【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及半导体装置。
技术介绍
1、作为在电力变换等中使用的半导体装置，有在绝缘栅双极型晶体管(igbt，insulated gate bipolar transistor)中内置有二极管的反向导通绝缘栅双极型晶体管(rc-igbt，reverse conducting insulated gate bipolar transistor)。对于该半导体装置，要求使二极管能够更高速地动作的技术。
技术实现思路
1、实施方式的半导体装置具备第一电极、第二电极、第一区域和第二区域。所述第二电极包含朝向所述第一电极突出的接触部，与所述第一电极分离。所述第一区域在所述第一电极与所述第二电极之间设置于所述第一电极的一部分之上。所述第一区域包含第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、栅极电极、第一导电型的第四半导体区域、以及第二导电型的第五半导体区域。所述第二半导体区域的一部分设置于所述第一半导体区域之上。所述第三半导体区域设置于所述第二半导体区域的所述一部分之上，包含第一部分及第二部分。所述栅电极在与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向垂直的第二方向上隔着栅极绝缘层与所述第三半导体区域相对。所述第四半导体区域在所述第一方向上设置于所述第三半导体区域与所述接触部之间。所述第四半导体区域具有比所述第三半导体区域高的第一导电型的杂质浓度。所述第四半导体区域在与所述第一方向及所述第二方向垂直的第三方向上与所述第一部分并排。所述第五半导体区
2、根据本实施方式，能够提供能够使二极管更高速地动作的半导体装置。
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1.一种半导体装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，
6.根据权利要求4所述的半导体装置，
7.根据权利要求4所述的半导体装置，
8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，
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