【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆清洗，尤其涉及一种晶圆清洗刷的再生方法及清洗装置。
技术介绍
1、目前，晶圆毛刷均设置有使用寿命，即对应于晶圆毛刷对晶圆进行刷洗使用的次数。在到达使用寿命后，即晶圆清洗刷每到一定晶圆刷洗使用次数后，则需要进行更换新的晶圆清洗刷，旧的清洗刷会直接报废，因此对晶圆进行刷洗的清洗刷消耗量大，导致晶圆清洗刷的利用率低，晶圆清洗的成本高。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种晶圆清洗刷的再生方法及清洗装置，以解决现有技术中清洗刷消耗量大，导致晶圆清洗刷的利用率低，晶圆清洗的成本高的技术问题。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种晶圆清洗刷的再生方法，包括：
3、待晶圆清洗刷达到预设寿命后，获取所述晶圆清洗刷的实际使用次数；
4、根据所述实际使用次数，确定所述晶圆清洗刷的第一喷淋控制参数、兆声清洁控制参数和第二喷淋控制参数；其中，所述第一喷淋控制参数用于控制对所述晶圆清洗刷的第一次清洗喷淋，所述第二喷淋控制参数用于控制对所述晶圆清洗刷的第二次清洗喷淋，所述兆声清洁控制参数用于控制对所述晶圆清洗刷的声波清洁；
5、根据所述第一喷淋控制参数、兆声清洁控制参数和第二喷淋控制参数，对所述晶圆清洗刷进行再生清洗，从而得到再生清洗后的晶圆清洗刷。
6、作为优选方案，所述待晶圆清洗刷达到预设寿命后，获取所述晶圆清洗刷的实际使用次数，具体包括：
7、待晶圆清洗刷达到预设寿命后，响应于用户将所述晶圆清洗刷
8、作为优选方案，所述晶圆清洗设备用于控制晶圆清洗刷来对晶圆进行刷洗，并在每刷洗完一个晶圆后，记录并更新该晶圆清洗刷的刷洗晶圆片数。
9、作为优选方案，所述根据所述实际使用次数，确定所述晶圆清洗刷的第一喷淋控制参数、兆声清洁控制参数和第二喷淋控制参数，具体为：
10、根据所述实际使用次数，确定所述晶圆清洗刷的用于第一次清洗喷淋的喷淋时间、水流量、喷淋头摆动速度、喷淋头摆动角度、喷淋头摆动时间和第一晶圆清洗刷转速，作为第一喷淋控制参数；
11、根据所述实际使用次数，确定所述晶圆清洗刷的用于声波清洁的兆声模式、兆声时间、晶圆清洗刷转速和药液温度，作为兆声清洁控制参数；
12、根据所述实际使用次数和第一喷淋控制参数，确定所述晶圆清洗刷的用于第二次清洗喷淋的喷淋时间、水流量、喷淋头摆动速度、喷淋头摆动角度、喷淋头摆动时间和第二晶圆清洗刷转速，作为第一喷淋控制参数。
13、作为优选方案，所述兆声模式包括单兆声模式和双兆声模式，所述第一次清洗喷淋和所述第二次清洗喷淋中喷淋头喷淋的是去离子水。
14、作为优选方案，所述声波清洁中用到的药液为按照1：4：50比例配比的nh4oh/h202/h2o，所述药液温度范围为[40℃,50℃]。
15、作为优选方案，所述第一次清洗喷淋和所述第二次清洗喷淋的喷洒时间范围为[300s,600s]，所述喷淋头摆动速度范围为[50r/min,60r/min]，所述喷淋头摆动角度范围为[30°,60°]，所述喷淋头摆动时间范围为[30s,60s]，所述第一晶圆清洗刷转速范围为[800r/min,900r/min]，所述第二晶圆清洗刷转速为1000r/min。
16、相应地，本专利技术还提供一种清洗装置，包括：控制主机、清洗槽、兆声发生器、喷淋杆、药液进液口、药液排液口、毛刷电机、喷淋头以及两端固定于所述毛刷电机上的待清洗再生的晶圆清洗刷；
17、所述控制主机用于执行如上任意一项所述的晶圆清洗刷的再生方法，所述控制主机均与所述兆声发生器、喷淋杆、药液进液口、药液排液口、毛刷电机和喷淋头连接。
18、作为优选方案，所述兆声发生器的数量至少为三个，所述兆声发生器分别置于所述清洗槽的两个侧壁和一个底面。
19、作为优选方案，所述毛刷电机的数量至少为两个，所述毛刷电机分别置于所述清洗槽的两个相互面对的侧壁，所述喷淋头的数量为若干个，所述喷淋头均匀设置于所述喷淋杆上，所述喷淋杆设置于所述毛刷电机的上方；
20、所述药液进液口和所述药液排液口分别设置于所述清洗槽的同一侧壁的上方和下方。
21、相比于现有技术，本专利技术实施例具有如下有益效果：
