【技术实现步骤摘要】
本技术涉及单晶硅生产，具体涉及断面深度测量装置及硅棒检测系统。
技术介绍
1、单晶硅棒是通过区熔或直拉工艺在炉膛中整形或提拉形成的硅单晶体棒，在单晶硅棒的成型过程中，若出现温度波动或存在杂质等意外情况，将会使单晶硅棒出现断线现象，此时棒体的断面为凹面，为了分析出现断线现象的单晶硅棒，需要对棒体的断面深度进行测量。
2、目前，现有测量凹面深度的方式主要为人工使用测量尺手动进行测量，操作人员依靠肉眼确定凹面的最深处，通过直尺或卷尺等测量尺直接进行测量，在此种测量方式中，不仅凹面的最深位置出难以准确判断，同时直尺或卷尺测量度数时也存在误差，因此，现有凹面深度的测量方式还存在准确性差的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本技术提供了一种断面深度测量装置及硅棒检测系统，以解决现有凹面深度的测量方式准确性差的问题。
2、第一方面，本技术提供了一种断面深度测量装置，包括：对中组件，具有至少三个对中臂，至少三个对中臂的相交位置形成测量位，对中臂适于与晶棒断面的周缘配合；测量件，设置于测量位，测量件适于沿着晶棒的轴向测量深度数据。
3、有益效果：在对中组件的测量位设置测量件，需要测量晶棒断面的深度时，将对中组件与晶棒端部周缘配合，当每个对中臂与晶棒端部的配合位置至测量位的距离一致时，表明测量位与凹面对中完成，此时通过测量件即可快速精准的得出凹面的深度，测量方式简单可靠，不仅能够精准的定位凹面的最深处，同时还能够快速得出深度数值，有效解决了现有凹面深度的测量方式准确
4、在一种可选的实施方式中，对中组件还包括设置于每个对中臂上的第一刻度，第一刻度沿着远离测量位的方向设置。
5、有益效果：设置第一刻度可直接示出晶棒断面的周缘与对中臂的具体配合位置，操作人员可直接度数，提高对中效率和准确性。
6、在一种可选的实施方式中，对中组件还包括可移动的设置于每个对中臂的卡爪，卡爪适于与晶棒的侧壁配合。
7、有益效果：卡爪与晶棒的侧壁配合后，此时卡爪的位置即代表对中臂与晶棒的配合位置，此时直接读出卡爪位于对应的第一刻度上的数值即可快速精准的判断是否完成对中。
8、在一种可选的实施方式中，对中组件包括相交设置的横杆和纵杆，横杆和纵杆的相交位置处形成测量位，横杆以及纵杆分别形成两个对中臂。
9、有益效果：此种形式的对中组件可直接搭在晶棒的断面处，无需操作人员长时间握持。
10、在一种可选的实施方式中，对中组件还包括弹性件，弹性件一端与对中臂连接且另一端与卡爪连接。
11、有益效果：卡爪在弹性件的弹力作用下可以自动与晶棒抵接配合，可有效避免对中时误操作移动卡爪而形成的误差。
12、在一种可选的实施方式中，测量件为测量杆，测量杆沿着晶棒的轴向可移动的设置于测量位，测量杆靠近晶棒的一端形成抵接端。
13、有益效果：测量件形式简单可靠，便于加工制造，测量杆移动并与晶棒抵接时，此时采集测量杆由测量位至抵接端的长度信息即可得出晶棒凹面的深度数据。
14、在一种可选的实施方式中，测量件上沿着晶棒的轴向设置有第二刻度。
15、有益效果：操作人员可直接通过第二刻度读出晶棒凹面的深度数据，无需单独进行测量。
16、在一种可选的实施方式中，至少三个对中臂的相交位置处具有通孔，通孔形成测量位，测量杆穿设于通孔中。
17、有益效果：通孔可对测量杆的移动起导向作用，防止测量杆移动时产生偏移或摆动。
18、在一种可选的实施方式中，抵接端具有弧形抵接面。
19、有益效果：能够保证抵接端接触晶棒凹面的最深处，提升得出的深度数据的可靠性。
20、第二方面，本技术还提供了一种硅棒检测系统，其包括：上述的断面深度测量装置。
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1.一种断面深度测量装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的断面深度测量装置，其特征在于，所述对中组件还包括设置于每个所述对中臂(101)上的第一刻度(102)，所述第一刻度(102)沿着远离所述测量位的方向设置。
3.根据权利要求1或2所述的断面深度测量装置，其特征在于，所述对中组件还包括可移动的设置于每个所述对中臂(101)的卡爪(103)，所述卡爪(103)适于与所述晶棒(3)的侧壁配合。
4.根据权利要求3所述的断面深度测量装置，其特征在于，所述对中组件包括相交设置的横杆(104)和纵杆(105)，所述横杆(104)和所述纵杆(105)的相交位置处形成所述测量位，所述横杆(104)以及所述纵杆(105)分别形成两个所述对中臂(101)。
5.根据权利要求3所述的断面深度测量装置，其特征在于，所述对中组件还包括弹性件(106)，所述弹性件(106)一端与所述对中臂(101)连接且另一端与所述卡爪(103)连接。
6.根据权利要求1或2所述的断面深度测量装置，其特征在于，所述测量件(201)为测量杆，所述测
7.根据权利要求6所述的断面深度测量装置，其特征在于，所述测量件(201)上沿着所述晶棒(3)的轴向设置有第二刻度(203)。
8.根据权利要求6所述的断面深度测量装置，其特征在于，至少三个所述对中臂(101)的相交位置处具有通孔(107)，所述通孔(107)形成所述测量位，所述测量杆穿设于所述通孔(107)中。
9.根据权利要求6所述的断面深度测量装置，其特征在于，所述抵接端(202)具有弧形抵接面。
10.一种硅棒检测系统，其特征在于，包括：权利要求1至9中任一项所述的断面深度测量装置。
...【技术特征摘要】
1.一种断面深度测量装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的断面深度测量装置，其特征在于，所述对中组件还包括设置于每个所述对中臂(101)上的第一刻度(102)，所述第一刻度(102)沿着远离所述测量位的方向设置。
3.根据权利要求1或2所述的断面深度测量装置，其特征在于，所述对中组件还包括可移动的设置于每个所述对中臂(101)的卡爪(103)，所述卡爪(103)适于与所述晶棒(3)的侧壁配合。
4.根据权利要求3所述的断面深度测量装置，其特征在于，所述对中组件包括相交设置的横杆(104)和纵杆(105)，所述横杆(104)和所述纵杆(105)的相交位置处形成所述测量位，所述横杆(104)以及所述纵杆(105)分别形成两个所述对中臂(101)。
5.根据权利要求3所述的断面深度测量装置，其特征在于，所述对中组件还包括弹性件(106)，所述弹性件(106)一端...
【专利技术属性】
技术研发人员：马杰，张志龙，
申请(专利权)人：三一硅能朔州有限公司，
类型：新型
国别省市：
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