本申请公开一种半导体工艺腔室和顶针支撑件的位置调整方法。该半导体工艺腔室包括支架、升降机构、顶针支撑件和位置检测组件，升降机构能够带动顶针支撑件在传片位置与第二工艺位置之间运动，在升降机构的升降方向上，位置检测组件的第一检测件和第二检测件间隔地设置支架，且二者中的至少一者与支架活动连接，位置检测组件的感应件设置于升降机构的升降端，通过调整第一检测件和第二检测件的位置，以使在顶针支撑件位于传片位置的情况下，感应件与第一检测件相对，且第一检测件被触发；在顶针支撑件位于第二工艺位置的情况下，感应件与第二检测件相对，且第二检测件被触发。该方案能够解决顶针支撑件的位置调节效率较低的问题。
【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体工艺，具体涉及一种半导体工艺腔室和顶针支撑件的位置调整方法。
技术介绍
1、在半导体领域，干法刻蚀工艺作为去除晶圆表面材料的方法之一，其主要原理是通过反应气体与sio2产生化学反应，然后通过控制半导体工艺腔室的腔室本体内的温度、压力和气体流量等参数，从而对晶圆表面的材料进行去除，之后对产生的副产物进行去除。
2、在具体的加工工艺过程中，当传片装置(如机械手)将晶圆送入腔室本体后，基座带动晶圆自工艺位置上升至第一工艺位置从而对晶圆进行加工工艺，待加工工艺完成后顶针支撑件通过顶针带动晶圆上升至第二工艺位置，从而对晶圆表面的副产物进行去除。实际应用中，顶针支撑件的传片位置和第二工艺位置均由位置检测组件确定，由于各零部件的加工及装配存在误差，因此还需要进一步通过调节顶针支撑件的位置以补偿该误差。但是由于顶针支撑件位于腔室本体内，在调节的过程中受腔室本体内的其它结构的影响较大，导致顶针支撑件的位置调节效率较低。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的是提供一种半导体工艺腔室和顶针支撑件的位置调整方法，能够解决目前顶针支撑件的位置调节效率较低的问题。
2、为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
3、第一方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室，包括支架、升降机构、顶针支撑件和位置检测组件，所述升降机构的固定端固定设置于所述支架上，所述升降机构的升降端与所述顶针支撑件相连，以带动所述顶针支撑件在传片位置与第二工艺位置之间运动，
4、所述位置检测组件包括第一检测件、第二检测件和感应件，在所述升降机构的升降方向上，所述第一检测件和所述第二检测件间隔设置于所述支架，且所述第一检测件和所述第二检测件中的至少一者与所述支架活动连接，所述感应件设置于所述升降机构的所述升降端；
5、通过调整所述第一检测件和所述第二检测件的位置，以使在所述顶针支撑件位于所述传片位置的情况下，所述感应件与所述第一检测件相对，且所述第一检测件被触发；在所述顶针支撑件位于所述第二工艺位置的情况下，所述感应件与所述第二检测件相对，且所述第二检测件被触发。
6、第二方面，本申请实施例还提供了一种顶针支撑件的位置调整方法，应用于上述的半导体工艺腔室，所述半导体工艺腔室还包括基座和顶针，所述基座可活动地设置于所述顶针支撑件的上方，所述顶针可活动地设置于所述基座，所述基座背离所述顶针支撑件的一面为第一面，所述调整方法包括：
7、上升所述基座至第一工艺位置；
8、下降所述基座第一预设距离，以使所述基座位于所述传片位置，并调节所述顶针支撑件的位置，以使所述顶针凸出所述第一面至预设高度，使所述顶针支撑件位于所述传片位置，根据所述顶针支撑件的位置调节所述第一检测件的位置，以使所述第一检测件与所述感应件相对；
9、上升所述基座至所述第一工艺位置，且上升所述顶针支撑件第二预设距离，以使所述顶针支撑件位于所述第二工艺位置，根据所述顶针支撑件的位置调节所述第二检测件的位置，以使所述第二检测件与所述感应件相对。
10、在本申请实施例中，第一检测件和第二检测件中的至少一者与支架活动连接，在进行加工工艺之前，通过调整第一检测件和第二检测件的位置，以使在顶针支撑件位于传片位置的情况下，感应件与第一检测件相对，且第一检测件被触发；在顶针支撑件位于第二工艺位置的情况下，感应件与第二检测件相对，且第二检测件被触发。也就是说，通过预先确定顶针支撑件的传片位置和第二工艺位置，从而调节第一检测件和第二检测件的位置，以补偿各零部件的加工和装配带来的误差，从而提高顶针支撑件的位置精度，以使第一检测件被触发时，顶针支撑件刚好位于传片位置，避免顶针支撑件与基座发生碰撞；第二检测件被触发时，顶针支撑件刚好到达第二工艺位置。本方案中第一检测件和第二检测件均位于腔室本体之外，可以避免腔室本体内其它结构的影响，有利于提高顶针支撑件的位置调节效率。
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【技术保护点】
1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括支架(100)、升降机构(200)、顶针支撑件(300)和位置检测组件(400)，所述升降机构(200)的固定端固定设置于所述支架(100)上，所述升降机构(200)的升降端与所述顶针支撑件(300)相连，以带动所述顶针支撑件(300)在传片位置与第二工艺位置之间运动，
2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室还包括基座(500)、顶针(600)和加热件(900)，所述基座(500)可活动地设置于所述顶针支撑件(300)的上方，所述顶针(600)可活动地设置于所述基座(500)，所述基座(500)背离所述顶针支撑件(300)的一面为第一面(510)，所述基座(500)朝向所述顶针支撑件(300)的一面为第二面(520)，所述加热件(900)位于所述基座(500)的上方，
3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，在所述基座(500)位于所述第一工艺位置的情况下，所述加热件(900)为上电极，且所述加热件(900)用于输送工艺气体，所述晶圆(700)处于刻蚀工艺状态；
>4.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一检测件(410)和所述第二检测件(420)中的至少一者包括滑动件(411)和传感器(412)，所述滑动件(411)沿所述升降机构(200)的升降方向可滑动地设置于所述支架(100)，所述传感器(412)设置于所述滑动件(411)。5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述位置检测组件(400)还包括固定架(440)，所述固定架(440)设置于所述支架(100)，所述滑动件(411)可滑动地设置于所述固定架(440)，所述固定架(440)设有导向孔(441)，所述导向孔(441)沿所述升降机构(200)的升降方向延伸，所述第一检测件(410)和所述第二检测件(420)中的至少一者还包括第一紧固件(413)，所述第一紧固件(413)与所述导向孔(441)导向配合，且所述第一紧固件(413)的一端穿过所述导向孔(441)与所述滑动件(411)螺纹连接。
