【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置。
技术介绍
1、近年来，正在进行应用了被称为所谓倒装(face down)方式的安装方法的半导体装置的制造，所述倒装方式为在使电路面朝向基板侧的状态下将半导体芯片安装在基板上的方法。
2、在倒装方式中，为了将形成于半导体芯片的电路面的凸块等电极与基板接合，有时在半导体芯片的背面形成保护膜来避免成为半导体芯片的与电路面相反侧的背面露出的状态。
3、保护膜在半导体芯片的制造过程及半导体芯片的安装后发挥保护半导体芯片不受到外部冲击等的作用。另外，保护膜可用于基于激光打印的半导体芯片的识别、装饰等。此外，保护膜还能够作为防止电路的误动作的遮光层而发挥功能。
4、保护膜例如可使用保护膜形成用膜形成。作为保护膜形成用膜，从机械强度、耐热性等的观点考虑，使用了由具有热固性或能量射线固化性的树脂组合物构成的固化性的膜。通过将固化性的保护膜形成用膜在粘贴于半导体晶片、半导体芯片等保护对象物后进行固化，形成了由其固化物构成的保护膜。
5、例如，在专利文献1中公开了具有固化后的铅笔硬度为5h以上的固化性保护膜形成层的芯片保护用膜。
6、现有技术文献
7、专利文献
8、专利文献1：日本特开2009-147277号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、然而，近年来，从提高安全性的观点考虑，对电子部件的阻燃性的要求水平
3、然而，根据本专利技术人等的研究查明，如果使用卤素类阻燃剂的替代阻燃剂来实现保护膜形成用膜的阻燃化，则难以兼顾由保护膜形成用膜形成的保护膜的阻燃性和粘接性。
4、本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供能够形成兼顾阻燃性和粘接性的保护膜的保护膜形成用膜、使用了该保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置。
5、解决问题的方法
6、本专利技术人等着眼于保护膜形成用膜的储能模量e’、保护膜形成用膜的固化物的铜箔剥离强度及阻燃性，完成了本专利技术。
7、即，本专利技术涉及下述[1]～[14]。
8、[1]一种保护膜形成用膜，其具有固化性，
9、所述保护膜形成用膜在23～150℃的温度范围中的储能模量e’的最小值为1.0mpa以上、并且80℃下的储能模量e’(80)与130℃下的储能模量e’(130)之比[e’(80)/e’(130)]为1.25以上，
10、上述保护膜形成用膜的固化物的铜箔剥离强度为3.0n/10mm以上，
11、上述保护膜形成用膜满足下述的要件(1)，
12、要件(1)，将使保护膜形成用膜固化而得到的保护膜裁切成长边200mm×短边50mm的大小，在温度23℃、相对湿度50％的环境中保管48小时后，将短边方向卷绕于直径12.7mm的圆筒状的棒，在距离长边方向的一个端部125mm的位置设置标线，用胶带将另一个端部与上述标线之间的部分(75mm的部分)固定而制作了圆筒状的保护膜后，将上述棒拔出，将用上述胶带固定的一侧的端部作为上侧，在以避免空气从该上侧的端部排出的方式将该端部关闭的状态下将该圆筒状的保护膜垂直地安装于夹具，基于美国保险商实验室(ul)规定的ul94试验(设备的部件用塑料材料的燃烧试验)的ul94vtm试验(薄质材料垂直燃烧试验)，在距离上述圆筒状的保护膜的下端10mm的位置设置燃烧器的筒，在上述圆筒状的保护膜的下端的中央进行利用20mm的蓝色火焰的3秒钟的第1次接触火焰试验，在火焰消失了的情况下以相同条件进行第2次接触火焰试验，在第1次及第2次的接触火焰试验中火焰不超过上述标线。
13、[2]根据上述[1]所述的保护膜形成用膜，其中，上述23～150℃的温度范围中的储能模量e’的最小值为100mpa以下。
14、[3]根据上述[1]或[2]所述的保护膜形成用膜，其中，上述23～150℃的温度范围中的储能模量e’显示出最小值的温度为90～148℃。
15、[4]根据上述[1]～[3]中任一项所述的保护膜形成用膜，其中，上述储能模量e’之比[e’(80)/e’(130)]为3.00以下。
16、[5]根据上述[1]～[4]中任一项所述的保护膜形成用膜，其中，上述保护膜形成用膜具有热固性。
17、[6]根据上述[1]～[5]中任一项所述的保护膜形成用膜，其中，
18、上述保护膜形成用膜是使用含有(a)热塑性树脂和(b)热固性树脂的树脂组合物形成的。
19、[7]根据上述[6]所述的保护膜形成用膜，其中，上述(a)热塑性树脂为丙烯酸树脂。
20、[8]根据上述[6]或[7]所述的保护膜形成用膜，其中，上述(b)热固性树脂为环氧树脂。
21、[9]根据上述[1]～[8]中任一项所述的保护膜形成用膜，其厚度为1～100μm。
22、[10]根据上述[1]～[9]中任一项所述的保护膜形成用膜，其粘贴于半导体晶片的背面，用于带保护膜的半导体芯片的制造。
23、[11]一种保护膜形成用复合片，其具有上述[1]～[10]中任一项所述的保护膜形成用膜被2片剥离膜挟持的构成。
24、[12]一种保护膜形成用复合片，其依次具有：基材、粘合剂层、以及上述[1]～[10]中任一项所述的保护膜形成用膜。
25、[13]一种带保护膜的半导体芯片，其具有保护膜，上述保护膜为上述[1]～[10]中任一项所述的保护膜形成用膜的固化物。
26、[14]一种半导体装置，其具有上述[13]所述的带保护膜的半导体芯片。
27、专利技术的效果
28、根据本专利技术，可以提供能够形成兼顾阻燃性和粘接性的保护膜的保护膜形成用膜、使用了该保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种保护膜形成用膜，其具有固化性，
2.根据权利要求1所述的保护膜形成用膜，其中，
3.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，
4.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，
5.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，
6.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，
7.根据权利要求6所述的保护膜形成用膜，其中，
8.根据权利要求6所述的保护膜形成用膜，其中，
9.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其厚度为1～100μm。
10.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其粘贴于半导体晶片的背面，用于带保护膜的半导体芯片的制造。
11.一种保护膜形成用复合片，其具有权利要求1或2所述的保护膜形成用膜被2片剥离膜挟持的构成。
12.一种保护膜形成用复合片，其依次具有：
13.一种带保护膜的半导体芯片，其具有保护膜，所述保护膜为权利要求1或2所述的保护膜形成用膜的固化物。
14.一种半导体装置，其具
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种保护膜形成用膜，其具有固化性，
2.根据权利要求1所述的保护膜形成用膜，其中，
3.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，
4.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，
5.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，
6.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，
7.根据权利要求6所述的保护膜形成用膜，其中，
8.根据权利要求6所述的保护膜形成用膜，其中，
9.根据权利要求1或2所述的保...
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