【技术实现步骤摘要】
本技术涉及带有金属化孔的覆铜板、线路板。
技术介绍
1、在覆铜板或线路板的制作过程中，通常使用绝缘材料作为基材，在该基材的单面或双面上复合金属材料以制得覆铜板并对其进行蚀刻从而制得线路板。作为绝缘的基材的示例，可以使用刚性基材(亦称为硬板)，例如有机高分子刚性板、陶瓷板(诸如二氧化硅板)、玻璃板等中的一种或多种，有机高分子刚性板又可包括lcp、ptfe、ctfe、fep、ppe、合成橡胶板、玻纤布/陶瓷填料增强板中的一种或多种，其中玻纤布/陶瓷填料增强板是以有机高分子材料如环氧树脂、改性环氧树脂、ptfe、ppo、ce、bt等为基础材料、以玻纤布/陶瓷填料为增强相的板材。另外，绝缘的基材还可以使用挠性板(亦称为软板)，例如有机高分子薄膜，其包括pi(即，聚酰亚胺)、pto、pc、psu、pes、pps、ps、pe、pp、pei、ptfe、peek、pa、pet、pen、lcp或ppa中的一种或多种。
2、另外，在线路板行业中，广泛地使用金属化过孔来导通线路板的表面和背面的电路图案或电子元器件等，或者将双层或多层线路板中的各层线路板之间的导体层相互电连接，以便于进行多层电路图案的设计。
3、在现有技术中，在基材上复合金属材料的一类方法是将超薄铜箔压合到基材上而制得覆铜板。然而，由于压合法中超薄铜箔难以制作以及层压，以及由于蚀刻精度的限制，导致难以制作精细线路。而且，压合法本身无法实现过孔的孔壁上的导体层，而只能在后续工艺中制作过孔的孔壁上的导体层，因此无法保证基材的表面上的导体层与过孔的孔壁上的导体层之间的
4、在现有技术中，在基材上复合金属材料的另一类方法是使用导电墨水、纳米压印、常规磁控溅射等技术，以均匀地复合金属材料以制得覆铜板，或直接图形化地复合金属材料以制得线路板。然而，这些技术制作的线路板存在致命缺陷：导电线路与基材之间的结合力差，无法满足后段工序的要求。尤其地，这些技术在对孔进行金属化时，电镀铜层与孔壁之间的结合力差，铜层容易从孔壁脱离。而且，在孔区域内，电流密度分布不均匀会导致铜在孔表面的沉积速率大于孔壁的沉积速率，因此，在沉积过程中容易在孔壁上的导体层中形成洞或裂缝，且孔壁上的导体层在经受热冲击时容易分层或起泡且电阻变化率高，还会导致孔表面上的导体层厚度大于孔壁上的导体层厚度。另外，这些技术加工效率低下。
5、本领域对于基材的表面上的导体层和孔壁上的导体层均结合力强且交界处平整光滑、厚度均匀同时能够高效率加工的制作覆铜板和制作线路板的方法存在持续的需求。
技术实现思路
1、本技术的目的是克服上述现有
中存在的缺陷，其提供了带有金属化孔的覆铜板、线路板及其制作方法，从而实现了基材的表面上的导体层和孔壁上的导体层均结合力强且交界处平整光滑、厚度均匀同时能够高效率加工的技术效果。
2、技术方案1.一种带有金属化孔的覆铜板，包括：
3、带孔的绝缘的基材；
4、导电籽晶层，其通过对所述基材的表面以及孔壁同时以多种物理气相沉积的组合的方式进行处理以在所述基材的表面和所述孔壁上形成；
5、电镀加厚层，其通过对所述导电籽晶层进行电镀加厚而形成。
6、技术方案2.根据技术方案1所述的覆铜板，其特征在于，所述基材为聚酰亚胺膜。
7、技术方案3.根据技术方案1所述的覆铜板，其特征在于，所述孔采用机械钻孔或激光钻孔而形成。
8、技术方案4.根据技术方案3所述的覆铜板，其特征在于，所述孔是孔径为20-500μm的盲孔或通孔。
9、技术方案5.根据技术方案3所述的覆铜板，其特征在于，所述孔是孔径为20-200μm的盲孔或通孔。
10、技术方案6.根据技术方案3-5中任一项所述的覆铜板，其特征在于，所述盲孔的孔深为5-200μm。
11、技术方案7.根据技术方案1所述的覆铜板，其特征在于，所述多种物理气相沉积包括：离子注入、等离子体沉积、高功率脉冲磁控溅射、常规磁控溅射。
12、技术方案8.根据技术方案1所述的覆铜板，其特征在于，所述多种物理气相沉积的组合中包括高功率脉冲磁控溅射。
13、技术方案9.根据技术方案1所述的覆铜板，其特征在于，以多种物理气相沉积的组合的方式进行处理包括：
14、首先进行离子注入，之后进行高功率脉冲磁控溅射，最后进行常规磁控溅射；
15、或者，首先进行等离子体沉积，之后进行高功率脉冲磁控溅射，最后进行常规磁控溅射；
16、或者，首先进行高功率脉冲磁控溅射，之后进行等离子体沉积，最后进行常规磁控溅射；
17、或者，首先进行高功率脉冲磁控溅射，之后进行常规磁控溅射；