6.根据权利要求5所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述固定架(440)包括依次相连的第一固定板(442)、第二固定板(443)和第三固定板(444)，所述第一固定板(442)与所述第三固定板(444)相对设置，所述导向孔(441)开设于所述第一固定板(442)，所述滑动件(411)的至少部分位于所述第一固定板(442)与所述第三固定板(444)之间，所述传感器(412)设置于所述滑动件(411)背离所述第二固定板(443)的一面。
7.根据权利要求6所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第三固定板(444)与所述支架(100)相连。
8.根据权利要求5所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一检测件(410)和所述第二检测件(420)中的至少一者还包括调节件(414)和限位件(415)，所述限位件(415)设置于所述固定架(440)，所述限位件(415)设有避让开口(415a)，所述调节件(414)具有限位部，所述调节件(414)的第一端穿过所述避让开口(415a)与所述滑动件(411)螺纹连接，在所述升降机构(200)的升降方向上，所述限位部与所述限位件(415)限位配合，所述调节件(414)通过所述滑动件(411)驱动所述传感器(412)沿所述升降机构(200)的升降方向移动。
9.根据权利要求8所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述调节件(414)包括依次相连的螺纹连接部(414c)、第一限位部(414a)、连接部(414d)和第二限位部(414b)，所述第一限位部(414a)和所述第二限位部(414b)形成所述限位部，在所述升降机构(200)的升降方向上，所述第一限位部(414a)和所述第二限位部(414b)分别位于所述限位件(415)的两侧，且所述第一限位部(414a)和所述第二限位部(414b)均与所述限位件(415)限位配合，所述螺纹连接部(414c)与所述滑动件(411)螺纹连接，所述连接部(414d)的至少部分位于所述避让开口(415a)内。
10.根据权利要求8所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述限位件(415)和所述传感器(412)分别设置于所述滑动件(411)的两侧，所述滑动件(411)设有避让槽(411a)，所述限位件(415)的至少部分位于所述避让槽(411a)内。
11.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一检测件(410)和所述第二检测件(420)中的至少一者还包括固定件(416)和第二紧固...
【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括支架(100)、升降机构(200)、顶针支撑件(300)和位置检测组件(400)，所述升降机构(200)的固定端固定设置于所述支架(100)上，所述升降机构(200)的升降端与所述顶针支撑件(300)相连，以带动所述顶针支撑件(300)在传片位置与第二工艺位置之间运动，
2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室还包括基座(500)、顶针(600)和加热件(900)，所述基座(500)可活动地设置于所述顶针支撑件(300)的上方，所述顶针(600)可活动地设置于所述基座(500)，所述基座(500)背离所述顶针支撑件(300)的一面为第一面(510)，所述基座(500)朝向所述顶针支撑件(300)的一面为第二面(520)，所述加热件(900)位于所述基座(500)的上方，
3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，在所述基座(500)位于所述第一工艺位置的情况下，所述加热件(900)为上电极，且所述加热件(900)用于输送工艺气体，所述晶圆(700)处于刻蚀工艺状态；
4.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一检测件(410)和所述第二检测件(420)中的至少一者包括滑动件(411)和传感器(412)，所述滑动件(411)沿所述升降机构(200)的升降方向可滑动地设置于所述支架(100)，所述传感器(412)设置于所述滑动件(411)。
5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述位置检测组件(400)还包括固定架(440)，所述固定架(440)设置于所述支架(100)，所述滑动件(411)可滑动地设置于所述固定架(440)，所述固定架(440)设有导向孔(441)，所述导向孔(441)沿所述升降机构(200)的升降方向延伸，所述第一检测件(410)和所述第二检测件(420)中的至少一者还包括第一紧固件(413)，所述第一紧固件(413)与所述导向孔(441)导向配合，且所述第一紧固件(413)的一端穿过所述导向孔(441)与所述滑动件(411)螺纹连接。
6.根据权利要求5所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述固定架(440)包括依次相连的第一固定板(442)、第二固定板(443)和第三固定板(444)，所述第一固定板(442)与所述第三固定板(444)相对设置，所述导向孔(441)开设于所述第一固定板(442)，所述滑动件(411)的至少部分位于所述第一固定板(442)与所述第三固定板(444)之间，所述传感器(412)设置于所述滑动件(411)背离所述第二固定板(4...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏兆勇，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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