【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种制造电子部件的方法，每个电子部件包括电子芯片。更具体地讲，本公开旨在提供一种制造称为表面安装设备(smd)的电子部件的方法，也就是说，在至少一个表面侧包括至少两个接触金属化，所述接触金属化要被焊接到外部设备(例如，印刷电路板或另一电子部件)的对应连接区域。
技术介绍
1、已提供许多表面安装电子部件制造方法。实施例克服已知表面安装电子部件制造方法的全部或一部分缺点。
技术实现思路
1、一个实施例提供一种制造多个第一电子部件的方法，每个第一电子部件包括第二电子部件，每个第二电子部件在第二电子部件的连接表面侧包括至少两个接触金属化，所述方法包括下面的相继步骤：
2、a)在基底的表面上，对于每个第二电子部件，形成至少两个金属柱，所述至少两个金属柱要分别连接到第二电子部件的所述至少两个接触金属化，每个所述金属柱具有比第二电子部件的对应接触金属化的表面面积大的表面面积；
3、b)在每个金属柱的表面的仅一部分上，形成该电子部件的接触金属化；
4、c)利用第一树脂层覆盖基底的所述表面、金属柱和第一电子部件的接触金属化；
5、d)去除基底以露出金属柱的与该电子部件的接触金属化相对的表面；
6、e)将第二电子部件通过其接触金属化接合并且电连接到金属柱的与第一电子部件的接触金属化相对的表面；
7、f)削薄第一树脂层以露出第一电子部件的接触金属化的与金属柱相对的表面；和
8、g)切割第一树脂层以使第一电子部件
9、根据实施例，通过电解生长来形成金属柱。
10、根据实施例，通过电解生长来形成第一电子部件的接触金属化。
11、根据实施例，所述方法在步骤e)之后包括利用第二树脂层覆盖第二电子部件和第一电子部件的接触金属化的步骤。
12、根据实施例，在步骤g)的切割期间，第一电子部件的金属柱和接触金属化的侧面被露出。
13、根据实施例，所述金属柱由铜、金、锡、银或多种这些材料的合金制成。
14、根据实施例，第一电子部件的接触金属化由铜、金、锡、银或多种这些材料的合金制成。
15、根据实施例，第一电子部件的接触金属化具有从20μm到100μm的范围中的高度。
16、根据实施例，第一电子部件的接触金属化具有大于或等于30μm的高度。
17、根据实施例，金属柱具有从80μm到150μm的范围中的高度。
18、根据实施例，在步骤g)期间，第一树脂层的切割被执行杀跌第一树脂层保留在该电子部件的侧面。
19、根据实施例，在步骤g)期间，第一树脂层的切割被执行使得在这个步骤结束时，第一电子部件的接触金属化和金属柱与该电子部件的侧面齐平。
20、根据实施例，在步骤g)期间，第一贯穿切割线被形成，使得第一电子部件的接触金属化和金属柱与该电子部件的侧面齐平，并且具有比第一切割线的切割宽度大的切割宽度的第二非贯穿切割线被形成以露出金属柱的与第一电子部件的接触金属化相对的表面的一部分。
21、根据实施例，在步骤e)之后，该结构被存放以供稍后使用。
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1.一种方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中通过电解生长来形成金属柱。
3.如权利要求1所述的方法，其中通过电解生长来形成第二接触金属化。
4.如权利要求1所述的方法，包括：在将电子部件接合并且电连接到金属柱的与第二接触金属化相对的表面之后，利用第二树脂层覆盖电子部件和第二接触金属化。
5.如权利要求1所述的方法，其中在切割第一树脂层期间，金属柱和第二接触金属化的侧面被露出。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述金属柱由铜、金、锡、银或多种这些材料的合金制成。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述第二接触金属化由铜、金、锡、银或多种这些材料的合金制成。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述第二接触金属化具有20μm到100μm的范围中的高度。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述第二接触金属化具有大于或等于30μm的高度。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述金属柱具有80μm到150μm的范围中的高度。
11.如权利要求1所述的方法，其中切割第一树
12.如权利要求1所述的方法，其中所述第一树脂层的切割被执行，从而第二接触金属化和金属柱与所述多个表面安装电子部件中的每个表面安装电子部件的侧面齐平。
13.如权利要求1所述的方法，其中，在切割第一树脂层期间，第一贯穿切割线被形成，使得第二接触金属化和金属柱与所述多个表面安装电子部件中的每个表面安装电子部件的侧面齐平，并且具有比第一切割线的切割宽度大的切割宽度的第二非贯穿切割线被形成，以露出金属柱的与第二接触金属化相对的表面的一部分。
14.一种方法，包括：
15.如权利要求14所述的方法，其中在基底上形成多个金属柱包括在基底上形成接合层并且直接在接合层上形成所述多个金属柱。
16.如权利要求14所述的方法，其中每个接触金属化仅覆盖每个金属柱的一部分。
17.如权利要求15所述的方法，其中露出所述多个金属柱包括去除基底并且去除接合层。
18.一种方法，包括：
19.如权利要求18所述的方法，其中所述多个金属柱中的每个金属柱包括第一部分和第二部分，所述第二部分具有与第一部分不同的形状，与每个相邻金属柱的第一部分相比，每个金属柱的第二部分更靠近每个相邻金属柱的第二部分。
20.如权利要求19所述的方法，其中每个金属柱的第二部分被耦合到所述多个电子部件中的电子部件。
...【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中通过电解生长来形成金属柱。
3.如权利要求1所述的方法，其中通过电解生长来形成第二接触金属化。
4.如权利要求1所述的方法，包括：在将电子部件接合并且电连接到金属柱的与第二接触金属化相对的表面之后，利用第二树脂层覆盖电子部件和第二接触金属化。
5.如权利要求1所述的方法，其中在切割第一树脂层期间，金属柱和第二接触金属化的侧面被露出。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述金属柱由铜、金、锡、银或多种这些材料的合金制成。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述第二接触金属化由铜、金、锡、银或多种这些材料的合金制成。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述第二接触金属化具有20μm到100μm的范围中的高度。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述第二接触金属化具有大于或等于30μm的高度。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述金属柱具有80μm到150μm的范围中的高度。
11.如权利要求1所述的方法，其中切割第一树脂层被执行，从而第一树脂层保留在所述多个表面安装电子部件中的每个表面安装电子部件的侧面。
12.如权利要求1所述的方法，其中所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：O·奥里，M·德克鲁兹，
申请(专利权)人：意法半导体国际公司，
类型：发明
国别省市：
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