【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种半导体结构，且特别是有关于形成位线接触件的开口与漏极接触件的开口的方法。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)装置广泛地应用于消费性电子产品中。当器件尺寸持续缩小时，许多制造技术上的挑战随之而生。举例而言，在半导体制造工艺中，由于设备的限制，难以直接形成位线接触件的开口。因此仍需改进动态随机存取存储器装置的制造方法，以克服器件尺寸缩小所产生的问题。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供半导体结构的形成方法，包含依序形成第一堆叠层与第一图案化层于基板上；形成具有第一开口的第一图案化光刻胶层于第一图案化层上；修整第一图案化光刻胶层；将经修整的第一图案化光刻胶层的第一图案转移到第一图案化层；进行第一图案反转制造工艺，以将第一图案化层的第一图案反转为第二开口，其中第一开口延伸至第一堆叠层中；形成第二图案化层于第二开口中与第二开口上；形成具有第三开口的第二图案化光刻胶层于第二图案化层上；将第二图案化光刻胶层的第二图案转移到第一堆叠层，以使第一堆叠层具有第二开口与第三开口；进行第二图案反转制造工艺，以将第二开口与该第三开口之间的第三图案反转为第四开口；以及将第四开口延伸至基板中。本专利技术实施例借由使用同一掩膜搭配修整步骤可形成两种不同形状的开口，同时可更减少制造成本。
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该第一图案反转制造工艺包括：
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该第一图案反转制造工艺更包括：
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该第二图案反转制造工艺包括：
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该第一堆叠层包括一含碳遮罩层与位于该含碳遮罩层上的一含氧遮罩层，其中形成该含氧材料层的步骤与去除该第一堆叠层的步骤包括：
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该第一图案化光刻胶层的该第一开口的宽度与该第二图案化光刻胶层的该第三开口的宽度相同。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，修整该第一图案化光刻胶层的步骤包括等向性刻蚀该第一图案化光刻胶层，并减少该第一图案化光刻胶层的高度。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在一上视图中，该第三开口的形状比该第二开口的形状圆。
10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿着该第二开口与该第三开口的边缘绘示出一边缘线，其中沿着该第二开口的该边缘线比沿着该第三开口的该边缘线尖锐。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该第一图案反转制造工艺包括：
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该第一图案反转制造工艺更包括：
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该第二图案反转制造工艺包括：
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该第一堆叠层包括一含碳遮罩层与位于该含碳遮罩层上的一含氧遮罩层，其中形成该含氧材料层的步骤与去除该第一堆叠层的步骤包括：
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该第一图案化光刻胶层的该第一开口的宽度与该...
【专利技术属性】
技术研发人员：王喻柏，彭德轩，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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