18、或者，首先进行高功率脉冲磁控溅射，之后进行等离子体沉积；
19、或者，首先进行等离子体沉积，之后进行高功率脉冲磁控溅射；
20、或者，首先进行高功率脉冲磁控溅射，之后进行离子注入。
21、技术方案10.根据技术方案1所述的覆铜板，其特征在于，所述导电籽晶层的厚度的标准差为5％-20％；所述孔壁上的导体层的厚度与所述基材的表面上的导体层的厚度的比值大于或等于1:1。
22、技术方案11.根据技术方案1所述的覆铜板，其特征在于，所述基材为厚度5-200μm的聚酰亚胺膜，所钻的孔是孔径为20-200μm的通孔；
23、以多种物理气相沉积的组合的方式进行处理包括：
24、首先进行高功率脉冲磁控溅射以形成镍层，之后进行常规磁控溅射以溅射铜层。
25、技术方案12.根据技术方案11所述的覆铜板，其特征在于，在高功率脉冲磁控溅射期间，以镍为靶材，脉冲宽度为80-3000μs，频率为200-5000hz，峰值电流为70-2000a，溅射源为一个或多个，每个所述溅射源的功率为1.5-50kw，在所述基材的表面和所述孔壁上形成6-200nm厚的镍层。
26、技术方案13.根据技术方案11所述的覆铜板，其特征在于，所述常规磁控溅射为直流磁控溅射，在所述直流磁控溅射期间，以铜作为靶材，电压为300-2000v，电流为4-100a，功率为1.2-200kw，溅射100-500nm厚的铜层。
27、技术方案14.根据技术方案11所述的覆铜板，其特征在于，在常规磁控溅射的铜层上电镀铜1-25μm，从而得到带有金属化孔的覆铜板。
28、技术方案15.一种带有金属化孔的线路板，包括：
29、带孔的绝缘的基材；
30、导电籽晶层，其通过对所述基材的表面以及孔壁同时以多种物理气相沉积的组合的方式进行处理以在所述基材的表面和所述孔壁上形成；
31、线路，其通过在所述导电籽晶层上添加图形化金属而形成。
32、技术方案16.根据技术方案15所述的线路板，其特征在于，所述基材为聚酰亚胺膜。
33、技术方案17.根据技术方案本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种带有金属化孔的覆铜板，其特征在于，所述覆铜板包括：
2.根据权利要求1所述的覆铜板，其特征在于，所述基材为聚酰亚胺膜。
3.根据权利要求1所述的覆铜板，其特征在于，所述孔采用机械钻孔或激光钻孔而形成。
4.根据权利要求3所述的覆铜板，其特征在于，所述孔是孔径为20-500μm的盲孔或通孔。
5.根据权利要求3所述的覆铜板，其特征在于，所述孔是孔径为20-200μm的盲孔或通孔。
6.根据权利要求4-5中任一项所述的覆铜板，其特征在于，所述盲孔的孔深为5-200μm。
7.根据权利要求1所述的覆铜板，其特征在于，所述多种物理气相沉积包括：离子注入、等离子体沉积、高功率脉冲磁控溅射、常规磁控溅射。
8.根据权利要求1所述的覆铜板，其特征在于，所述多种物理气相沉积的组合中包括高功率脉冲磁控溅射。
9.根据权利要求1所述的覆铜板，其特征在于，以多种物理气相沉积的组合的方式进行处理包括：
10.根据权利要求1所述的覆铜板，其特征在于，所述导电籽晶层的厚度的标准差为5％-20％
11.根据权利要求1所述的覆铜板，其特征在于，所述基材为厚度5-200μm的聚酰亚胺膜，所钻的孔是孔径为20-200μm的通孔；
12.根据权利要求11所述的覆铜板，其特征在于，在高功率脉冲磁控溅射期间，以镍为靶材，脉冲宽度为80-3000μs，频率为200-5000Hz，峰值电流为70-2000A，溅射源为一个或多个，每个所述溅射源的功率为1.5-50KW，在所述基材的表面和所述孔壁上形成6-200nm厚的镍层。
13.根据权利要求11所述的覆铜板，其特征在于，所述常规磁控溅射为直流磁控溅射，在所述直流磁控溅射期间，以铜作为靶材，电压为300-2000V，电流为4-100A，功率为1.2-200KW，溅射100-500nm厚的铜层。
14.根据权利要求11所述的覆铜板，其特征在于，在常规磁控溅射的铜层上电镀铜1-25μm，从而得到带有金属化孔的覆铜板。
15.一种带有金属化孔的线路板，其特征在于，所述线路板包括：
16.根据权利要求15所述的线路板，其特征在于，所述基材为聚酰亚胺膜。
17.根据权利要求15所述的线路板，其特征在于，所述孔采用机械钻孔或激光钻孔而形成。
18.根据权利要求17所述的线路板，其特征在于，所述孔是孔径为20-500μm的盲孔或通孔。
