【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体封装，具体涉及一种自带电磁波阻挡结构的扇出型封装结构的封装方法。
技术介绍
1、传统的扇出型芯片封装方法中，多颗芯片四周被硅基或者环氧树脂塑封材料保护，正面会重布线实现信号输出，最后切割成单颗封装体。然而这类封装体，因集成多颗高运算和高存储的芯片，各芯片散热多、功耗大、会持续输出大量电磁波信号，所以单个封装体会持续向外输出大量电磁波信号，会影响其它封装体的信号传输和接收，同时也会受到其它封装体的电磁波信号的干扰，从而导致整个器件的信号品质不佳。另外，单个封装体内的单一芯片，会影响其它芯片的信号传输和接受，同时也会受到其它芯片的电磁波信号的干扰，也会导致整个封装体的电性表现和功能品质不好。
技术实现思路
1、为解决现有技术中存在的技术问题，本专利技术的目的在于提供一种自带电磁波阻挡结构的扇出型封装结构的封装方法。
2、为实现上述目的，达到上述技术效果，本专利技术采用的技术方案为：
3、一种自带电磁波阻挡结构的扇出型封装结构的封装方法，包括以下步骤：
4、首先提供一载体ⅰ，在载体ⅰ上布置金属线路和隔离绝缘层，将金属线路设置于隔离绝缘层中；随后在载体ⅰ上贴装若干个芯片，并使芯片与金属线路电连；再在芯片四周制备电磁波阻挡层，随后将所有芯片塑封，得到塑封体；再在塑封体上键合载体ⅱ，以降低整体翘曲；随后拆除载体ⅰ，在隔离绝缘层上制备隔离层，再制备锡球或金属柱，最后移去载体ⅱ，将所得晶圆切割成单颗芯片。
5、进一步的，所述扇出型
6、第一步，提供一载体ⅰ，在载体ⅰ上布置金属线路和隔离绝缘层，所述金属线路设置于隔离绝缘层中；
7、第二步，采用芯片倒贴技术，在载体ⅰ上贴装若干个芯片，并使芯片与金属线路电连；
8、第三步，在每个芯片四周制备电磁波阻挡层；
9、第四步，用隔离材料将所有芯片包裹在内，完成塑封，得到塑封体；
10、第五步，对塑封体进行减薄，满足小型化要求；
11、第六步，在塑封体上键合载体ⅱ，以降低整体翘曲；
12、第七步，拆除载体ⅰ；
13、第八步，在隔离绝缘层远离芯片的一面制备隔离层，再制备锡球或者金属柱；
14、第九步，移去载体ⅱ，将所得晶圆切割成单颗芯片。
15、进一步的，第一步中，所述隔离绝缘层采用无机材料或环氧树脂或阻焊材料，所述无机材料包括氧化硅、氮化硅。
16、进一步的，第二步中，所述芯片包括芯片ⅰ和芯片ⅱ，所述芯片ⅰ和芯片ⅱ的数量分别有若干个，所述芯片ⅰ和芯片ⅱ的金属垫片分别在金属连接点与金属线路实现互连。
17、进一步的，所述载体ⅰ和载体ⅱ分别为玻璃或者金属板。
18、进一步的，第八步中，所述隔离层为环氧材料或者阻焊材料，所述隔离层上设置有金属焊盘结构，所述金属焊盘结构上设置有锡球或者金属柱。
19、本专利技术还公开了一种采用如上所述的自带电磁波阻挡结构的扇出型封装结构的封装方法制备得到的扇出型封装结构。
20、进一步的，所述扇出型封装结构包括金属线路、隔离绝缘层、若干个芯片ⅰ、若干个芯片ⅱ、电磁波阻挡层、隔离材料和隔离层，所述金属线路设置于隔离绝缘层中，所述芯片ⅰ和芯片ⅱ设置于隔离绝缘层上方，所述芯片ⅰ和芯片ⅱ的金属垫片分别在金属连接点与金属线路实现互连，所述芯片ⅰ和芯片ⅱ四周分别设置有电磁波阻挡层，所述芯片ⅰ和芯片ⅱ塑封在隔离材料中，所述隔离绝缘层远离芯片的一面设置有隔离层，所述隔离层的金属焊盘结构上设置有锡球或者金属柱。
21、与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
