氧化物，或包含第三金属和第四金属的复合金属的氧化物，第三金属与第四金属不同，并且其中，第一金属、第二金属、第三金属和第四金属中的每一者选自由镧(la)、铈(ce)、锶(sr)、钆(gd)、铪(hf)和锆(zr)组成的组。
10、根据本公开的实施例，电容器包括第一电极；第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的介电膜，其中，介电膜为如上所述的介电膜。
11、有益效果
12、根据如上所述的本公开，会有以下技术效果。
13、根据本公开的实施例，介电膜由镧(la)、铈(ce)、锶(sr)、钆(gd)、铪(hf)或锆(zr)中的至少一种种金属的氧化物使用原子层沉积方法来形成。因此，介电膜可以被形成为薄的并且会改善介电膜的结晶化(crystallization)，从而在介电膜应用于电容器时会使漏电流密度降低。
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1.一种形成介电膜的方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的形成介电膜的方法，其中，供应所述第一源气体的所述步骤包括供应包含选自由镧(La)、铈(Ce)、锶(Sr)、钆(Gd)、铪(Hf)和锆(Zr)组成的组中的第一金属的第一化合物，以及包含选自由镧(La)、铈(Ce)、锶(Sr)、钆(Gd)、铪(Hf)和锆(Zr)组成的组中的第二金属且与所述第一化合物不同的第二化合物。
3.如权利要求2所述的形成介电膜的方法，其中，所述第一金属选自由镧(La)、铈(Ce)、锶(Sr)以及钆(Gd)组成的组，且所述第二金属选自由铪(Hf)和锆(Zr)组成的组。
4.一种形成介电膜的方法，所述方法包括：
5.如权利要求4所述的形成介电膜的方法，其中，所述第一金属选自由镧(La)、铈(Ce)、锶(Sr)以及钆(Gd)组成的组，且所述第二金属选自由铪(Hf)和锆(Zr)组成的组。
6.一种形成介电膜的方法，所述方法包括：
7.如权利要求6所述的形成介电膜的方法，其中，供应所述第一源气体的所述步骤包括将包含选自由镧(La)、铈(
8.一种形成电容器的方法，所述电容器具有第一电极、第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的介电膜，形成所述电容器的方法包括根据权利要求1至7中任意一项所述的方法形成所述介电膜。
9.一种介电膜，包含复合金属的氧化物，
10.如权利要求9所述的介电膜，其中，所述第一金属选自由镧(La)、铈(Ce)、锶(Sr)以及钆(Gd)组成的组，且所述第二金属选自由铪(Hf)和锆(Zr)组成的组。
11.一种介电膜，包括：
12.一种电容器，包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种形成介电膜的方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的形成介电膜的方法，其中，供应所述第一源气体的所述步骤包括供应包含选自由镧(la)、铈(ce)、锶(sr)、钆(gd)、铪(hf)和锆(zr)组成的组中的第一金属的第一化合物，以及包含选自由镧(la)、铈(ce)、锶(sr)、钆(gd)、铪(hf)和锆(zr)组成的组中的第二金属且与所述第一化合物不同的第二化合物。
3.如权利要求2所述的形成介电膜的方法，其中，所述第一金属选自由镧(la)、铈(ce)、锶(sr)以及钆(gd)组成的组，且所述第二金属选自由铪(hf)和锆(zr)组成的组。
4.一种形成介电膜的方法，所述方法包括：
5.如权利要求4所述的形成介电膜的方法，其中，所述第一金属选自由镧(la)、铈(ce)、锶(sr)以及钆(gd)组成的组，且所述第二金属选自由铪(hf)和锆(zr)组成的组。
6.一种形成介电膜的方法，所述方法包括：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：尹弘旻，权容粲，金柱成，金慧荣，朴珉逵，朴昶均，方旻旭，甦財郁，尹洪守，张允柱，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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