19.根据权利要求17所述的线路板，其特征在于，所述孔是孔径为20-200μm的盲孔或通孔。
20.根据权利要求18-19中任一项所述的线路板，其特征在于，所述盲孔的孔深为5-200μm。
21.根据权利要求15所述的线路板，其特征在于，所述多种物理气相沉积包括：离子注入、等离子体沉积、高功率脉冲磁控溅射、常规磁控溅射。
22.根据权利要求15所述的线路板，其特征在于，所述多种物理气相沉积的组合中包括高功率脉冲磁控溅射。
23.根据权利要求15所述的线路板，其特征在于，以多种物理气相沉积的组合的方式进行处理包括：
24.根据权利要求15所述的线路板，其特征在于，所述导电籽晶层的厚度的标准差为5％-20％，所述孔壁上的导体层的厚度与所述基材的表面上的导体层的厚度的比值大于或等于1:1。
25.根据权利要求15所述的线路板，其特征在于，所述线路板为单层线路板或多层线路板。
26.根据权利要求15所述的线路板，其特征在于，所述基材为厚度5-200μm的聚酰亚胺膜，所钻的孔是孔径为20-200μm的通孔；
27.根据权利要求26所述的线路板，其特征在于，在高功率脉冲磁控溅射期间，以镍为靶材，脉冲宽度为80-3000μs，频率为200-5000Hz，峰值电流为70-2000A，溅射源为一个或多个，每个所述溅射源的功率为1.5-50KW，在所述基材的表面和所述孔壁上形成6-200nm厚的镍层。
28.根据权利要求26所述的线路板，其特征在于，所述常规磁控溅射为直流磁控溅射，在所述直流磁控溅射期间，以铜作为靶材，电压为300-2000V，电流为4-100A，功率为1.2-200KW，溅射100-500nm厚的铜层。
29.根据权利要求26所述的线路板，其特征在于，在常规磁控溅射的铜层上添加0.5-25μm厚的图形化铜层，从而得到带有金属化孔的线路板。
...【技术特征摘要】
1.一种带有金属化孔的覆铜板，其特征在于，所述覆铜板包括：
2.根据权利要求1所述的覆铜板，其特征在于，所述基材为聚酰亚胺膜。
3.根据权利要求1所述的覆铜板，其特征在于，所述孔采用机械钻孔或激光钻孔而形成。
4.根据权利要求3所述的覆铜板，其特征在于，所述孔是孔径为20-500μm的盲孔或通孔。
5.根据权利要求3所述的覆铜板，其特征在于，所述孔是孔径为20-200μm的盲孔或通孔。
6.根据权利要求4-5中任一项所述的覆铜板，其特征在于，所述盲孔的孔深为5-200μm。
7.根据权利要求1所述的覆铜板，其特征在于，所述多种物理气相沉积包括：离子注入、等离子体沉积、高功率脉冲磁控溅射、常规磁控溅射。
8.根据权利要求1所述的覆铜板，其特征在于，所述多种物理气相沉积的组合中包括高功率脉冲磁控溅射。
9.根据权利要求1所述的覆铜板，其特征在于，以多种物理气相沉积的组合的方式进行处理包括：
10.根据权利要求1所述的覆铜板，其特征在于，所述导电籽晶层的厚度的标准差为5％-20％；所述孔壁上的导体层的厚度与所述基材的表面上的导体层的厚度的比值大于或等于1:1。
11.根据权利要求1所述的覆铜板，其特征在于，所述基材为厚度5-200μm的聚酰亚胺膜，所钻的孔是孔径为20-200μm的通孔；
12.根据权利要求11所述的覆铜板，其特征在于，在高功率脉冲磁控溅射期间，以镍为靶材，脉冲宽度为80-3000μs，频率为200-5000hz，峰值电流为70-2000a，溅射源为一个或多个，每个所述溅射源的功率为1.5-50kw，在所述基材的表面和所述孔壁上形成6-200nm厚的镍层。
13.根据权利要求11所述的覆铜板，其特征在于，所述常规磁控溅射为直流磁控溅射，在所述直流磁控溅射期间，以铜作为靶材，电压为300-2000v，电流为4-100a，功率为1.2-200kw，溅射100-500nm厚的铜层。
14.根据权利要求11所述的覆铜板，其特征在于，在常规磁控溅射的铜层上电镀铜1-25μm，从而得到带有金属化孔的覆铜板。
15.一种带有金属化孔的线路板，其特征在于，所述线路板包括：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：张金强，杨志刚，
申请(专利权)人：武汉光谷创元电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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