22、本专利技术公开了一种自带电磁波阻挡结构的扇出型封装结构的封装方法，将单个封装体内的所有芯片四周分别设置电磁波阻挡层，使各芯片的信号可以有效传输及被接受，有效屏蔽相近芯片的信号干扰，提升器件的电性性能，同时能够避免受到其它封装体的信号干扰，亦不会影响其它封装体的信号运算和传输，可成倍提升整个器件的信号品质。
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1.一种自带电磁波阻挡结构的扇出型封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种自带电磁波阻挡结构的扇出型封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种自带电磁波阻挡结构的扇出型封装结构的封装方法，其特征在于，第一步中，所述隔离绝缘层采用无机材料或环氧树脂或阻焊材料，所述无机材料包括氧化硅、氮化硅。
4.根据权利要求2所述的一种自带电磁波阻挡结构的扇出型封装结构的封装方法，其特征在于，第二步中，所述芯片包括芯片Ⅰ和芯片Ⅱ，所述芯片Ⅰ和芯片Ⅱ的数量分别有若干个，所述芯片Ⅰ和芯片Ⅱ的金属垫片分别在金属连接点与金属线路实现互连。
5.根据权利要求2所述的一种自带电磁波阻挡结构的扇出型封装结构的封装方法，其特征在于，所述载体Ⅰ和载体Ⅱ分别为玻璃或者金属板。
6.根据权利要求2所述的一种自带电磁波阻挡结构的扇出型封装结构的封装方法，其特征在于，第八步中，所述隔离层为环氧材料或者阻焊材料，所述隔离层上设置有金属焊盘结构，所述金属焊盘结构上设置有锡球或者金属柱。
8.根据权利要求7所述的一种自带电磁波阻挡结构的扇出型封装结构，其特征在于，包括金属线路、隔离绝缘层、若干个芯片Ⅰ、若干个芯片Ⅱ、电磁波阻挡层、隔离材料和隔离层，所述金属线路设置于隔离绝缘层中，所述芯片Ⅰ和芯片Ⅱ设置于隔离绝缘层上方，所述芯片Ⅰ和芯片Ⅱ的金属垫片分别在金属连接点与金属线路实现互连，所述芯片Ⅰ和芯片Ⅱ四周分别设置有电磁波阻挡层，所述芯片Ⅰ和芯片Ⅱ塑封在隔离材料中，所述隔离绝缘层远离芯片的一面设置有隔离层，所述隔离层的金属焊盘结构上设置有锡球或者金属柱。
...【技术特征摘要】
1.一种自带电磁波阻挡结构的扇出型封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种自带电磁波阻挡结构的扇出型封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种自带电磁波阻挡结构的扇出型封装结构的封装方法，其特征在于，第一步中，所述隔离绝缘层采用无机材料或环氧树脂或阻焊材料，所述无机材料包括氧化硅、氮化硅。
4.根据权利要求2所述的一种自带电磁波阻挡结构的扇出型封装结构的封装方法，其特征在于，第二步中，所述芯片包括芯片ⅰ和芯片ⅱ，所述芯片ⅰ和芯片ⅱ的数量分别有若干个，所述芯片ⅰ和芯片ⅱ的金属垫片分别在金属连接点与金属线路实现互连。
5.根据权利要求2所述的一种自带电磁波阻挡结构的扇出型封装结构的封装方法，其特征在于，所述载体ⅰ和载体ⅱ分别为玻璃或者金属板。
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘轶，陈志华，马书英，闫立，
申请(专利权)人：华天科技昆山电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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