【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片，尤其涉及一种优化高温环境下性能的vcsel芯片制造方法。
技术介绍
1、vcsel芯片是一种垂直腔面发射激光器，广泛应用于光通信、面部识别、生物医学成像和消费类电子产品等领域。
2、vcsel非常容易受到温度的影响，主要体现在如下几点：其一，vcsel的输出功率会随着温度的变化而变化，当温度不稳定时，芯片的输出功率会出现波动，从而导致通信或传感系统性能下降；其二，温度变化会导致vcsel的工作波长发生漂移，从而不能适用于需要精确控制波长的场景（如光纤通信）；其三，高温和温度变化会引起内部结构的热应力，从而加速器件的老化和损坏，导致vcsel寿命的缩短；其四，温度变化会导致vcsel的输出光谱带宽增加，光谱纯度下降，从而不能适用于需要窄光谱宽度和高光谱纯度的场景（如光谱测量）。
3、现有一般采用外部控制的方式改善vcsel的工作环境，即使用温度传感器实时监测芯片的温度，并将监测结果反馈给控制系统，控制系统维持工作环境的温度在合适范围内，以保证vcsel的性能。但这种方式使得vcsel仅能适用于特定温度范围的场合，大幅减少了vcsel的应用场景。
技术实现思路
1、为克服现有采用外部控制方式保证vcsel性能存在的应用场景大幅减少的技术缺陷，本专利技术提供了一种优化高温环境下性能的vcsel芯片制造方法。
2、本专利技术提供的优化高温环境下性能的vcsel芯片制造方法，依次包括如下步骤：
3、s1.衬底准备；
<...【技术保护点】
1.一种优化高温环境下性能的VCSEL芯片制造方法，其特征在于，依次包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的优化高温环境下性能的VCSEL芯片制造方法，其特征在于，所述P型电极（5）为Ti电极或Pt电极或Au电极。
3.根据权利要求1所述的优化高温环境下性能的VCSEL芯片制造方法，其特征在于，所述种子层为Ti和Au形成的复合种子层。
4.根据权利要求1所述的优化高温环境下性能的VCSEL芯片制造方法，其特征在于，所述金属层为Au层。
【技术特征摘要】
1.一种优化高温环境下性能的vcsel芯片制造方法，其特征在于，依次包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的优化高温环境下性能的vcsel芯片制造方法，其特征在于，所述p型电极（5）为ti电极或pt电极或au电极。
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