22、本专利技术的技术方案通过根据实际使用次数确定清洗参数，可以对晶圆清洗刷进行再生清洗，延长其使用寿命，相比于现有的一次性使用方式，再生清洗能够使晶圆清洗刷多次使用，提高了其利用率，而再生清洗可以减少对新晶圆清洗刷的需求，从而节约了生产新晶圆清洗刷所需的材料和能源，同时由于晶圆清洗刷的使用寿命延长，减少了更换频率，也降低了维护和更换的成本。而通过根据实际使用次数调整第一喷淋控制参数、第二喷淋控制参数和兆声清洁控制参数，可以更好地适应晶圆清洗刷的磨损情况，保证清洗效果的稳定性和一致性，同时再生清洗后的晶圆清洗刷能够提供与新晶圆清洗刷相当的清洗效果。另外，再生清洗可以减少废弃晶圆清洗刷的数量，降低废弃物的产生量，从而减少了对环境的污染。
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1.一种晶圆清洗刷的再生方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种晶圆清洗刷的再生方法，其特征在于，所述待晶圆清洗刷达到预设寿命后，获取所述晶圆清洗刷的实际使用次数，具体包括：
3.如权利要求2所述的一种晶圆清洗刷的再生方法，其特征在于，所述晶圆清洗设备用于控制晶圆清洗刷来对晶圆进行刷洗，并在每刷洗完一个晶圆后，记录并更新该晶圆清洗刷的刷洗晶圆片数。
4.如权利要求3所述的一种晶圆清洗刷的再生方法，其特征在于，所述根据所述实际使用次数，确定所述晶圆清洗刷的第一喷淋控制参数、兆声清洁控制参数和第二喷淋控制参数，具体为：
5.如权利要求4所述的一种晶圆清洗刷的再生方法，其特征在于，所述兆声模式包括单兆声模式和双兆声模式，所述第一次清洗喷淋和所述第二次清洗喷淋中喷淋头喷淋的是去离子水。
6.如权利要求4所述的一种晶圆清洗刷的再生方法，其特征在于，所述声波清洁中用到的药液为按照1：4：50比例配比的NH4OH/H202/H2O，所述药液温度范围为[40℃,50℃]。
7.如权利要求4所述的一种晶圆清洗刷的再
8.一种清洗装置，其特征在于，包括：控制主机、清洗槽、兆声发生器、喷淋杆、药液进液口、药液排液口、毛刷电机、喷淋头以及两端固定于所述毛刷电机上的待清洗再生的晶圆清洗刷；
9.如权利要求8所述的一种清洗装置，其特征在于，所述兆声发生器的数量至少为三个，所述兆声发生器分别置于所述清洗槽的两个侧壁和一个底面。
10.如权利要求8所述的一种清洗装置，其特征在于，所述毛刷电机的数量至少为两个，所述毛刷电机分别置于所述清洗槽的两个相互面对的侧壁，所述喷淋头的数量为若干个，所述喷淋头均匀设置于所述喷淋杆上，所述喷淋杆设置于所述毛刷电机的上方；
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗刷的再生方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种晶圆清洗刷的再生方法，其特征在于，所述待晶圆清洗刷达到预设寿命后，获取所述晶圆清洗刷的实际使用次数，具体包括：
3.如权利要求2所述的一种晶圆清洗刷的再生方法，其特征在于，所述晶圆清洗设备用于控制晶圆清洗刷来对晶圆进行刷洗，并在每刷洗完一个晶圆后，记录并更新该晶圆清洗刷的刷洗晶圆片数。
4.如权利要求3所述的一种晶圆清洗刷的再生方法，其特征在于，所述根据所述实际使用次数，确定所述晶圆清洗刷的第一喷淋控制参数、兆声清洁控制参数和第二喷淋控制参数，具体为：
5.如权利要求4所述的一种晶圆清洗刷的再生方法，其特征在于，所述兆声模式包括单兆声模式和双兆声模式，所述第一次清洗喷淋和所述第二次清洗喷淋中喷淋头喷淋的是去离子水。
6.如权利要求4所述的一种晶圆清洗刷的再生方法，其特征在于，所述声波清洁中用到的药液为按照1：4：50比例配比的nh4oh/h202/h2o，所述药液温度范围为[40℃,50℃]。
7.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：星钥珠海半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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