【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法。
技术介绍
1、在半导体集成电路制造的后段工艺中常需要进行深沟槽刻蚀。但是由于需刻蚀的膜层较厚，通常为6um至8um，且涉及较多种类的膜层类型，例如氧化物、氮化硅和掺杂碳化硅等，将会使得刻蚀菜单中的刻蚀步骤较多，刻蚀进程时间较长，从而导致深沟槽刻蚀作业过程机台工作腔的上极板因长时间处于工作状态而出现温度急剧攀升的情形，不仅会损害机台的寿命，还会对工作腔的工作环境造成不利影响，影响后续制程工艺的稳定性。
技术实现思路
1、本申请提供了一种深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法，可以解决相关技术在深沟槽刻蚀进程后工作腔上极板过热的问题。
2、为了解决
技术介绍
中的技术问题，本申请提供一种深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法，在对当前晶片进行深沟槽刻蚀后，在对后一晶片进行深沟槽刻蚀前，进行所述工作腔处理方法；
3、所述深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法包括以下步骤：
4、在第一压力条件下，向工作腔中通入氧气以去除所述工作腔中的聚合物；
5、在第二压力条件下，使得所述工作腔的原功率置为0w、偏置功率置为0w，向所述工作腔的上极板通氮气；所述第二压力条件的压力小于所述第一压力条件的压力；
6、使得位于所述工作腔底端的抽气泵工作使得所述工作腔中的气体氛围流动，以使得所述氮气流动带走所述工作腔的上极板的温度。
7、可选地，所述在第一压力条件下，向工作腔中通入氧气以去除所述工作腔中
8、在第一压力条件下，使得所述工作腔的原功率为0w，向工作腔中通入氧气以去除所述工作腔中的聚合物；
9、在第一压力条件下，使得所述工作腔的原功率为100w至300w，向工作腔中通入氧气以去除所述工作腔中的聚合物；
10、在第一压力条件下，使得所述工作腔的原功率为400w至600w，向工作腔中通入氧气以去除所述工作腔中的聚合物。
11、可选地，所述第一压力条件的压力范围为280mt至320mt。
12、可选地，所述在第一压力条件下，向工作腔中通入氧气以去除所述工作腔中的聚合物的步骤包括：
13、在第一压力条件下，向工作腔中通入流量为1700sccm至1800sccm氧气以去除所述工作腔中的聚合物。
14、可选地，所述在第二压力条件下，使得所述工作腔的原功率置为0w、偏置功率置为0w，向所述工作腔的上极板通氮气的步骤，包括：
15、在压力范围为0mt至150mt第二压力条件下，使得所述工作腔的原功率置为0w、偏置功率置为0w，向所述工作腔的上极板通氮气。
16、可选地，所述在第二压力条件下，使得所述工作腔的原功率置为0w、偏置功率置为0w，向所述工作腔的上极板通氮气的步骤，包括：
17、在压力范围为0mt至150mt第二压力条件下，使得所述工作腔的原功率置为0w、偏置功率置为0w，向所述工作腔的上极板通流量为800sccm至1000sccm氮气。
18、可选地，所述氮气的导热系数为0.025w/(m·k)。
19、本申请技术方案，至少包括如下优点：通过先在第一压力条件下，向工作腔中通入氧气以去除所述工作腔中的聚合物，在低压条件下，使得所述工作腔的原功率置为0w、偏置功率置为0w，向所述工作腔的上极板通入高流量的氮气，利用氮气高导热系数特性以使得向工作腔的上极板通氮气时能够快速带走上极板的温度，使得上极板降温。
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1.一种深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法，其特征在于，在对当前晶片进行深沟槽刻蚀后，在对后一晶片进行深沟槽刻蚀前，进行所述工作腔处理方法；
2.如权利要求1所述的深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法，其特征在于，所述在第一压力条件下，向工作腔中通入氧气以去除所述工作腔中的聚合物的步骤包括依次进行的以下步骤：
3.如权利要求1或2所述的深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法，其特征在于，所述第一压力条件的压力范围为280mT至320mT。
4.如权利要求1所述的深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法，其特征在于，所述在第一压力条件下，向工作腔中通入氧气以去除所述工作腔中的聚合物的步骤包括：
5.如权利要求1所述的深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法，其特征在于，所述在第二压力条件下，使得所述工作腔的原功率置为0W、偏置功率置为0W，向所述工作腔的上极板通氮气的步骤，包括：
6.如权利要求1所述的深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法，其特征在于，所述在第二压力条件下，使得所述工作腔的原功率置为0W、偏置功率置为0W，向所述工作腔的上极板通氮气的步骤，包括：
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...【技术特征摘要】
1.一种深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法，其特征在于，在对当前晶片进行深沟槽刻蚀后，在对后一晶片进行深沟槽刻蚀前，进行所述工作腔处理方法；
2.如权利要求1所述的深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法，其特征在于，所述在第一压力条件下，向工作腔中通入氧气以去除所述工作腔中的聚合物的步骤包括依次进行的以下步骤：
3.如权利要求1或2所述的深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法，其特征在于，所述第一压力条件的压力范围为280mt至320mt。
4.如权利要求1所述的深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法，其特征在于，所述在第一压力条件下，向工作腔中...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋泽凯，郭海亮，赵雁雁，王玉新，汪建，姚智，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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