【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于单晶加工，尤其是涉及一种单晶开方方法。
技术介绍
1、单晶硅拉制后需截断成若干标准尺寸长度的圆棒，会出现许多非标准长度的短棒，同时单晶由于断晶线、崩边、圆弧度偏小等异常也会出现许多短棒。短棒直接回炉处理浪费成本，开方时长度偏短，无法实现单刀切割的满载量，因此通常将短棒拼接成符合长度要求的拼棒再进行开方。
2、拼棒的拼接处由于存在缝隙，单晶发生变化，导致开方机切割时，金刚石线受力不均匀，切割尺寸易发生波动，影响切割的稳定性，降低了开方质量，影响单晶成品的合格率。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种单晶开方方法，解决了单晶拼棒开方时拼接处开方质量较低，影响单晶成品合格率的问题，克服了现有技术的不足。
2、本专利技术采用的技术方案是：一种单晶开方方法，包括以下步骤：
3、使用第一信息系统对单晶进行信息绑定；
4、使用运输系统对所述单晶进行运输；
5、使用第二信息系统识别单晶信息并传送给开方机；
6、所述开方机根据所述单晶信息对所述单晶以不同工艺进行开方。
7、进一步，所述单晶信息包括单晶类别和单晶长度。
8、进一步，所述单晶类别包括整棒和拼棒，所述拼棒由第一拼棒和第二拼棒拼接而成。
9、进一步，当所述单晶为拼棒时，所述单晶长度包括整体长度，第一拼棒长度和第二拼棒长度。
10、进一步，当所述第二信息系统识别所述单晶为整棒时，所述开方机以
11、进一步，所述拼棒工艺包括，
12、所述开方机的金刚石线以第一速度进行切割；
13、所述金刚石线靠近所述拼缝移动，当所述金刚石线距所述拼缝第一距离时，所述金刚石线以第二速度进行切割，直至所述金刚石线远离所述拼缝距所述拼缝第二距离；
14、所述金刚石线以第一速度进行切割。
15、进一步，所述第一速度大于所述第二速度。
16、进一步，所述第二速度不大于所述第一速度的1/2。
17、进一步，所述第一距离等于第二距离。
18、进一步，所述第一距离和第二距离为50mm。
19、本专利技术具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，提高了单晶拼棒拼接处的切割稳定性，提高了单晶的开方质量，保证了单晶成品的合格率。
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1.一种单晶开方方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种单晶开方方法，其特征在于：所述单晶信息包括单晶类别和单晶长度。
3.根据权利要求2所述的一种单晶开方方法，其特征在于：所述单晶类别包括整棒和拼棒，所述拼棒由第一拼棒和第二拼棒拼接而成。
4.根据权利要求3所述的一种单晶开方方法，其特征在于：当所述单晶为拼棒时，所述单晶长度包括整体长度，第一拼棒长度和第二拼棒长度。
5.根据权利要求3或4所述的一种单晶开方方法，其特征在于：当所述第二信息系统识别所述单晶为整棒时，所述开方机以整棒工艺进行加工，当所述第二信息系统识别所述单晶为拼棒时，对所述拼棒的拼缝进行位置识别，所述开方机以拼棒工艺进行加工。
6.根据权利要求5所述的一种单晶开方方法，其特征在于：所述拼棒工艺包括，
7.根据权利要求6所述的一种单晶开方方法，其特征在于：所述第一速度大于所述第二速度。
8.根据权利要求7所述的一种单晶开方方法，其特征在于：所述第二速度不大于所述第一速度的1/2。
9.根据权利要求6
10.根据权利要求6-8任一所述的一种单晶开方方法，其特征在于：所述第一距离和第二距离为50mm。
...【技术特征摘要】
1.一种单晶开方方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种单晶开方方法，其特征在于：所述单晶信息包括单晶类别和单晶长度。
3.根据权利要求2所述的一种单晶开方方法，其特征在于：所述单晶类别包括整棒和拼棒，所述拼棒由第一拼棒和第二拼棒拼接而成。
4.根据权利要求3所述的一种单晶开方方法，其特征在于：当所述单晶为拼棒时，所述单晶长度包括整体长度，第一拼棒长度和第二拼棒长度。
5.根据权利要求3或4所述的一种单晶开方方法，其特征在于：当所述第二信息系统识别所述单晶为整棒时，所述开方机以整棒工艺进行加工，当所述第二信息系统...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁志慧，贡艺强，赵伟，杨树生，匡文军，赵艳慧，
申请(专利权)人：内蒙古中环晶体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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