【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。
技术介绍
1、公开过一种具有双重管结构的基板处理装置，其中该双重管结构具备作为内部反应管的内管、和呈同心圆状围绕该内管的作为外部反应管的外管(参照专利文献1)。作为内管与外管之间的圆环状空间的排气空间和处理室内经由排气口连通。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2020-167400号公报
技术实现思路
1、在向进行基板处理的处理室内供给处理气体时，例如从提高基板处理的处理能力等观点考虑，存在谋求使处理室内的处理气体的分压迅速上升至所期望的压力的情况。
2、但是，若如上述的以往例那样内管的内侧的处理室内和内管与外管之间的排气空间经由排气口连通，则供给到处理室内的处理气体的一部分会通过排气口向排气空间流动。因此，使处理室内的处理气体的分压上升需要时间。
3、本专利技术提供一种在向进行基板处理的处理室内供给处理气体时能够提高使处理室内的处理气体的分压上升至所期望的压力的速度的技术。
4、根据本专利技术的一个方案，提供一种技术，具备：
5、内侧容器，其收容基板；外侧容器，其包围上述内侧容器的侧壁；内侧排气口，其设在上述内侧容器的上述侧壁的、与上述内侧容器中的上述基板的配置区域相对的位置；外侧排气口，其设在上述外侧容器的、在上述内侧容器的侧壁的周向上与上述内侧排气口不同的位置；第1处理气体供给系统，其向上述内侧容器内供给第1
6、专利技术效果
7、根据本专利技术的技术，在向进行基板处理的处理室内供给处理气体时能够提高使处理室内的处理气体的分压上升至所期望的压力的速度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
6.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
7.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
8.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
11.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
12.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
13.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
14.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
15.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
16.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，<...
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
6.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
7.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
8.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
11.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：西田圭吾，林孝徳，石坂光范，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：
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