【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，特别是涉及一种铁电存储器及包含有该铁电存储器的三维铁电存储装置。
技术介绍
1、随着信息技术的发展，对存储器提出了低延时、大容量的需求。其中，低延时有助于提高数据处理速度。大容量有助于提高存储密度，以及节省存储器制造成本。
2、铁电存储器为一种新型存储器，因其具有存储数据非易失，且存取速率快的特点，受到了广泛的关注。但是，当前的铁电存储器大多为平面结构，受器件物理尺寸和特性的影响，平面结构的铁电存储器的缩放速度逐渐放缓，存储密度难以进一步提升，因此提升铁电存储器的存储密度和容量是目前铁电存储器的发展难点。
技术实现思路
1、基于此，本申请实施例提供了一种铁电存储器以及包含有该铁电存储器的三维铁电存储装置，具有较高的存储密度。
2、第一方面，本申请根据一些实施例，提供一种铁电存储器，其特征在于，包括：
3、第一字线、第二字线、第一位线、第二位线以及板线；
4、多个存储单元，每个所述存储单元包括：
5、第一晶体管、第二晶体管、第一导线以及多个铁电电容；
6、其中，所述第一晶体管的控制端与所述第一字线连接，所述第一晶体管的第一端与所述第一导线连，
7、所述第一晶体管的第二端与所述第一位线连接；
8、所述第二晶体管的控制端与所述第二字线连接，所述第二晶体管的第二端与所述第一导线连接，所述第二晶体管的第二端与所述第二位线连接；
9、所述铁电电容的第一端与所述第一导线
10、在一些实施例中，所述第一字线、所述第二字线以及所述板线沿第一方向沿伸，所述第一位线和所述第二位线沿第二方向沿伸，所述第一导线沿第三方向沿伸，所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向相互垂直；
11、沿所述第一方向排列的多个所述存储单元中的所述第一晶体管的控制端均与所述第一字线连接；
12、沿所述第一方向排列的多个所述存储单元中的所述第二晶体管的控制端均与所述第二字线连接；
13、沿所述第二方向排列的多个所述存储单元中的所述第一晶体管的第二端均与所述第一位线连接；
14、沿所述第二方向排列的多个所述存储单元中的所述第二晶体管的第二端均与所述第二位线连接；
15、沿所述第一方向排列的多个所述存储单元中的所述铁电电容的第二端均与所述板线连接；
16、在同一个存储单元中，沿所述第三方向排列的多个所述铁电电容的第一端均与所述第一导线连接；
17、多个所述铁电电容分布在所述第一导线沿所述第二方向的两侧。
18、在一些实施例中，在写入阶段，所述第一字线用于接收第一字线第一预充电控制信号，使得所述第一晶体管导通；
19、所述第二字线用于接收第二字线第一预充电控制信号，使得所述第二晶体管关闭；
20、所述第一位线用于接收第一位线第一控制信号，所述第二位线用于接收第二位线第一控制信号；
21、所述板线用于接收板线第一控制信号，所述第一位线第一控制信号与所述板线第一控制信号的电压差使得所述铁电电容的铁电膜层极化。
22、在一些实施例中，在读取阶段，所述第一字线用于接收所述第一字线第一预充电控制信号，使得所述第一晶体管导通；
23、所述第二字线用于接收所述第二字线第一预充电控制信号，使得所述第二晶体管关闭；
24、所述第一位线用于接收所述第一位线第三控制信号，所述第二位线用于接收第二位线第一控制信号；
25、所述板线用于接收板线第三控制信号，所述第一位线第三控制信号与所述板线第三控制信号的电压差使得所述铁电电容的铁电膜层极化状态发生转变。
26、在一些实施例中，在待命状态，所述第一字线用于接收第一字线第二预充电控制信号，使得所述第一晶体管导通；
27、所述第二字线用于接收第二字线第二预充电控制信号，使得所述第二晶体管导通；
28、所述第一位线用于接收第一位线第二控制信号，所述第二位线用于接收第二位线第一控制信号；
29、所述板线用于接收板线第二控制信号，所述第一位线第二控制信号、所述第二位线第一控制信号与所述板线第二控制信号的电压差使得所述铁电电容的铁电膜层极化状态保持不变。
30、在一些实施例中，所述第一位线第二控制信号、所述第二位线第一控制信号与所述板线第二控制信号的电压值相等。
31、第二方面，本申请还根据一些实施例，提供一种铁电存储器，其特征在于，包括：
32、衬底；
33、多个存储单元，设置在所述衬底上；
34、每个所述存储单元包括：
35、第一晶体管、第二晶体管、第一导线以及多个铁电电容；
36、其中，所述第一导线沿第三方向沿伸，所述第一导线的两端分别连接所述第一晶体管的第一端和所述第二晶体管的第一端；
37、多个所述铁电电容沿第二方向沿伸，沿所述第三方向排列，所述铁电电容的第一端与所述第一导线连接，所述第二方向与所述第三方向垂直。
38、在一些实施例中，铁电电容包括上电极层，铁电膜层和下电极层，所述铁电膜层位于所述上电极层和所述下电极层之间；
39、所述下电极层与所述第一导线连接。
40、在一些实施例中，多个所述铁电电容设置在所述第一导线沿第二方向的两侧。
41、在一些实施例中，多个所述铁电电容在所述第一导线沿第二方向的两侧错位设置。
42、在一些实施例中，所述第一导线包括沿第二方向排列的第一子导线和第二子导线，所述第一子导线和所述第二子导线分别连接所述第一晶体管和所述第二晶体管，设置在所述第一导线沿第二方向的两侧的所述铁电电容分别连接所述第一子导线和所述第二子导线。
43、在一些实施例中，铁电存储器还包括：
44、第一字线、第二字线、第一位线、第二位线以及板线；
45、所述第一晶体管的控制端与所述第一字线连接，所述第一晶体管的第二端与所述第一位线连接；
46、所述第二晶体管的控制端与所述第二字线连接，所述第二晶体管的第二端与所述第二位线连接；
47、所述铁电电容的第二端与所述板线连接。
48、在一些实施例中，所述第一字线、所述第二字线、所述板线沿第一方向沿伸，所述第一方向垂直于所述衬底表面，且所述第一方向与所述第二方向以及所述第三方向垂直；
49、沿所述第一方向排列的多个所述存储单元中的所述第一晶体管的控制端均与所述第一字线连接；
50、沿所述第一方向排列的多个所述存储单元中的所述第二晶体管的控制端均与所述第二字线连接；
51、沿所述第二方向排列的多个所述存储单元中的所述第一晶体管的第二端均与所述第一位线连接；
52、沿所述第二方向排列的多个所述存储单元中的所述第二晶体管的第二端均与本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种铁电存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的铁电存储器，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的铁电存储器，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的铁电存储器，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的铁电存储器，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的铁电存储器，其特征在于，
7.一种铁电存储器，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的铁电存储器，其特征在于，
9.根据权利要求7所述的铁电存储器，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的铁电存储器，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的铁电存储器，其特征在于，
12.根据权利要求7至11任一项所述的铁电存储器，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的铁电存储器，其特征在于，
14.根据权利要求12所述的铁电存储器，其特征在于，还包括：
15.一种三维铁电存储装置，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种铁电存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的铁电存储器，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的铁电存储器，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的铁电存储器，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的铁电存储器，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的铁电存储器，其特征在于，
7.一种铁电存储器，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的铁电存储器，其特征在于，<...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐怡，谈亚丽，李辉辉，袁子豪，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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